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公开(公告)号：CN1617797A
公开(公告)日：2005-05-18
申请号：CN02818254.5
申请日：2002-09-13
IPC: B32B27/30 , C08J7/04 , C09D129/04
CPC classification number: B32B27/08 , B32B27/06 , C08J7/047 , C08J2429/00 , C08K3/34 , C08K2201/008 , C08L29/04 , C08L71/02 , C09D129/04 , Y10T428/31667 , Y10T428/31909 , C08L2666/14 , C08L2666/54
Abstract: 本发明提供一种阻气性薄膜，它是含有由热塑性树脂薄膜构成的基材层和由烷氧基硅烷的水解产物、层状硅酸盐和聚乙烯醇系树脂构成的气体阻透层的积层体，其特征在于，上述气体阻透层在采用光散射法测得的散射体的旋转半径(Rg)在2.4μm以下，且在该气体阻透层中存在的层状硅酸盐的层间存在烷氧基硅烷和/或其水解产物。该薄膜即使在超过90％RH的高湿度下也显示出优异的阻气性。
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公开(公告)号：CN100360309C
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN02818254.5
申请日：2002-09-13
IPC: B32B27/30 , C08J7/04 , C09D129/04
CPC classification number: B32B27/08 , B32B27/06 , C08J7/047 , C08J2429/00 , C08K3/34 , C08K2201/008 , C08L29/04 , C08L71/02 , C09D129/04 , Y10T428/31667 , Y10T428/31909 , C08L2666/14 , C08L2666/54
Abstract: 本发明提供一种阻气性薄膜，它是含有由热塑性树脂薄膜构成的基材层和由烷氧基硅烷的水解产物、层状硅酸盐和聚乙烯醇系树脂构成的气体阻透层的积层体，其特征在于，上述气体阻透层在采用光散射法测得的散射体的旋转半径(Rg)在2.4μm以下，且在该气体阻透层中存在的层状硅酸盐的层间存在烷氧基硅烷和/或其水解产物。该薄膜即使在超过90%RH的高湿度下也显示出优异的阻气性。
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公开(公告)号：CN101160261B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200580049421.2
申请日：2005-05-19
Applicant: 株式会社德山
IPC: C01B33/12
CPC classification number: C01B33/183 , B41M5/5218 , B82Y30/00 , C01B33/12 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C01P2006/22 , C08K3/36 , C09C1/30 , C09C1/3081 , C09D7/43 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , C09K3/32 , D21H17/68 , D21H19/40 , D21H21/52 , Y10T428/2993
Abstract: 本发明提供一种微粒状二氧化硅，其可以适于用作像添加于水或液状树脂、涂料等液体中，在进行其粘度或触变性等粘弹性特性的调节之时所用的增粘剂那样的粘弹性调节剂；硅橡胶或密封胶的增强·填充剂；CMP(化学机械抛光)的抛光剂；喷墨记录纸的表面涂布剂。所述微粒状二氧化硅的BET比表面积(S)为130～380m2/g，另外α值分析对象范围为20nm～30nm的分形参数(α1)满足下述式(1)，并且α值分析对象范围为30nm～50nm的分形参数(α2)满足下述式(2)。α1+0.00175S＜2.518...(1)α2+0.00174S＜2.105...(2)
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公开(公告)号：CN118401467A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202280082352.9
申请日：2022-12-16
Applicant: 株式会社德山
IPC: C01B21/068
Abstract: 本发明提供一种氮化硅粉末，其特征在于，β化率为80％以上，晶体应变为1.0×10‑3以上。根据本发明，可以提供一种即使在1800℃左右的低温下烧结性也高的氮化硅粉末。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116075492B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202180056387.0
申请日：2021-07-30
Applicant: 株式会社德山
Abstract: 本发明的电路基板用层叠体是金属氮化物烧结基板与铜板的层叠体，其特征在于，具有从面的中心到周缘的最短长度为50mm以上的大小，在沿层叠方向切断所述层叠体而成的切断面测定的、在所述金属氮化物烧结基板与铜板的接合界面附近确认的直径为1μm以上的孔隙的总长度LB相对于该接合界面的测定长度LI的比例即孔隙率X为0.50％以下。根据本发明，能够提供散热性优异、图案化时使用的蚀刻液不易残留于接合界面、作为产品的可靠性优异的层叠体。
