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公开(公告)号:CN102280584A
公开(公告)日:2011-12-14
申请号:CN201110230406.5
申请日:2004-12-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0545 , B82Y30/00 , G02F1/1368 , G02F2202/025 , H01L51/0002 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0038 , H01L51/0051 , H01L51/0053
Abstract: 本发明公开有机半导体元件的制造方法。在制造使用有机TFT的器件的过程中,主要开发了沟道长度短或沟道宽度窄的元件,以减小器件的尺寸。基于上述讨论,本发明的一个目的提供了一种改善特性的有机TFT。就上述问题而言,本发明的一个特征是在沉积有机半导体薄膜之后烘焙元件。更具体的说,本发明的一个特征是在大气压力条件下或者在减压条件下加热有机半导体薄膜。此外,烘焙处理可以在惰性气体气氛中进行。
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公开(公告)号:CN1797807A
公开(公告)日:2006-07-05
申请号:CN200410061523.3
申请日:2004-12-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L51/05 , H01L51/10 , H01L51/40 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: B82Y10/00 , H01L51/0024 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0038 , H01L51/0041 , H01L51/0051 , H01L51/0053 , H01L51/0093 , H01L51/0545
Abstract: 本发明的一个目的在于提供用于制造便宜有机TFT的一种方法,而不依赖昂贵专用设备,也不使有机半导体暴露于大气中。此外,本发明另一目的在于提供一种在低温下制造有机TFT的方法,而不引起材料热分解的问题。鉴于上述问题,本发明的一个特征在于在有机半导体薄膜形成一层起保护膜作用的薄膜状保护层。该薄膜状保护层可通过用粘接剂等将其固定在薄膜状支撑体上的方法形成。
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公开(公告)号:CN113109959A
公开(公告)日:2021-07-13
申请号:CN202110425233.6
申请日:2014-07-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/133 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1362 , G09G3/36
Abstract: 本发明涉及显示装置。本发明的目的之一是减少以低刷新率驱动FFS模式的液晶显示装置时的闪烁。在FFS模式的液晶显示装置中,在元件衬底一侧形成有构成液晶元件的像素电极及第一公共电极,且在对置衬底一侧形成有第二公共电极。通过将第一公共电极和第二公共电极设定为同一电位,可以抑制像素中的残留DC电压的发生。由此,即使降低刷新率,也可以抑制数据保持期间中的像素的透过率的变动,而可以减少闪烁。
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公开(公告)号:CN1638170A
公开(公告)日:2005-07-13
申请号:CN200410011448.X
申请日:2004-12-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L51/0545 , B82Y30/00 , G02F1/1368 , G02F2202/025 , H01L51/0002 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0038 , H01L51/0051 , H01L51/0053
Abstract: 在制造使用有机TFT的器件的过程中,主要开发了沟道长度短或沟道宽度窄的元件,以减小器件的尺寸。基于上述讨论,本发明的一个目的提供了一种改善特性的有机TFT。就上述问题而言,本发明的一个特征是在沉积有机半导体薄膜之后烘焙元件。更具体地说,本发明的一个特征是在大气压力条件下或者在减压条件下加热有机半导体薄膜。此外,烘焙处理可以在惰性气体气氛中进行。
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公开(公告)号:CN115398800A
公开(公告)日:2022-11-25
申请号:CN202180023507.7
申请日:2021-03-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03F3/217 , H03K17/687 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/786
Abstract: 提供一种小型的半导体装置。提供一种功耗低的半导体装置。提供一种集成度高的半导体装置。一种半导体装置,包括第一晶体管、第一晶体管上的绝缘层、导电层及栅极驱动器。导电层的一部分以嵌入绝缘层内的方式设置。栅极驱动器包括第二晶体管及第三晶体管。第二晶体管及第三晶体管层叠在第一晶体管上。第二晶体管及第三晶体管分别在沟道形成区中包含金属氧化物。第二晶体管的源极和漏极中的一个与第三晶体管的源极和漏极中的一个通过导电层与第一晶体管的栅极电连接。栅极驱动器被提供第一电位及第二电位。栅极驱动器具有选择第一电位或第二电位并将其提供给第一晶体管的栅极的功能。
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公开(公告)号:CN113196666A
公开(公告)日:2021-07-30
申请号:CN201980082466.1
