-
公开(公告)号：CN105122388A
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201480002274.2
申请日：2014-03-18
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01F1/055 , B22F9/08 , B22F2009/041 , B22F2009/043 , B22F2009/044 , B22F2009/048 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C1/0441 , C22C19/07 , C22C30/02 , H01F1/0551 , H01F1/0557 , H01F7/0226 , H02K1/02 , B22F9/04 , B22F3/02 , B22F3/1017 , B22F3/1028 , B22F2003/248 , B22F2202/05
摘要： 本发明提供高性能的永磁体。具备：以组成式：RpFeqMrCutCo100-p-q-r-t(式中，R是从稀土类元素中选出的至少一种元素，M是从由Zr、Ti和Hf所构成的组中选出的至少一种元素，p是满足10.5≤p≤12.5原子％的数，q是满足23≤q≤40原子％的数，r是满足0.88≤r≤4.5原子％的数，t是满足3.5≤t≤10.7原子％的数)来表示的组成；以及金属组织，该金属组织包含具有Th2Zn17型晶相的晶胞相、及Cu浓度比晶胞相要高的富Cu相。晶胞相的平均直径在220nm以下，在晶胞相的最小直径到最大直径的数值范围中，直径在最大直径起到小于上位20％的数值范围以内的晶胞相的个数比例占全部晶胞相的20％以下。
-
公开(公告)号：CN104685581B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201480002172.0
申请日：2014-03-14
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01F1/055
CPC分类号： H01F1/055 , H01F1/0557 , H02K1/02
摘要： 在一个实施方式中，永磁体具有如下组成化学式表示的组成：RpFeqMrCusCo100‑p‑q‑r‑s，其中R是稀土元素，M是选自Zr、Ti和Hf的至少一种元素，p大于或等于8.0原子％且小于或等于13.5原子％，q大于或等于25原子％且小于或等于40原子％，r大于或等于0.88原子％且小于或等于7.2原子％，以及s大于或等于3.5原子％且小于或等于13.5原子％，所述永磁体具有如下金属结构，所述金属结构包括具有Th2Zn17晶相的胞相、胞壁相以及沿着Th2Zn17晶相的c平面存在的薄层相。薄层相的平均厚度范围为2.5‑20nm。
-
公开(公告)号：CN104662620B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201380045759.5
申请日：2013-09-24
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01F1/055 , B22F2003/248 , C22C1/0433 , C22C19/07 , C22C30/02 , C22C2202/02 , C22F1/10 , H01F1/0596 , H02K1/02 , H02K1/276 , H02K1/2766
摘要： 本发明提供了高性能的永磁体。该永磁体具备：以下述成分分式所表示的成分：RpFeqMrCutCo100‑p‑q‑r‑t(式中，R为从稀土类元素中选出的至少一种元素，M为从Zr、Ti以及Hf中选出的至少一种元素，p为满足10.5≦p≦12.5原子％的数，q为满足23≦q≦40原子％的数，r为满足0.88≦r≦4.5原子％的数，t为满足4.5≦t≦10.7原子％的数)；以及如下的金属结构，该金属结构具有胞相，该胞相具有Th2Zn17型晶相；胞壁相，该胞壁相以分割Th2Zn17型晶相的方式形成；富M片状相，该富M片状相垂直于Th2Zn17型晶相的c轴而形成，M元素的浓度比胞相高；以及富Cu片状相,该富Cu片状相沿着富M片状相形成，Cu浓度比胞相高。
-
公开(公告)号：CN104769685B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201480002276.1
申请日：2014-11-07
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01F1/047 , B22F2998/10 , C22C33/0278 , C22C33/04 , C22C33/06 , C22C38/001 , C22C38/002 , C22C38/02 , C22C38/04 , C22C38/06 , C22C38/10 , C22C38/12 , C22C38/24 , C22C38/30 , C22C38/32 , C22C38/38 , C22C2202/02 , H01F1/08 , H01F7/02 , H01F7/021 , H02K1/02 , H02K1/27 , B22F9/04 , B22F3/10
摘要： 实施方式的磁体材料具备由组成式1：(Fe1‑x‑yCoxTy)2(B1‑aAa)b来表示的组成、及作为主相具有CuAl2型结晶相的金属组织。组成式1中，T是从V、Cr、及Mn所构成的群中选择的至少一种元素，A是从C、N、Si、S、P、及Al所构成的群中选择的至少一种元素。Co的原子比x及元素T的原子比y满足0.01≤y≤0.5及x+y≤0.5。其中，当元素T包含从V及Cr选择的至少一种元素时，V及Cr的总计原子比为0.03以上，当元素T包含Mn时，Mn的原子比为0.3以下。元素A的原子比a满足0≤a≤0.4，B及元素A的总计原子比b满足0.8≤b≤1.2。
-
公开(公告)号：CN106575568A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580040150.8
申请日：2015-03-23
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01F41/0266 , B22F3/003 , B22F3/16 , B22F3/24 , B22F2003/248 , B22F2301/355 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C21D1/00 , C21D1/26 , C22C38/002 , C22C38/005 , C22C38/10 , C22C38/14 , C22C38/16 , F27B5/04 , F27B5/13 , F27D15/02 , H01F1/0536 , H01F1/0557 , H01F1/0596 , H02K1/02 , H02K1/276 , H02K1/2766 , H02K15/03 , H02K21/00 , B22F3/087 , B22F3/10 , B22F2203/03 , B22F2203/11 , B22F2202/05
