氮化铝粉末和树脂组合物
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119731118A

    公开(公告)日:2025-03-28

    申请号:CN202380060373.5

    申请日:2023-08-30

    Abstract: 本发明提供一种氮化铝粉末,其中,(i)在通过粒度分布测定而测定的体积基准的粒度分布中,全部粒子中的5~150μm范围的粒子的比例为60体积%以上,(i i)在通过所述粒度分布测定而得到的频率分布曲线中,在5~50μm的粒径范围(M范围)、超过50μm且150μm以下的粒径范围(L范围)分别具有峰,所述M范围的粒子的比例(Mint)与所述L范围的粒子的比例(Lint)之比(Mint/Lint)为0.2~1.0;在以倍率500倍拍摄的扫描型电子显微镜图像中,粒径属于5~50μm的粒子的50%以上是存在至少2个平坦面的多面粒子。

    单晶硅板状体及其制造方法

    公开(公告)号:CN109477240B

    公开(公告)日:2019-12-27

    申请号:CN201780041617.X

    申请日:2017-06-30

    Inventor: 正田勋 橘昇二

    Abstract: 本发明的目的在于开发一种单晶硅,其即使在高的氧浓度的单晶硅板状体中实施设备制造工序所进行的800~1100℃下的加热处理,也能抑制寿命的减少,作为太阳电池、电源设备具有高性能。一种单晶硅板状体,其特征在于,在径向中心部中,晶体中的晶格间氧浓度为25~45ppma,且取代型碳浓度为0.5ppma以下,所述单晶硅板状体为从CZ法单晶硅锭的直体部上部切取这样的板状体,就所述径向中心部而言,在透射电子显微镜的20万倍的影像中,在主体内没有观察到氧析出物,并且将该单晶硅板状体在950℃下加热60分钟后,在所述20万倍的影像中,在主体内观察到氧析出物,就该氧析出物的形状而言,在200万倍的影像中观察到多面体结构。

    单晶硅板状体及其制造方法

    公开(公告)号:CN109477240A

    公开(公告)日:2019-03-15

    申请号:CN201780041617.X

    申请日:2017-06-30

    Inventor: 正田勋 橘昇二

    Abstract: 本发明的目的在于开发一种单晶硅,其即使在高的氧浓度的单晶硅板状体中实施设备制造工序所进行的800~1100℃下的加热处理,也能抑制寿命的减少,作为太阳电池、电源设备具有高性能。一种单晶硅板状体,其特征在于,在径向中心部中,晶体中的晶格间氧浓度为25~45ppma,且取代型碳浓度为0.5ppma以下,所述单晶硅板状体为从CZ法单晶硅锭的直体部上部切取这样的板状体,就所述径向中心部而言,在透射电子显微镜的20万倍的影像中,在主体内没有观察到氧析出物,并且将该单晶硅板状体在950℃下加热60分钟后,在所述20万倍的影像中,在主体内观察到氧析出物,就该氧析出物的形状而言,在200万倍的影像中观察到多面体结构。

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