申请日:2019-12-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H03K19/00 , H03K19/0175 , H03K19/094
Abstract: 提供一种使用单极晶体管的半导体装置,其中稳态电流没有流过且可以利用高电源电位及低电源电位表示高电平或低电平。半导体装置包括第一至第四晶体管、第一及第二电容元件、第一及第二布线、第一及第二输入端子以及输出端子。第四晶体管的源极和漏极中的一个与第一布线电连接,第四晶体管的源极和漏极中的另一个与第二晶体管的源极和漏极中的一个、第二电容元件的一个端子以及第三晶体管的栅极电连接。第四晶体管的栅极与第一输入端子、第一电容元件的一个端子以及第一晶体管的栅极电连接,第二晶体管的栅极与第二输入端子电连接。第一晶体管的源极和漏极中的一个与第一布线电连接,第一晶体管的源极和漏极中的另一个与第一电容元件的另一个端子、第二电容元件的另一个端子、第三晶体管的源极和漏极中的一个以及输出端子电连接。第二晶体管的源极和漏极中的另一个以及第三晶体管的源极和漏极中的另一个与第二布线电连接。
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公开(公告)号:CN102681235A
公开(公告)日:2012-09-19
申请号:CN201210133219.X
申请日:2008-10-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1339 , G02F1/136
CPC classification number: G02F1/13394 , G02F1/13392 , G02F2202/28
Abstract: 更准确地控制液晶显示装置中的隔离件的定位,以便防止因显示区域中的不正确定位而引起的显示缺陷。提供具有更高图像质量和可靠性的液晶显示装置,以及提供用于以高产量制造液晶显示装置的方法。在液晶显示装置中,球形隔离件被排放到的区域经过拒液处理,以便降低相对于其中散布了球形隔离件的液体的可湿性。液体(微滴)没有遍布于拒液区域,并且在将球形隔离件朝液体的中心移动时被干燥。因此,可通过在干燥液体时移动球形隔离件,来校正液体中的失控所引起的排放之后不久的不正确定位。
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公开(公告)号:CN110945861B
公开(公告)日:2022-11-29
申请号:CN201880044619.9
申请日:2018-06-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种可见度得到提高的显示系统。一种显示系统,包括摄像装置;控制装置;以及显示装置。摄像装置包括配置为矩阵状的第一像素,显示装置包括配置为矩阵状的第二像素。摄像装置具有根据照射到第一像素的光的照度生成第一图像数据的功能。控制装置具有根据第一图像数据生成直方图,并将该直方图分割为两个以上的照度区域的功能。此外,控制装置具有对第一图像数据作为信息所具有的与照射到第一像素的光的照度对应的灰度进行转换来生成对第一图像数据进行动态范围压缩而成的第二图像数据的功能。控制装置根据各照度区域的直方图的积分值按每个照度区域算出动态范围压缩的压缩率。
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公开(公告)号:CN102681235B
公开(公告)日:2016-12-14
申请号:CN201210133219.X
申请日:2008-10-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1339 , G02F1/136
CPC classification number: G02F1/13394 , G02F1/13392 , G02F2202/28
Abstract: 更准确地控制液晶显示装置中的隔离件的定位,以便防止因显示区域中的不正确定位而引起的显示缺陷。提供具有更高图像质量和可靠性的液晶显示装置,以及提供用于以高产量制造液晶显示装置的方法。在液晶显示装置中,球形隔离件被排放到的区域经过拒液处理,以便降低相对于其中散布了球形隔离件的液体的可湿性。液体(微滴)没有遍布于拒液区域,并且在将球形隔离件朝液体的中心移动时被干燥。因此,可通过在干燥液体时移动球形隔离件,来校正液体中的失控所引起的排放之后不久的不正确定位。
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公开(公告)号:CN104345505A
公开(公告)日:2015-02-11
申请号:CN201410356169.0
申请日:2014-07-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G02F1/1343 , G02F1/133
CPC classification number: G02F1/13306 , G02F1/133345 , G02F1/133512 , G02F1/133514 , G02F1/1337 , G02F1/13394 , G02F1/134363 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/133302 , G02F2001/134372 , G02F2001/134381 , G02F2001/13629 , G02F2001/136295 , G02F2201/121 , G02F2201/123 , G09G3/3614 , G09G3/3677 , G09G3/3688 , G09G2310/08 , G09G2320/0204 , G09G2320/0247 , G02F1/134309 , G02F1/133
Abstract: 本发明涉及液晶显示装置及电子设备。本发明的目的之一是减少以低刷新率驱动FFS模式的液晶显示装置时的闪烁。在FFS模式的液晶显示装置中,在元件衬底一侧形成有构成液晶元件的像素电极及第一公共电极,且在对置衬底一侧形成有第二公共电极。通过将第一公共电极和第二公共电极设定为同一电位,可以抑制像素中的残留DC电压的发生。由此,即使降低刷新率,也可以抑制数据保持期间中的像素的透过率的变动,而可以减少闪烁。
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