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公开(公告)号：CN105264646A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201480032413.6
申请日：2014-07-10
Applicant: 株式会社德山
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C01B33/18 , C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , B24B37/00 , B24B37/044 , C01B33/183 , C01P2006/10 , C01P2006/12 , C09G1/02 , C09K3/1409 , H01L21/3212
Abstract: 本发明能够确保适当高的研磨速率并且减少研磨时的划伤；本发明提供满足以下(A)～(C)的CMP用二氧化硅、使用CMP用二氧化硅的水性分散液、以及CMP用二氧化硅的制造方法，(A)BET比表面积为40m2/g以上180m2/g以下；(B)通过氦气比重瓶法测量的颗粒密度为2.24g/cm3以上；(C)通过TEM图像分析计算出的原始粒径的变动系数为0.40以下。
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公开(公告)号：CN116075492A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202180056387.0
申请日：2021-07-30
Applicant: 株式会社德山
IPC: C04B37/02
Abstract: 本发明的电路基板用层叠体是金属氮化物烧结基板与铜板的层叠体，其特征在于，具有从面的中心到周缘的最短长度为50mm以上的大小，在沿层叠方向切断所述层叠体而成的切断面测定的、在所述金属氮化物烧结基板与铜板的接合界面附近确认的直径为1μm以上的孔隙的总长度LB相对于该接合界面的测定长度LI的比例即孔隙率X为0.50％以下。根据本发明，能够提供散热性优异、图案化时使用的蚀刻液不易残留于接合界面、作为产品的可靠性优异的层叠体。
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公开(公告)号：CN105264646B
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201480032413.6
申请日：2014-07-10
Applicant: 株式会社德山
IPC: H01L21/304 , B24B37/00 , C01B33/18 , C09K3/14
CPC classification number: C09K3/1463 , B24B37/00 , B24B37/044 , C01B33/183 , C01P2006/10 , C01P2006/12 , C09G1/02 , C09K3/1409 , H01L21/3212
Abstract: 本发明能够确保适当高的研磨速率并且减少研磨时的划伤；本发明提供满足以下(A)～(C)的CMP用二氧化硅、使用CMP用二氧化硅的水性分散液、以及CMP用二氧化硅的制造方法，(A)BET比表面积为40m2/g以上180m2/g以下；(B)通过氦气比重瓶法测量的颗粒密度为2.24g/cm3以上；(C)通过TEM图像分析计算出的原始粒径的变动系数为0.40以下。
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公开(公告)号：CN101160261A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200580049421.2
申请日：2005-05-19
Applicant: 株式会社德山
IPC: C01B33/12
CPC classification number: C01B33/183 , B41M5/5218 , B82Y30/00 , C01B33/12 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C01P2006/22 , C08K3/36 , C09C1/30 , C09C1/3081 , C09D7/43 , C09G1/02 , C09K3/1436 , C09K3/1463 , C09K3/32 , D21H17/68 , D21H19/40 , D21H21/52 , Y10T428/2993
Abstract: 本发明提供一种微粒状二氧化硅，其可以适于用作像添加于水或液状树脂、涂料等液体中，在进行其粘度或触变性等粘弹性特性的调节之时所用的增粘剂那样的粘弹性调节剂；硅橡胶或密封胶的增强·填充剂；CMP(化学机械抛光)的抛光剂；喷墨记录纸的表面涂布剂。所述微粒状二氧化硅的BET比表面积(S)为130～380m2/g，另外α值分析对象范围为20nm～30nm的分形参数(α1)满足下述式(1)，并且α值分析对象范围为30nm～50nm的分形参数(α2)满足下述式(2)。α1+0.00175S＜2.518…(1)，α2+0.00174S＜2.105…(2)。
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