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公开(公告)号：CN103163691A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210543949.7
申请日：2012-12-14
Applicant: 株式会社日本显示器东
IPC: G02F1/1339 , G02F1/1333 , G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/13394 , G02F1/1339 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/13396 , G02F2001/13398
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置，抑制配向膜削减，抑制TFT基板和对向基板的错位，在按压了对向基板的情况下缩短恢复的时间。在对向基板上形成有柱状衬垫，在TFT基板上形成有台座。在柱状衬垫的前端存在有凸部和凹部，与柱状衬垫的凹部对应形成有台座，凹部的端部开放，且与柱状衬垫的侧壁相连。因此，由于液体的配向膜材料贮留于凹部而配向膜不会较厚地形成，所以能够防止配向膜削减。由于柱状衬垫前端的凸部的存在，从而能够防止TFT基板和对向基板的错位，并且能够缩短从对向基板除去按压时的恢复时间。
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公开(公告)号：CN112313567B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201980042873.X
申请日：2019-05-24
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/13 , G02F1/13357 , G02F1/1343 , G03B7/095 , G03B9/08 , G03B30/00
Abstract: 提供一种能够实现窄边框化的电子设备。该电子设备具备：摄像头；第1偏振片；第2偏振片；位于所述第1偏振片与所述第2偏振片之间的液晶面板；以及控制所述液晶面板的控制器，所述液晶面板具有与所述摄像头重叠的第1区域以及第2区域，所述控制器对在所述第1区域以及所述第2区域透光的第1开口模式、和将所述第1区域的透射光量减少至比所述第2区域的透射光量少的第2开口模式进行控制。
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公开(公告)号：CN115621323A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202210811994.X
申请日：2022-07-11
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/786 , H01L29/45 , H01L29/49 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及半导体装置。根据一个实施方式，半导体装置具备：绝缘基板、配置于上述绝缘基板上的栅极、覆盖上述栅极的第一绝缘层、在上述栅极的正上方且配置于上述第一绝缘层上的氧化物半导体、与上述氧化物半导体相接的源极、以及与上述氧化物半导体相接的漏极，上述源极及上述漏极各自具备：与上述氧化物半导体相接的氧化物导电层、层叠于上述氧化物导电层上的第一金属层、由与上述第一金属层不同的材料形成且层叠于上述第一金属层上的第二金属层、以及由与上述第一金属层同一材料形成且层叠于上述第二金属层上的第三金属层。
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公开(公告)号：CN115377211A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210538580.4
申请日：2022-05-18
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L29/423 , H01L29/786 , H01L21/34
Abstract: 本发明提供一种可靠性优异的半导体装置。另外，提供一种能够廉价地制造的半导体装置的制造方法。半导体装置包括基板、基板上的氧化物半导体层、氧化物半导体层上的栅极绝缘层、栅极绝缘层上的金属氧化物层和金属氧化物层上的栅极电极，金属氧化物层的第1侧面在俯视时从栅极电极的第2侧面突出。在基板上形成氧化物半导体层，在氧化物半导体层上形成栅极绝缘膜，在栅极绝缘膜上形成金属氧化物膜，在金属氧化物膜上形成金属膜，在金属膜上形成抗蚀剂，通过将抗蚀剂作为掩模对金属膜和金属氧化物膜连续地进行湿蚀刻，来形成栅极电极和金属氧化物层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103515395B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201310237104.X
申请日：2013-06-08
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/77
CPC classification number: H01L27/1244 , H01L27/1225 , H01L27/1288 , H01L27/3244
Abstract: 本发明提供一种显示装置，具有：在透明基板上形成的栅电极、覆盖栅电极的栅极绝缘膜、在栅极绝缘膜上形成的氧化物半导体、夹着氧化物半导体的沟道区域并分离地形成的漏电极以及源电极、覆盖漏电极以及源电极的层间电容膜、在层间电容膜上形成的公共电极、以及与公共电极相对地形成的像素电极，该显示装置的特征在于，在氧化物半导体与漏电极以及源电极之间，形成覆盖所述沟道区域的蚀刻阻止层，漏电极是透明导电膜和金属膜层叠而成的层叠膜，漏电极以及源电极与氧化物半导体直接接触。
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公开(公告)号：CN116156933A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202211424123.9
申请日：2022-11-14
Applicant: 株式会社日本显示器
Inventor： 金子寿辉
IPC: H10K50/81 , H10K50/818
Abstract: 本实施方式的显示装置具备：基材、配置于上述基材之上的第1绝缘层、配置于上述第1绝缘层之上的下部电极、配置于上述下部电极之上并包含发光层的有机层、以及配置于上述有机层之上的上部电极，在进行了平面观察的情况下，上述下部电极具备：具有遍及整周而配置的接触区域的导电层、配置于上述导电层之上且配置于上述接触区域的内侧并对光进行反射的反射层、以及位于上述导电层以及上述反射层之上且与上述接触区域接触的透明电极。
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公开(公告)号：CN112313567A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN201980042873.X
申请日：2019-05-24
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/13 , G02F1/13357 , G02F1/1343 , G03B7/095 , G03B9/08 , G03B30/00
Abstract: 提供一种能够实现窄边框化的电子设备。该电子设备具备：摄像头；第1偏振片；第2偏振片；位于所述第1偏振片与所述第2偏振片之间的液晶面板；以及控制所述液晶面板的控制器，所述液晶面板具有与所述摄像头重叠的第1区域以及第2区域，所述控制器对在所述第1区域以及所述第2区域透光的第1开口模式、和将所述第1区域的透射光量减少至比所述第2区域的透射光量少的第2开口模式进行控制。
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公开(公告)号：CN102981315A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210336346.X
申请日：2012-09-05
Applicant: 株式会社日本显示器东
IPC: G02F1/1339 , G02F1/1337
CPC classification number: G02F1/13394 , G02F1/1337 , G02F2001/133519
Abstract: 本发明提供一种液晶显示装置，其使用柱状间隔物规定TFT基板与对置基板之间的间隔的，防止由于柱状间隔物与取向膜之间的摩擦导致取向膜被切削而产生亮点。TFT基板(100)并不具有有机钝化膜，而是在无机钝化膜(104)上形成柱状间隔物(150)。在对置基板(200)上覆盖黑色矩阵(201)、滤色片(202)，形成保护膜(203)，在保护膜(203)上，形成有凹凸底座(130)，并连接柱状间隔物(150)的顶端。由于柱状间隔物(150)的顶端和凹凸底座(130)的凸部上无取向膜(106)附着，因此TFT基板(100)或对置基板(200)发生水平位移也不会切削取向膜(106)。
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公开(公告)号：CN114497076A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111242644.8
申请日：2021-10-25
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 一种显示装置，具备：第一栅电极，配置于周边区域，且包含于栅极驱动器；第二栅电极，配置于显示区域，且与由栅极驱动器驱动的栅极线一体；第一氧化物半导体，配置于第一栅电极的上方；第二氧化物半导体，配置于第二栅电极的上方；第一源电极，在第二绝缘膜的第一开口处与第一氧化物半导体接触；第一漏电极，在第二绝缘膜的第二开口处与第一氧化物半导体接触；第二源电极，在第二绝缘膜的第三开口处与第二氧化物半导体接触；以及第二漏电极，在第二绝缘膜的第四开口处与第二氧化物半导体接触，第一开口与第二开口之间的第二绝缘膜和第一源电极的层叠体的长度大于第三开口与第四开口之间的第二绝缘膜和第二源电极的层叠体的长度。
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