公开(公告)号：CN107452751B

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN201710363391.7

申请日：2012-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  保坂泰靖 ,  池山辉正 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12

Abstract: 本发明的课题之一是对使用氧化物半导体膜的晶体管赋予稳定的电特性，来制造一种可靠性高的半导体装置。在包括设置在具有绝缘表面的衬底上的底栅结构的反交错型晶体管的半导体装置中，在栅电极层与氧化物半导体膜之间至少设置第一栅极绝缘膜和第二栅极绝缘膜，进行450℃以上，优选为650℃以上的加热处理，然后形成氧化物半导体膜。通过在形成氧化物半导体膜之前进行450℃以上，优选为650℃以上的加热处理，可以抑制成为导致晶体管的电特性的降低或变动的主要原因的氢元素扩散到氧化物半导体膜中，所以可以对晶体管赋予稳定的电特性。

公开(公告)号：CN103187262B

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201210577095.4

申请日：2012-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  保坂泰靖 ,  池山辉正 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02365 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的课题之一是对使用氧化物半导体膜的晶体管赋予稳定的电特性，来制造一种可靠性高的半导体装置。在包括设置在具有绝缘表面的衬底上的底栅结构的反交错型晶体管的半导体装置中，在栅电极层与氧化物半导体膜之间至少设置第一栅极绝缘膜和第二栅极绝缘膜，进行450℃以上，优选为650℃以上的加热处理，然后形成氧化物半导体膜。通过在形成氧化物半导体膜之前进行450℃以上，优选为650℃以上的加热处理，可以抑制成为导致晶体管的电特性的降低或变动的主要原因的氢元素扩散到氧化物半导体膜中，所以可以对晶体管赋予稳定的电特性。

公开(公告)号：CN107452751A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201710363391.7

申请日：2012-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  保坂泰靖 ,  池山辉正 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02365 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7869 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1248

Abstract: 本发明的课题之一是对使用氧化物半导体膜的晶体管赋予稳定的电特性，来制造一种可靠性高的半导体装置。在包括设置在具有绝缘表面的衬底上的底栅结构的反交错型晶体管的半导体装置中，在栅电极层与氧化物半导体膜之间至少设置第一栅极绝缘膜和第二栅极绝缘膜，进行450℃以上，优选为650℃以上的加热处理，然后形成氧化物半导体膜。通过在形成氧化物半导体膜之前进行450℃以上，优选为650℃以上的加热处理，可以抑制成为导致晶体管的电特性的降低或变动的主要原因的氢元素扩散到氧化物半导体膜中，所以可以对晶体管赋予稳定的电特性。

公开(公告)号：CN103187262A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210577095.4

申请日：2012-12-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  保坂泰靖 ,  池山辉正 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/02365 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的课题之一是对使用氧化物半导体膜的晶体管赋予稳定的电特性，来制造一种可靠性高的半导体装置。在包括设置在具有绝缘表面的衬底上的底栅结构的反交错型晶体管的半导体装置中，在栅电极层与氧化物半导体膜之间至少设置第一栅极绝缘膜和第二栅极绝缘膜，进行450℃以上，优选为650℃以上的加热处理，然后形成氧化物半导体膜。通过在形成氧化物半导体膜之前进行450℃以上，优选为650℃以上的加热处理，可以抑制成为导致晶体管的电特性的降低或变动的主要原因的氢元素扩散到氧化物半导体膜中，所以可以对晶体管赋予稳定的电特性。