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公开(公告)号：CN107785380B
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN201710735341.7
申请日：2017-08-24
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12
Abstract: 显示装置，具有：绝缘基板；具有在绝缘基板的上方设置的第1半导体层，及在第1半导体层的上方设置的第1电极的第1晶体管；在第1半导体层的上方设置的第1绝缘层；第2晶体管，具有在第1绝缘层的上方设置的第2半导体层、在第2半导体层的上方设置的第2电极、及位于第2半导体层与绝缘基板之间且与第2半导体层电连接的导电层，和在第1绝缘层及第2半导体层的上方设置的第2绝缘层，第1半导体层由硅形成，第2半导体层由氧化物半导体形成，第1电极在至少贯通第1绝缘层及第2绝缘层的第1贯通孔中与第1半导体层电连接，第2电极在至少贯通第2绝缘层的第2贯通孔中与导电层接触。显示装置能够使薄膜晶体管的电气特性稳定。
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公开(公告)号：CN107785380A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710735341.7
申请日：2017-08-24
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/1203 , H01L51/0002 , H01L51/0094 , H01L51/5012 , H01L27/1225 , H01L27/1244
Abstract: 显示装置，具有：绝缘基板；具有在绝缘基板的上方设置的第1半导体层，及在第1半导体层的上方设置的第1电极的第1晶体管；在第1半导体层的上方设置的第1绝缘层；第2晶体管，具有在第1绝缘层的上方设置的第2半导体层、在第2半导体层的上方设置的第2电极、及位于第2半导体层与绝缘基板之间且与第2半导体层电连接的导电层，和在第1绝缘层及第2半导体层的上方设置的第2绝缘层，第1半导体层由硅形成，第2半导体层由氧化物半导体形成，第1电极在至少贯通第1绝缘层及第2绝缘层的第1贯通孔中与第1半导体层电连接，第2电极在至少贯通第2绝缘层的第2贯通孔中与导电层接触。显示装置能够使薄膜晶体管的电气特性稳定。
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公开(公告)号：CN117042508A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202310469777.1
申请日：2023-04-27
Applicant: 株式会社日本显示器
Inventor： 石田有亲
IPC: H10K59/122 , H10K59/12 , H10K50/80 , H10K50/805 , H10K71/00 , G09F9/33
Abstract: 本发明提供一种显示装置。一实施方式的显示装置具备：下电极；覆盖所述下电极的一部分且具有与所述下电极重叠的像素开口的肋部；配置在所述肋部之上且包围所述像素开口的隔壁；与所述下电极相对置的上电极；以及有机层，其配置在所述下电极与所述上电极之间，根据所述下电极与所述上电极之间的电位差而发光。所述隔壁包括：导电性的下部，其具有包围所述像素开口的环状的侧面；以及具有从所述侧面突出的环状的突出部的上部。所述上电极与所述下部的所述侧面接触，所述突出部在整周上具有固定的宽度。
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公开(公告)号：CN116940156A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310418836.2
申请日：2023-04-19
Applicant: 株式会社日本显示器
Inventor： 石田有亲
IPC: H10K50/844 , H10K71/00 , H10K50/84 , H10K50/81 , H10K59/12
Abstract: 本发明涉及显示装置、显示装置的制造方法。一个实施方式涉及的显示装置具备：下电极；肋部，其覆盖所述下电极的端部，并具有使所述下电极的一部分露出的像素开口；隔壁，其配置在所述肋部之上；上电极，其与所述下电极相对，与所述隔壁接触；有机层，其配置在所述下电极与所述上电极之间，对应于所述下电极与所述上电极的电位差而发光；和密封层，其连续覆盖显示元件和所述隔壁，其中，所述显示元件包含所述下电极、所述上电极及所述有机层。所述密封层包含：第1部分，其位于所述肋部的上方，并具有第1厚度；和第2部分，其位于从所述像素开口通过而从所述肋部露出的所述下电极的上方，并具有比所述第1厚度小的第2厚度。
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公开(公告)号：CN105278196A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510408263.0
申请日：2015-07-13
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1368 , H01L29/786 , H01L29/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7869 , G02F1/1368 , G02F2001/13685 , G02F2202/104 , H01L27/1218 , H01L27/1225 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78696
