公开(公告)号：CN115472628A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202210560855.4

申请日：2022-05-23

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 木村史哉 ,  铃村功 ,  长泽顺子 ,  井本温子

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  G02F1/1362

Abstract: 本发明提供能够实现高分辨率的显示装置。显示装置包括半导体层(SC1)、第1绝缘层(14)、栅极电极(GE1)、第2绝缘层(15)、第3绝缘层(18)、滤色片(CF)和具有像素电极(PE)、第1导电层(TE1)和第2导电层(TE2)的多个透明导电层(TE)。所述第1导电层位于所述第2绝缘层与所述第3绝缘层之间，通过形成于所述第1绝缘层和所述第2绝缘层的第1接触孔(h7)而与半导体层(SC1)的第2区域接触。所述第2导电层位于滤色片(CF)之上，与所述第1导电层接触。像素电极(PE)位于所述第2导电层之上，与所述第2导电层接触。

公开(公告)号：CN115377211A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210538580.4

申请日：2022-05-18

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 金子寿辉 ,  木村史哉

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 本发明提供一种可靠性优异的半导体装置。另外，提供一种能够廉价地制造的半导体装置的制造方法。半导体装置包括基板、基板上的氧化物半导体层、氧化物半导体层上的栅极绝缘层、栅极绝缘层上的金属氧化物层和金属氧化物层上的栅极电极，金属氧化物层的第1侧面在俯视时从栅极电极的第2侧面突出。在基板上形成氧化物半导体层，在氧化物半导体层上形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成金属氧化物膜，在金属氧化物膜上形成金属膜，在金属膜上形成抗蚀剂，通过将抗蚀剂作为掩模对金属膜和金属氧化物膜连续地进行湿蚀刻，来形成栅极电极和金属氧化物层。

公开(公告)号：CN114902127B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202080091333.3

申请日：2020-11-20

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 木村史哉 ,  铃村功

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1343 ,  G09F9/30 ,  H10K50/84 ,  H10K50/805 ,  H10K59/12 ,  H05B33/06

Abstract: 本发明涉及显示装置及液晶显示装置，目的在于，应对在超高精细显示装置中用于连接TFT和像素电极的、形成于有机钝化膜的通孔内的电极图案化不良。为了实现这一点，本发明采用如下构成：一种显示装置，在基板100上形成有TFT(薄膜晶体管)，覆盖所述TFT形成有有机钝化膜120，在所述有机钝化膜120上形成有第一像素电极122、第一公共电极124、第二像素电极127、第二公共电极129，其特征在于，所述第一像素电极122通过形成于所述有机钝化膜120的通孔121与所述TFT连接，所述通孔121由填料50填充，所述第二像素电极127的端部存在于所述填料50的上侧。

公开(公告)号：CN114902127A

公开(公告)日：2022-08-12

申请号：CN202080091333.3

申请日：2020-11-20

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 木村史哉 ,  铃村功

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/1343 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/06

Abstract: 本发明涉及显示装置及液晶显示装置，目的在于，应对在超高精细显示装置中用于连接TFT和像素电极的、形成于有机钝化膜的通孔内的电极图案化不良。为了实现这一点，本发明采用如下构成：一种显示装置，在基板100上形成有TFT(薄膜晶体管)，覆盖所述TFT形成有有机钝化膜120，在所述有机钝化膜120上形成有第一像素电极122、第一公共电极124、第二像素电极127、第二公共电极129，其特征在于，所述第一像素电极122通过形成于所述有机钝化膜120的通孔121与所述TFT连接，所述通孔121由填料50填充，所述第二像素电极127的端部存在于所述填料50的上侧。

公开(公告)号：CN116709883A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310181782.2

申请日：2023-03-01

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 铃村功 ,  木村史哉 ,  小川浩

IPC: H10K71/60 ,  H10K50/805 ,  H10K50/84 ,  G09F9/33

Abstract: 本发明涉及显示装置的制造方法及显示装置。一个实施方式的显示装置的制造方法包括：形成包含第1金属层和导电性氧化物层的下电极，该导电性氧化物层覆盖所述第1金属层且厚度为15nm以上且50nm以下；形成覆盖所述下电极的至少一部分并具有使所述导电性氧化物层露出的像素开口的肋部；在从所述像素开口露出的所述导电性氧化物层及所述肋部的上方形成第2金属层；和通过包含湿式蚀刻的蚀刻使所述第2金属层图案化以在所述肋部之上形成隔壁。

公开(公告)号：CN116339001A

公开(公告)日：2023-06-27

申请号：CN202211650063.2

申请日：2022-12-21

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 木村史哉 ,  铃村功

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1335

Abstract: 一个实施方式的显示装置具备：被供给影像信号的信号线；与所述信号线交叉并且被供给扫描信号的扫描线；与所述信号线连接并且至少一部分与所述扫描线相对置的半导体层；覆盖所述半导体层的第1绝缘层；配置在所述第1绝缘层的上方的彩色滤光片；配置在所述彩色滤光片的上方并且与所述彩色滤光片相对置的像素电极；以及公共电极，其形成与该公共电极和所述像素电极之间的电位差相应的电场。所述第1绝缘层具有用于将所述半导体层与所述像素电极连接的第1接触孔。所述第1接触孔设于在俯视下从所述彩色滤光片错开的位置。