-
公开(公告)号：CN119767752A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411344225.9
申请日：2024-09-25
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。提供抑制光劣化的半导体装置。半导体装置包含：栅电极；栅电极上的栅极绝缘层；栅极绝缘层上的具有多晶结构的氧化物半导体层；氧化物半导体层上的源电极及漏电极；和覆盖源电极及漏电极、且与氧化物半导体层相接的层间绝缘层，S值为1.5V/dec以上2.5V/dec以下。氧化物半导体层包含：与源电极及漏电极中的一者重叠的第1区域；和与层间绝缘层相接的第2区域，第1区域的膜厚与第2区域的膜厚之差可以为5nm以下。
-
公开(公告)号：CN119789525A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202411351120.6
申请日：2024-09-26
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明涉及半导体装置。提供抑制光劣化的半导体装置。半导体装置包含：遮光层；具有第1界面且与遮光层相接的第1硅氮化物绝缘层；具有第2界面且与第1硅氮化物绝缘层相接的第1硅氧化物绝缘层；第1硅氧化物绝缘层上的氧化物半导体层；氧化物半导体层上的第2硅氧化物绝缘层；第2硅氧化物绝缘层上的栅电极；和栅电极上的第2硅氮化物绝缘层，在俯视观察下，氧化物半导体层的沟道区域的整体与遮光层重叠，第1硅氧化物绝缘层与第2硅氧化物绝缘层相接，第1硅氮化物绝缘层的膜厚t满足下述条件：波长450nm的光相对第2界面的法线方向以60度入射至第1硅氮化物绝缘层时，在第1界面被反射的光与在第2界面被反射的光相互减弱。
-
公开(公告)号：CN118943201A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410576294.6
申请日：2024-05-10
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/34
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明提供氧化物半导体膜的形状的偏差小且具有稳定的电特性的半导体装置。半导体装置包含：栅电极；栅电极之上的栅极绝缘层；栅极绝缘层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；氧化物半导体层之上的源电极及漏电极；和层间绝缘层，其覆盖源电极及漏电极并与氧化物半导体层接触，氧化物半导体层包含与源电极及漏电极中的1者重叠的第1区域、和与层间绝缘层接触的第2区域，第1区域的膜厚与第2区域的膜厚之差为1nm以下。
-
公开(公告)号：CN118738137A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410316931.6
申请日：2024-03-19
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L21/34
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。提供偏差少，电特性稳定的半导体装置。半导体装置包含：栅电极；栅电极之上的栅极绝缘层；栅极绝缘层之上的具有多晶结构的氧化物半导体层；氧化物半导体层上的源电极及漏电极；覆盖源电极及漏电极且与氧化物半导体层相接的层间绝缘层；氧化物半导体层包括与源电极及漏电极中的1者重叠的第1区域、以及与层间绝缘层相接的第2区域，第1区域的膜厚与第2区域的膜厚之差为5nm以下。
-
公开(公告)号：CN114586162A
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202080074284.2
申请日：2020-09-02
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 在包括使用银来作为光导电膜的阴极的光传感器在内的半导体器件中，防止因银的氧化引起的电阻上升和光反射特性的下降。一种半导体器件，其在衬底(100)之上形成有薄膜晶体管，其特征在于，与所述薄膜晶体管电连接的电极由银膜(128)形成，在所述银膜之上形成有第一ITO膜(129)，在所述第一ITO膜(129)之上形成有氧化铝(AlOx)膜(130)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119923005A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510107012.2
申请日：2020-11-06
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明涉及半导体装置。其目的在于应对具有基于PIN型光导电膜的光传感器的半导体装置中的电极连接不良。本发明的构成如下所述。半导体装置，其具有光传感器，其特征在于，上述光传感器在基板之上形成有薄膜晶体管，在相较于上述薄膜晶体管而言的上层形成有光电二极管，上述光电二极管由阳极(131)、光导电膜(130)、阴极(126)构成，上述阴极(126)由钛膜构成，在上述钛膜与上述光导电膜之间，形成有第一透明导电膜(201)。
-
公开(公告)号：CN118748896A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202410937658.9
申请日：2020-04-15
Applicant: 株式会社日本显示器 , 国立大学法人东京大学
IPC: H10K39/00 , H10K39/32 , H01L29/786 , H01L29/417 , H01L29/423 , G06V40/13 , A61B5/00 , A61B5/1172 , A61B5/0205 , A61B5/1455
Abstract: 检测装置具备光电二极管以及对光电二极管的输出路径进行开闭的薄膜晶体管，薄膜晶体管包括：半导体层，相对于遮光层层叠于光电二极管侧；以及电极层，层叠于半导体层与光电二极管之间，以形成薄膜晶体管的源极电极和漏极电极，源极电极隔着半导体层延伸到与遮光层对置的位置。
-
公开(公告)号：CN118738136A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410305656.8
申请日：2024-03-18
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/44 , H01L21/34 , G09F9/33 , G09F9/35
Abstract: 本发明涉及半导体装置、显示装置及半导体装置的制造方法。课题在于改善包括氧化物半导体的半导体装置的电气特性。半导体装置包括：绝缘表面之上的金属氧化物层；前述金属氧化物层之上的氧化物半导体层；前述氧化物半导体层之上的栅极绝缘层；和前述栅极绝缘层之上的栅极布线，前述金属氧化物层具有与前述栅极布线及前述氧化物半导体层重叠的第一区域、与前述氧化物半导体层重叠且与前述栅极布线不重叠的第二区域、以及与前述栅极布线重叠且与前述氧化物半导体层不重叠的第三区域。
-
公开(公告)号：CN113711376B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202080028822.4
申请日：2020-04-15
Applicant: 株式会社日本显示器 , 国立大学法人东京大学
IPC: H10K59/65 , H01L31/10 , H01L27/146 , H01L29/786 , H01L21/336 , A61B5/1171 , A61B5/1172
Abstract: 检测装置具备光电二极管以及对光电二极管的输出路径进行开闭的薄膜晶体管，薄膜晶体管包括：半导体层，相对于遮光层层叠于光电二极管侧；以及电极层，层叠于半导体层与光电二极管之间，以形成薄膜晶体管的源极电极和漏极电极，源极电极隔着半导体层延伸到与遮光层对置的位置。
-
公开(公告)号：CN113711376A
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN202080028822.4
申请日：2020-04-15
Applicant: 株式会社日本显示器 , 国立大学法人东京大学
IPC: H01L51/42 , H01L31/10 , H01L27/146 , H01L29/786 , H01L21/336 , A61B5/1171 , A61B5/1172
Abstract: 检测装置具备光电二极管以及对光电二极管的输出路径进行开闭的薄膜晶体管，薄膜晶体管包括：半导体层，相对于遮光层层叠于光电二极管侧；以及电极层，层叠于半导体层与光电二极管之间，以形成薄膜晶体管的源极电极和漏极电极，源极电极隔着半导体层延伸到与遮光层对置的位置。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.024 seconds)
