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公开(公告)号：CN106715766A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201580046213.0
申请日：2015-08-27
Applicant: 株式会社德山
CPC classification number: C30B15/04 , C30B15/00 , C30B15/22 , C30B29/06 , C30B35/007 , H01L31/028 , H01L31/1804
Abstract: 本发明的目的在于开发一种通过含有碳来抑制结晶缺陷的单晶硅的制造方法，采用该方法，碳容易地向硅融液的混合、熔解。本发明的单晶硅的制造方法是从收纳在坩锅内的硅融液中拉制出单晶硅的同时使其成长的单晶硅体的制造方法，使用利用西门子法制造出的多晶硅棒中的位于棒末端的与碳制芯线保持部件之间的接触附近部的破碎物，来作为该硅原料的至少一部分。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112752746B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201980062734.3
申请日：2019-09-26
Applicant: 株式会社德山
IPC: C07C209/84 , B01D3/10 , C07C209/86 , C07C211/63 , G03F7/32 , G03F7/42
Abstract: 一种半导体制造用处理液组合物，其特征在于，其包含氢氧化季铵和溶解该氢氧化季铵的第一有机溶剂，第一有机溶剂为具有多个羟基的水溶性有机溶剂，组合物中的水分含量以组合物总量基准计为1.0质量％以下，组合物中的Na、Mg、Al、K、Ca、Ti、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、和Zn的含量以组合物总量基准计分别为100质量ppb以下，组合物中的Cl的含量以组合物总量基准计为100质量ppb以下。
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公开(公告)号：CN112752746A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN201980062734.3
申请日：2019-09-26
Applicant: 株式会社德山
IPC: C07C209/84 , B01D3/10 , C07C209/86 , C07C211/63 , G03F7/32 , G03F7/42
Abstract: 一种半导体制造用处理液组合物，其特征在于，其包含氢氧化季铵和溶解该氢氧化季铵的第一有机溶剂，第一有机溶剂为具有多个羟基的水溶性有机溶剂，组合物中的水分含量以组合物总量基准计为1.0质量％以下，组合物中的Na、Mg、Al、K、Ca、Ti、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、和Zn的含量以组合物总量基准计分别为100质量ppb以下，组合物中的Cl的含量以组合物总量基准计为100质量ppb以下。
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公开(公告)号：CN109477240B
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201780041617.X
申请日：2017-06-30
Applicant: 株式会社德山
Abstract: 本发明的目的在于开发一种单晶硅，其即使在高的氧浓度的单晶硅板状体中实施设备制造工序所进行的800～1100℃下的加热处理，也能抑制寿命的减少，作为太阳电池、电源设备具有高性能。一种单晶硅板状体，其特征在于，在径向中心部中，晶体中的晶格间氧浓度为25～45ppma，且取代型碳浓度为0.5ppma以下，所述单晶硅板状体为从CZ法单晶硅锭的直体部上部切取这样的板状体，就所述径向中心部而言，在透射电子显微镜的20万倍的影像中，在主体内没有观察到氧析出物，并且将该单晶硅板状体在950℃下加热60分钟后，在所述20万倍的影像中，在主体内观察到氧析出物，就该氧析出物的形状而言，在200万倍的影像中观察到多面体结构。
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公开(公告)号：CN109477240A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201780041617.X
申请日：2017-06-30
Applicant: 株式会社德山
Abstract: 本发明的目的在于开发一种单晶硅，其即使在高的氧浓度的单晶硅板状体中实施设备制造工序所进行的800～1100℃下的加热处理，也能抑制寿命的减少，作为太阳电池、电源设备具有高性能。一种单晶硅板状体，其特征在于，在径向中心部中，晶体中的晶格间氧浓度为25～45ppma，且取代型碳浓度为0.5ppma以下，所述单晶硅板状体为从CZ法单晶硅锭的直体部上部切取这样的板状体，就所述径向中心部而言，在透射电子显微镜的20万倍的影像中，在主体内没有观察到氧析出物，并且将该单晶硅板状体在950℃下加热60分钟后，在所述20万倍的影像中，在主体内观察到氧析出物，就该氧析出物的形状而言，在200万倍的影像中观察到多面体结构。
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公开(公告)号：CN106715766B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201580046213.0
申请日：2015-08-27
Applicant: 株式会社德山
CPC classification number: C30B15/04 , C30B15/00 , C30B15/22 , C30B29/06 , C30B35/007 , H01L31/028 , H01L31/1804
Abstract: 本发明的目的在于开发一种通过含有碳来抑制结晶缺陷的单晶硅的制造方法，采用该方法，碳容易地向硅融液的混合、熔解。本发明的单晶硅的制造方法是从收纳在坩锅内的硅融液中拉制出单晶硅的同时使其成长的单晶硅体的制造方法，使用利用西门子法制造出的多晶硅棒中的位于棒末端的与碳制芯线保持部件之间的接触附近部的破碎物，来作为该硅原料的至少一部分。
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