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公开(公告)号：CN100527466C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200510131568.8
申请日：2005-10-28
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： G09G3/3258 , G09G3/007 , G09G3/2022 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2310/0251 , G09G2310/0256 , G09G2310/027 , G09G2320/029 , G09G2320/043 , G09G2330/08 , H01L51/5265 , H01L2251/562 , Y02B10/14
摘要： 本发明的一个目的是提供一种新型的具有低初始退化的发光元件，以及一种显示器件，其中通过一种驱动具有发光元件的显示器件的新方法，减少了初始退化，并减少了随时间退化中的变化。本发明的一个特征在于显示器件包括发光元件，该元件包括第一电极，与第一电极相对的第二电极，以及在第一电极和第二电极之间设置的金属氧化物和有机化合物的混合层，且这种显示器件经受老化驱动。
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公开(公告)号：CN102484140A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080039723.2
申请日：2010-08-20
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/1262 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02595 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L27/1248 , H01L27/127 , H01L29/66765 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： 一个目的是提供包括氧化物半导体膜的薄膜晶体管的结构的制造方法，其中以其形成沟道的阈值电压为正并且尽可能接近0V。形成保护绝缘层以覆盖包括通过第一热处理来脱水或脱氢的氧化物半导体层的薄膜晶体管，并且执行在比第一热处理低的温度下的第二热处理，第二热处理中温度的上升和下降重复多次，由此能够制造包括氧化物半导体层的薄膜晶体管，其中以其形成沟道的阈值电压为正并且尽可能接近0V，而无需取决于沟道长度。
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公开(公告)号：CN104681447A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510128932.9
申请日：2010-08-20
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/1262 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02595 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L27/1248 , H01L27/127 , H01L29/66765 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： 一个目的是提供包括氧化物半导体膜的薄膜晶体管的结构的制造方法，其中以其形成沟道的阈值电压为正并且尽可能接近0V。形成保护绝缘层以覆盖包括通过第一热处理来脱水或脱氢的氧化物半导体层的薄膜晶体管，并且执行在比第一热处理低的温度下的第二热处理，第二热处理中温度的上升和下降重复多次，由此能够制造包括氧化物半导体层的薄膜晶体管，其中以其形成沟道的阈值电压为正并且尽可能接近0V，而无需取决于沟道长度。
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公开(公告)号：CN102484140B
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201080039723.2
申请日：2010-08-20
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/1262 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02595 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L27/1248 , H01L27/127 , H01L29/66765 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： 一个目的是提供包括氧化物半导体膜的薄膜晶体管的结构的制造方法，其中以其形成沟道的阈值电压为正并且尽可能接近0V。形成保护绝缘层以覆盖包括通过第一热处理来脱水或脱氢的氧化物半导体层的薄膜晶体管，并且执行在比第一热处理低的温度下的第二热处理，第二热处理中温度的上升和下降重复多次，由此能够制造包括氧化物半导体层的薄膜晶体管，其中以其形成沟道的阈值电压为正并且尽可能接近0V，而无需取决于沟道长度。
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公开(公告)号：CN1791288A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN200510131568.8
申请日：2005-10-28
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： G09G3/3258 , G09G3/007 , G09G3/2022 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2310/0251 , G09G2310/0256 , G09G2310/027 , G09G2320/029 , G09G2320/043 , G09G2330/08 , H01L51/5265 , H01L2251/562 , Y02B10/14
摘要： 本发明的一个目的是提供一种新型的具有低初始退化的发光元件，以及一种显示器件，其中通过一种驱动具有发光元件的显示器件的新方法，减少了初始退化，并减少了随时间退化中的变化。本发明的一个特征在于显示器件包括发光元件，该元件包括第一电极，与第一电极相对的第二电极，以及在第一电极和第二电极之间设置的金属氧化物和有机化合物的混合层，且这种显示器件经受老化驱动。
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