摘要： 本发明提供高性能的永久磁铁。本发明中，进行熔体化处理，其具备：在温度TST下进行热处理的工序，和将具有第一层和设于第一层上的第二层的冷却构件配置在加热体和被处理体之间、以使第一层位于被处理体侧的工序，和将被处理体与冷却构件一起搬出至加热室的外部、对被处理体进行冷却，以使被处理体的温度达到比温度TST‑200℃低的温度的工序。在冷却被处理体的工序中，被处理体的温度达到温度TST‑200℃为止的冷却速度为5℃/s以上。
-
公开(公告)号：CN103368282A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310036519.0
申请日：2013-01-30
申请人： 株式会社东芝
摘要： 在一种实施方式中，永磁体包括磁体主体以及在该磁体主体的表面上提供的表面部分。磁体主体具有如组成式1所示的组成：R（Fep1Mq1Cur1Co1-p1-q1-r1）z1。表面部分具有如组成式2所示的组成：R（Fep2Mq2Cur2Co1-p2-q2-r2）z2。在组成式1和2中，R是至少一种选自稀土元素的元素，M是至少一种选自Ti、Zr和Hf的元素，p1和p2为0.25-0.45，q1和q2为0.01-0.05，r1和r2为0.01-0.1，z1为6-9，z2满足0.8≤z2/z1≤0.995。
-
公开(公告)号：CN105264621B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201480002271.9
申请日：2014-03-19
申请人： 株式会社东芝
摘要： 本发明提供高性能的永磁体。具备：以组成式：RpFeqMrCutCo100‑p‑q‑r‑t(式中，R是从稀土类元素中选出的至少一种元素，M是从由Zr、Ti和Hf所构成的组中选出的至少一种元素，p是满足10.8≤p≤12.5原子％的数，q是满足25≤q≤40原子％的数，r是满足0.88≤r≤4.5原子％的数，t是满足3.5≤t≤13.5原子％的数)来表示的组成；以及包含具有Th2Zn17型晶相的主相、及Cu浓度和M浓度比主相要高的富Cu‑M相的金属组织。
-
公开(公告)号：CN104641429B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201380045774.X
申请日：2013-09-13
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01F1/055 , B22F2998/10 , B22F2999/00 , C22C19/07 , C22C30/00 , C22C30/02 , C22C38/00 , C22F1/10 , H01F1/0557 , H01F1/0596 , H01F1/086 , H02K1/02 , B22F9/04 , B22F1/0085 , B22F3/14 , B22F2202/06 , B22F2201/20 , B22F2201/11
摘要： 本发明提供高性能的永磁体。该永磁体具备：以组成式RpFeqMrCutCo100‑p‑q‑r‑t(式中，R是从稀土类元素中选出的至少一种元素，M是从Zr、Ti和Hf中选出的至少一种元素，p是满足10.5≤p≤12.5原子％的数，q是满足23≤q≤40原子％的数，r是满足0.88≤r≤4.5原子％的数，t是满足4.5≤t≤10.7原子％的数)来表示的组成；以及金属组织，该金属组织包含Th2Zn17型晶相和Cu浓度比Th2Zn17型晶相要高的富Cu相。在Th2Zn17型晶相的包含c轴的截面中，存在于1μm见方的面积内的富Cu相彼此的交点数为10点以上。
-
公开(公告)号：CN103839640B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310585387.7
申请日：2013-11-19
申请人： 株式会社东芝
摘要： 在本实施方式中，永磁体包括烧结体，该烧结体包括：由以下组成式所表示的组成RpFeqMrCusCo100‑p‑q‑r‑s（R是从稀土元素所构成的组中选出的至少一种元素，M是从Zr、Ti、Hf中选出的至少一种元素，10≤p≤13.3at%，25≤q≤40at%，0.87≤r≤5.4at%，以及3.5≤s≤13.5at%）；以及如下金属结构：即具有包括Th2Zn17晶相的主相、以及含有元素R的R‑M富相，其中，R在该R‑M富相中的浓度是R在主相中的浓度的1.2倍以上，M在该R‑M富相中的浓度是M在主相中的浓度的1.2倍以上。金属结构中R‑M富相的体积分数为0.2%～15%。
-
公开(公告)号：CN105164765A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201480002278.0
申请日：2014-03-20
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01F1/055 , B22F2998/10 , C22C1/0433 , C22C19/07 , C22C30/02 , C22C2202/02 , C22F1/16 , H01F1/0536 , H01F1/0557 , H01F1/0596 , H02K1/02 , B22F2009/041 , B22F9/082 , C22C1/1084 , B22F2009/043 , B22F2009/044 , B22F3/02 , B22F3/10 , B22F2003/248
摘要： 本发明提供高性能的永磁体。永磁体具备：以组成式：RpFeqMrCutCo100-p-q-r-t(式中，R是从稀土类元素中选出的至少一种元素，M是从由Zr、Ti和Hf所构成的组中选出的至少一种元素，p是满足10≤p≤13.5原子％的数，q是满足25≤q≤40原子％的数，r是满足0.88≤r≤7.2原子％的数，t是满足3.5≤t≤13.5原子％的数)来表示的组成；以及包含主相、及设于构成主相的晶粒之间的晶界相的金属组织。晶粒满足下式：0.001≤|(100/p1max)-(100/p1min)|≤1.2(式中，p1是各晶粒内的上述R元素的浓度(原子％)、p1max是全部晶粒内的上述p1的最大值、p1min是全部晶粒内的上述p1的最小值)。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
29 条记录 (耗时 0.026 秒)
