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公开(公告)号：CN1434567A
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN02154225.2
申请日：2002-08-30
Applicant: 株式会社大真空
Abstract: 在利用腐蚀度互为不同的多种掩模层R2、R3将石英晶片1各处形成掩蔽的状态，对该石英晶片1进行腐蚀处理。在利用腐蚀度高的掩模层形成掩蔽的部分，腐蚀工作早期开始，所以腐蚀量多。反之，在利用腐蚀度低的掩模层形成掩蔽的部分上，腐蚀工作的开始延迟，腐蚀量少。由此，可将石英晶片1形成任意的形状。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1151603C
公开(公告)日：2004-05-26
申请号：CN97191179.7
申请日：1997-08-25
Applicant: 株式会社大真空
CPC classification number: H03H9/56 , H03H9/1014
Abstract: 压电滤波元件1由表面安装型的外壳基体21的周边支撑，压电滤波元件1的一对输入/输出振荡电极11、12面对外壳基体21。外壳基体21具有一个屏蔽电极30，它沿输入/输出振荡电极对11、12之间的间隙G延伸，此屏蔽电极呈现地电位，并且离开压电衬底10预定的距离。屏蔽电极30以沿间隙G延伸的方式形成，但它并不在宽阔的区域中面对输入/输出振荡电极对11、12。这可防止在屏蔽电极30与输入/输出振荡电极对11、12之间产生浮置电容。因此，即使屏蔽电极30非常靠近压电衬底10，屏蔽电极30也能防止输入/输出振荡电极对11、12之间产生相互电磁耦合。
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公开(公告)号：CN1200206A
公开(公告)日：1998-11-25
申请号：CN97191179.7
申请日：1997-08-25
Applicant: 株式会社大真空
CPC classification number: H03H9/56 , H03H9/1014
Abstract: 压电滤波元件1由表面安装型的外壳基体21的周边支撑,压电源波元件1的一对输入/输出振荡电极11、12面对外壳基体21。外壳基体21具有一个屏蔽电极30,它沿输入/输出振荡电极对11、12之间的间隙G延伸,此屏蔽电极呈现地电位,并且离开压电衬底10预定的距离。屏蔽电极30以沿间隙G延伸的方式形成,但它并不在宽阔的区域中面对输入/输出振荡电极对11、12。这可防止在屏蔽电极30与输入/输出振荡电极对11、12之间产生浮置电容。因此,即使屏蔽电极30非常靠近压电衬底10,屏蔽电极30也能防止输入/输出振荡电极对11、12之间产生相互电磁耦合。
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公开(公告)号：CN1274083C
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN02154225.2
申请日：2002-08-30
Applicant: 株式会社大真空
Abstract: 在利用腐蚀度互为不同的多种掩模层R2、R3将石英晶片1各处形成掩蔽的状态，对该石英晶片1进行腐蚀处理。在利用腐蚀度高的掩模层形成掩蔽的部分，腐蚀工作早期开始，所以腐蚀量多。反之，在利用腐蚀度低的掩模层形成掩蔽的部分上，腐蚀工作的开始延迟，腐蚀量少。由此，可将石英晶片1形成任意的形状。
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