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公开(公告)号：CN107492557B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201710426030.2
申请日：2017-06-08
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 一种半导体装置，具备：绝缘基板；第1半导体层，位于绝缘基板的上方；第2半导体层，位于绝缘基板的上方，由与第1半导体层不同的物质形成；绝缘层，位于绝缘基板的上方，覆盖第1半导体层与第2半导体层，并形成有贯通至第1半导体层的第1接触孔与贯通至第2半导体层的第2接触孔；阻挡层，覆盖第1接触孔内的第1半导体层与上述第2接触孔内的第2半导体层中的某一方，并具有导电性；以及第1导电层，与阻挡层接触。
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公开(公告)号：CN107785380B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201710735341.7
申请日：2017-08-24
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12
Abstract: 显示装置，具有：绝缘基板；具有在绝缘基板的上方设置的第1半导体层，及在第1半导体层的上方设置的第1电极的第1晶体管；在第1半导体层的上方设置的第1绝缘层；第2晶体管，具有在第1绝缘层的上方设置的第2半导体层、在第2半导体层的上方设置的第2电极、及位于第2半导体层与绝缘基板之间且与第2半导体层电连接的导电层，和在第1绝缘层及第2半导体层的上方设置的第2绝缘层，第1半导体层由硅形成，第2半导体层由氧化物半导体形成，第1电极在至少贯通第1绝缘层及第2绝缘层的第1贯通孔中与第1半导体层电连接，第2电极在至少贯通第2绝缘层的第2贯通孔中与导电层接触。显示装置能够使薄膜晶体管的电气特性稳定。
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公开(公告)号：CN107785380A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710735341.7
申请日：2017-08-24
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1203 , H01L51/0002 , H01L51/0094 , H01L51/5012 , H01L27/1225 , H01L27/1244
Abstract: 显示装置，具有：绝缘基板；具有在绝缘基板的上方设置的第1半导体层，及在第1半导体层的上方设置的第1电极的第1晶体管；在第1半导体层的上方设置的第1绝缘层；第2晶体管，具有在第1绝缘层的上方设置的第2半导体层、在第2半导体层的上方设置的第2电极、及位于第2半导体层与绝缘基板之间且与第2半导体层电连接的导电层，和在第1绝缘层及第2半导体层的上方设置的第2绝缘层，第1半导体层由硅形成，第2半导体层由氧化物半导体形成，第1电极在至少贯通第1绝缘层及第2绝缘层的第1贯通孔中与第1半导体层电连接，第2电极在至少贯通第2绝缘层的第2贯通孔中与导电层接触。显示装置能够使薄膜晶体管的电气特性稳定。
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公开(公告)号：CN107492557A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710426030.2
申请日：2017-06-08
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 一种半导体装置，具备：绝缘基板；第1半导体层，位于绝缘基板的上方；第2半导体层，位于绝缘基板的上方，由与第1半导体层不同的物质形成；绝缘层，位于绝缘基板的上方，覆盖第1半导体层与第2半导体层，并形成有贯通至第1半导体层的第1接触孔与贯通至第2半导体层的第2接触孔；阻挡层，覆盖第1接触孔内的第1半导体层与上述第2接触孔内的第2半导体层中的某一方，并具有导电性；以及第1导电层，与阻挡层接触。
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