Abstract: 一个实施方式的显示装置具备薄膜晶体管，该薄膜晶体管具备第一半导体层(12)、第一绝缘膜(14)、栅电极(WG)、第二绝缘膜(16)、第二半导体层(18)、第一电极及第二电极。间隔(T14)比间隔(T16)大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103996691A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410056603.3
申请日：2014-02-19
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H01L27/32 , H01L51/52 , G02F1/1333
CPC classification number: G02F1/1333 , G02F1/133351 , G02F2001/133302 , G02F2001/133354 , G02F2201/54 , H01L25/167 , H01L51/0097 , H01L2924/0002 , Y02E10/549 , H01L2924/00
Abstract: 一种显示装置，具备第1基板、第2基板和显示元件，上述第1基板具备：具有第1热膨胀系数的第1树脂基板，将上述第1树脂基板的内面覆盖、具有比上述第1热膨胀系数小的第2热膨胀系数的第1阻挡层，以及形成在上述第1阻挡层之上的开关元件；上述第2基板具备：由与上述第1树脂基板不同的材料形成且具有与上述第1热膨胀系数同等的第3热膨胀系数的第2树脂基板，以及将上述第2树脂基板的内面覆盖、具有比上述第3热膨胀系数小且与上述第1热膨胀系数同等的第4热膨胀系数的第2阻挡层；上述显示元件位于上述第1树脂基板与上述第2树脂基板之间，并且包含与上述开关元件电连接的像素电极。
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公开(公告)号：CN119584795A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411189390.1
申请日：2024-08-28
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明提供一种显示装置以及显示装置的制造方法。根据一个实施方式，显示装置具备：基板、配置在基板的上方的下电极；覆盖下电极的周缘部的无机绝缘层；隔壁，其具有在无机绝缘层之上配置且具有导电性的下部、和在下部之上配置且从下部的侧面突出的上部；配置在下电极之上的有机层；以及上电极，其配置在有机层之上，且与下部接触，有机层具有与隔壁分离且与下电极相接的空穴注入层、配置在空穴注入层之上且包含第1发光层在内的第1中间层、与隔壁分离且配置在第1中间层之上的第1电荷产生层、以及配置在第1电荷产生层之上且包含第2发光层在内的第2中间层，空穴注入层以及第1电荷产生层彼此分离、且均与上电极分离。
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公开(公告)号：CN116940166A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310425254.7
申请日：2023-04-20
Applicant: 株式会社日本显示器
Inventor： 石田有亲
IPC: H10K59/12 , H10K59/80 , H10K71/00 , H10K50/805
Abstract: 本发明涉及显示装置、显示装置的制造方法。一个实施方式涉及的显示装置具备：下电极；肋部，其覆盖所述下电极的一部分、具有与所述下电极重叠的像素开口；上电极，其与所述下电极相对；和有机层，其配置在所述下电极与所述上电极之间、对应于所述下电极与所述上电极之间的电位差而发光。所述下电极包含：金属层，其具有由所述肋部覆盖的第1周缘部、以及通过所述像素开口而从所述肋部露出的第1中央部；和导电性氧化物层，其具有位于所述肋部之上的第2周缘部、以及通过所述像素开口而与所述第1中央部接触的第2中央部。
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公开(公告)号：CN117441225A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202280040757.6
申请日：2022-05-31
IPC: H01L21/203 , H01L33/16 , H01L29/812 , H01L29/808 , H01L29/778 , H01L21/338 , H01L21/337 , H01L21/20 , C30B29/40 , C30B29/38
Abstract: 本发明提供促进GaN层的高品质晶体生长的层叠体及层叠体的制造方法。层叠体具有非晶质玻璃基板和形成于非晶质玻璃基板之上的AlN层，AlN层在非晶质玻璃基板上沿c轴取向，非晶质玻璃基板的玻璃化转变温度(Tg)为720℃以上810℃以下，非晶质玻璃基板的热膨胀系数(CTE)为3.5×10‑6[1/K]以上4.0×10‑6[1/K]以下，非晶质玻璃基板的软化点为950℃以上1050℃以下。
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公开(公告)号：CN105589249B
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201510751532.3
申请日：2015-11-06
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: G02F1/1335 , G02F1/13363
Abstract: 本发明提供一种反射型显示装置，能够抑制因外部光的入射而导致的薄膜晶体管的漏光。阵列基板(13)具备玻璃基板(21)、多个薄膜晶体管(22)、多个像素电极(27)、金属膜(25)。多个薄膜晶体管(22)设置于玻璃基板(21)。多个像素电极(27)相互隔开间隔设置，且由薄膜晶体管(22)驱动。多个像素电极(27)对从对置基板侧入射的外部光(L)进行反射。金属膜(25)设置在像素电极(27、27)的间隔与薄膜晶体管(22)之间。
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