公开(公告)号：CN1174406A

公开(公告)日：1998-02-25

申请号：CN97117377.X

申请日：1997-08-12

Applicant: 株式会社日立制作所 ,  株式会社日立微计算机系统

Inventor： 桥本直孝 ,  竹田敏文 ,  佐佐木恭 ,  松井俊一 ,  三浦弥一郎

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/08

CPC classification number: H01L27/11526 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/7684 ,  H01L27/105 ,  H01L27/10852 ,  H01L27/10894 ,  H01L27/11531

Abstract: 为防止存储单元MISFET栅极上导电膜图形化时因过刻蚀而引起外围电路栅极氧化膜的削减,在半导体衬底1主面的存储单元上形成闪速存储器的浮置栅极导电层图形50a之后,在半导体衬底1主面的存储单元和外围电路上形成膜厚(b)比导电层图形50a与栅极氧化膜42之间的台阶高度(a)还大的多晶硅膜52。之后,用CMP法使多晶硅膜52平坦化以消除导电层图形50a上部的多晶硅膜52与栅极氧化膜31,42的上部的多晶硅膜52之间的台阶。

公开(公告)号：CN1123956A

公开(公告)日：1996-06-05

申请号：CN95106069.4

申请日：1995-05-12

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 铃木尔 ,  奥山幸祐 ,  竹田敏文 ,  久保田胜彦

IPC: H01L21/82

Abstract: 当对具有耐熔件的FPGA(现场可编程门阵列)进行编程时，每个耐熔件都由依在半导体基片的主表面上的次序顺序构成的TiW下电极、非晶硅构成的绝缘薄膜以及TiW上电极构成，将DC电压加在用于编程的耐熔件上，然后将AC电压加在耐熔件上，以便AC电流通过耐熔件，使得耐熔件的导通部分的机械强度提高。

公开(公告)号：CN1306613C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN02823476.6

申请日：2002-11-21

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 石典男 ,  熊谷幸博 ,  三浦英生 ,  池田修二 ,  竹田敏文 ,  太田裕之

IPC: H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/7846 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/7842

Abstract: 本发明的目的在于提供半导体器件及制造方法，半导体器件具有n沟道型场效应晶体管和p沟道型场效应晶体管，漏极电流特性优良、可靠性高。用于实现该目的的本发明的核心在于，在形成了n沟道型场效应晶体管的有源的槽侧壁上设置氮化硅膜，而且在p沟道型场效应晶体管的有源的槽侧壁上仅在与沟道方向垂直的方向上设置氮化硅膜。根据本发明，可以提供电流特性优良的具有n沟道型场效应晶体管和p沟道型场效应晶体管的半导体器件。

公开(公告)号：CN1505839A

公开(公告)日：2004-06-16

申请号：CN01820204.7

申请日：2001-12-06

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 熊谷幸博 ,  太田裕之 ,  三浦英生 ,  大塚文雄 ,  一濑胜彦 ,  池田修二 ,  竹田敏文 ,  尾内亨裕

IPC: H01L27/092

CPC classification number: H01L29/7842 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体器件，具有n沟道型场效应晶体管和p沟道型场效应晶体管，其中该两个晶体管都具有优异的漏电流特性。具有n沟道型场效应晶体管(10)和p沟道型场效应晶体管(30)的半导体器件包括用作涂敷n沟道型场效应晶体管(10)的栅电极(15)的应力控制膜(19)的膜，其膜应力偏移到拉应力。该器件还包括用作涂敷p沟道型场效应晶体管(30)的栅电极(35)的应力控制膜(39)的膜，其膜应力更多的是压应力而不是n沟道型场效应晶体管(10)的膜(19)那样的应力。这样，期望n沟道型和p沟道型晶体管来改善漏电流。因此，整体的特性得到改善。

公开(公告)号：CN86103174A

公开(公告)日：1986-11-19

申请号：CN86103174

申请日：1986-05-07

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 小池淳义 ,  目黑怜 ,  池田修二 ,  竹田敏文

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/72 ,  H01L29/76 ,  H01L21/02 ,  H01L21/70 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L23/5283 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的多层布线半导体器件，是在下层金属布线层的侧面形成绝缘材料构成的侧墙，利用该侧墙表面的斜坡形状得以使下层金属布线层侧面的台阶突变趋于缓和，由此结构可以防止上层金属布线层的断裂及蚀刻不干净，防止下层金属布线层出现异常析出小丘，从而获得高可靠性的多层布线构造。

公开(公告)号：CN100382315C

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN01820204.7

申请日：2001-12-06

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 熊谷幸博 ,  太田裕之 ,  三浦英生 ,  大塚文雄 ,  一濑胜彦 ,  池田修二 ,  竹田敏文 ,  尾内亨裕

IPC: H01L27/092

CPC classification number: H01L29/7842 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/092

Abstract: 一种半导体器件，具有n沟道型场效应晶体管和p沟道型场效应晶体管，其中该两个晶体管都具有优异的漏电流特性。具有n沟道型场效应晶体管(10)和p沟道型场效应晶体管(30)的半导体器件包括用作涂敷n沟道型场效应晶体管(10)的栅电极(15)的应力控制膜(19)的膜，其膜应力偏移到拉应力。该器件还包括用作涂敷p沟道型场效应晶体管(30)的栅电极(35)的应力控制膜(39)的膜，其膜应力更多的是压应力而不是n沟道型场效应晶体管(10)的膜(19)那样的应力。这样，期望n沟道型和p沟道型晶体管来改善漏电流。因此，整体的特性得到改善。

公开(公告)号：CN1592969A

公开(公告)日：2005-03-09

申请号：CN02823476.6

申请日：2002-11-21

Applicant: 株式会社日立制作所

Inventor： 石塚典男 ,  熊谷幸博 ,  三浦英生 ,  池田修二 ,  竹田敏文 ,  太田裕之

IPC: H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/7846 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/7842

Abstract: 本发明的目的在于提供半导体器件及制造方法，半导体器件具有n沟道型场效应晶体管和p沟道型场效应晶体管，漏极电流特性优良、可靠性高。用于实现该目的的本发明的核心在于，在形成了n沟道型场效应晶体管的有源的槽侧壁上设置氮化硅膜，而且在p沟道型场效应晶体管的有源的槽侧壁上仅在与沟道方向垂直的方向上设置氮化硅膜。根据本发明，可以提供电流特性优良的具有n沟道型场效应晶体管和p沟道型场效应晶体管的半导体器件。