公开(公告)号：CN116848668A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202280014457.0

申请日：2022-02-01

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 吉谷友辅 ,  平原誉士 ,  宫入典子 ,  早川昌彦 ,  门马洋平

IPC分类号： H01M4/525

摘要： 提供一种充放电容量大的正极活性物质。另外，提供一种新颖的正极活性物质。在利用共沉淀法得到包含镍、钴及锰的钴化合物(还被称为前体)之后，以第一温度对混合锂化合物和钴化合物而得的混合物进行加热，在粉碎或研碎的混合物之后，以比第一温度高的第二温度再进行加热，在混合添加物之后进行第三加热处理，由此制造正极活性物质。第一温度的范围为400℃以上且700℃以下的范围。第二温度的范围为高于700℃且为1050℃以下的范围。

公开(公告)号：CN107403808B

公开(公告)日：2021-07-20

申请号：CN201710588496.2

申请日：2012-10-19

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  早川昌彦 ,  本田达也

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/146 ,  H01L27/32 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  G02F1/1368

摘要： 本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。当制造具有层叠有栅电极层、栅极绝缘膜以及氧化物半导体膜并设置有与氧化物半导体膜接触的源电极层及漏电极层的晶体管的半导体装置时，在通过蚀刻工序形成栅电极层或源电极层及漏电极层之后，进行去除由蚀刻工序残留在栅电极层表面或氧化物半导体膜表面及其附近的残留物的工序。氧化物半导体膜或栅电极层的表面上的残留物的面密度可以为1×1013atoms/cm2以下。

公开(公告)号：CN103035736B

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201210368465.3

申请日：2012-09-28

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  早川昌彦 ,  筱原聪始

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/78606

摘要： 在使用氧化物半导体的底栅型的晶体管中，提供如下结构，即：对栅电极层施加较高的栅电压的情况下，缓和在漏电极层的端部近旁（及源电极层的端部近旁）会发生的电场集中且抑制开关特性的劣化，而提高可靠性。将重叠于沟道形成区上的绝缘层的截面形状设定为锥形形状，且重叠于沟道形成区上的绝缘层的厚度为0.3μm以下，优选为5nm以上且0.1μm以下。将重叠于沟道形成区上的绝缘层的截面形状的下端部的锥形角θ设定为60°以下，优选设定为45°以下，更优选设定为30°以下。

公开(公告)号：CN104681447A

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201510128932.9

申请日：2010-08-20

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 津吹将志 ,  吉富修平 ,  辻隆博 ,  细羽幸 ,  坂田淳一郎 ,  户松浩之 ,  早川昌彦

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1262 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/127 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： 一个目的是提供包括氧化物半导体膜的薄膜晶体管的结构的制造方法，其中以其形成沟道的阈值电压为正并且尽可能接近0V。形成保护绝缘层以覆盖包括通过第一热处理来脱水或脱氢的氧化物半导体层的薄膜晶体管，并且执行在比第一热处理低的温度下的第二热处理，第二热处理中温度的上升和下降重复多次，由此能够制造包括氧化物半导体层的薄膜晶体管，其中以其形成沟道的阈值电压为正并且尽可能接近0V，而无需取决于沟道长度。

公开(公告)号：CN102484140B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201080039723.2

申请日：2010-08-20

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 津吹将志 ,  吉富修平 ,  辻隆博 ,  细羽幸 ,  坂田淳一郎 ,  户松浩之 ,  早川昌彦

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/1262 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/127 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： 一个目的是提供包括氧化物半导体膜的薄膜晶体管的结构的制造方法，其中以其形成沟道的阈值电压为正并且尽可能接近0V。形成保护绝缘层以覆盖包括通过第一热处理来脱水或脱氢的氧化物半导体层的薄膜晶体管，并且执行在比第一热处理低的温度下的第二热处理，第二热处理中温度的上升和下降重复多次，由此能够制造包括氧化物半导体层的薄膜晶体管，其中以其形成沟道的阈值电压为正并且尽可能接近0V，而无需取决于沟道长度。

公开(公告)号：CN102590729B

公开(公告)日：2014-10-29

申请号：CN201110437283.2

申请日：2006-03-02

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 加藤清 ,  泉小波 ,  早川昌彦 ,  镰田康一郎

IPC分类号： G01R31/28 ,  G01R31/302

CPC分类号： G01R31/2822 ,  G01R31/2886 ,  G01R31/3025 ,  H01L27/13

摘要： 本发明提供了一种包括半导体层的基板，其中可以高可靠度评价元件的特性，以及其评价方法。本发明的包括半导体层的基板具有其中天线线圈和半导体元件串联连接的闭环电路，且其上形成有该电路的区域的表面覆盖有绝缘膜。通过使用这种电路，可以实施无接触检查。此外，环形振荡器可以替代该闭环电路。

公开(公告)号：CN102714024A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201080062018.4

申请日：2010-12-21

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 胁本研一 ,  早川昌彦

IPC分类号： G09G3/36 ,  G02F1/133 ,  G09G3/20

CPC分类号： G09G3/3648 ,  G09G3/3611 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2330/022 ,  G09G2340/0435 ,  G09G2360/14 ,  H01L27/1225

摘要： 借助于简单的结构和简单的操作降低显示装置的功耗。显示装置包括输入装置。根据从输入装置输出的图像操作信号，来控制图像信号到驱动器电路的输入。具体而言，与输入装置在被操作时相比，输入装置未被操作时图像信号的输入更不频繁。相应地，能够防止使用显示装置时造成的显示退化（显示质量的恶化）并且能够降低不使用显示装置时消耗的功率。

公开(公告)号：CN101009322B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200710085012.9

申请日：2002-11-09

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 宇田川诚 ,  早川昌彦 ,  小山润 ,  纳光明 ,  安西彩

IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

摘要： 本发明提供一个TFT，它的沟道长度比目前的长，具体地说，比目前的要长几十倍到几百倍，因而，能在比目前高得多的驱动栅电压下进入接通状态，并具有一个低的沟道电导gd。根据本发明，不但接通电流的简单离散而且其归一化离散可以被减小，除了在各TFT之间的离散的减少以外，OLED自身的离散，和由于OLED损坏引起的离散也可以被减少。

公开(公告)号：CN1881594B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN200610099676.6

申请日：1997-01-20

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  寺本聪 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

摘要： 本发明目的是获得具有良好的特性的薄膜晶体管。使镍元素与非晶质膜203的特定的区域205保持选择性地接连。采用施行加热处理的办法使之结晶化，再在含卤族元素的氧化性气氛中施行加热处理的办法形成热氧化膜。这时进行结晶性的改善和镍元素的吸杂。这种结晶性硅膜将变成具有从多点放射状地进行了结晶生长的那样的构造。于是可得到具有良好的特性的TFT。

公开(公告)号：CN102208163A

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN201110101336.3

申请日：2005-05-20

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 早川昌彦 ,  山崎优 ,  安藤由香里 ,  宮川恵介 ,  小山润 ,  纳光明 ,  安西彩 ,  山崎舜平 ,  瀬尾哲史 ,  安部宽子

IPC分类号： G09G3/30 ,  G09G3/20 ,  H05B33/08

CPC分类号： G09G3/3233 ,  G09G3/006 ,  G09G2300/08 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2310/0256 ,  G09G2310/0275 ,  G09G2310/061 ,  G09G2320/029 ,  G09G2320/041 ,  G09G2320/043 ,  G09G2330/02 ,  G09G2330/12 ,  H01L27/3244 ,  H01L2251/5323

摘要： 一种显示装置和电子装置，其中由于环境温度的改变和随时间改变导致的光发射元件的电流变化的影响可抑制。本发明的显示装置具有光发射元件，串联至光发射元件的驱动晶体管，监视光发射元件，串联至监视光发射元件的限制晶体管，用于供应恒流至监视光发射元件的恒流源，和用于输出等于输入电势的电势的电路。光发射元件的第一电极经驱动晶体管连接至电路的输出端，经限制晶体管连接至电路输入端的监视光发射元件的第一电极。驱动晶体管的沟道长度L1和沟道宽度W1，和限制晶体管的沟道长度L2和沟道宽度W2满足L1/W1∶L2/W2＝1∶2到1∶10。