公开(公告)号：CN103477182A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201180070255.X

申请日：2011-04-21

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 太田裕之 ,  芦田喜章 ,  宫岛健太郎

IPC分类号： G01B7/16

CPC分类号： H01L41/04 ,  G01B7/18 ,  G01L1/2206 ,  G01L1/2293 ,  G01M5/0033 ,  G01M5/0083

摘要： 本发明提供一种力学量测定装置、半导体装置、剥离感知装置以及模块。力学量测定装置(100)中，能测定作用于半导体基板(1)的力学量的测定部(7)设置在半导体基板(1)的中央部(1c)，半导体基板(1)被粘贴于被测定物并间接地测定作用于被测定物的力学量，其中，在半导体基板(1)的中央部(1c)的外侧的外周部(1e)具有形成以互相靠近的方式在至少一个位置集中的集合(5)的多个杂质扩散电阻(3a、3b、4a、4b)，形成集合(5)之一的多个杂质扩散电阻(3a、3b、4a、4b)被互相连接并形成惠斯通电桥(2a、2b)。由此，力学量测定装置(100)能够可靠地感知自身的剥离。

公开(公告)号：CN100411172C

公开(公告)日：2008-08-13

申请号：CN200410081801.1

申请日：2004-12-30

申请人： 株式会社日立制作所 ,  尔必达存储器株式会社

发明人： 谷江尚史 ,  久野奈柄 ,  太田裕之 ,  池田博明 ,  安生一郎 ,  片桐光昭 ,  渡边祐二

IPC分类号： H01L25/10

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 课题在于提供可以降低动作时的温度上升的半导体器件。把接口芯片(2)叠层到叠层起来的多个半导体元件(1)的上面。在多个半导体元件(1)的下面，配置Si内插板(3)和树脂基板内插板(4)。Si内插板(3)配置在树脂内插板(4)与多个半导体元件(1)之间，厚度比半导体元件(1)的厚度更厚，而且，具有小于树脂内插板(4)的线膨胀系数，大于等于多个半导体元件(1)的线膨胀系数的线膨胀系数。

公开(公告)号：CN1306613C

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN02823476.6

申请日：2002-11-21

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 石典男 ,  熊谷幸博 ,  三浦英生 ,  池田修二 ,  竹田敏文 ,  太田裕之

IPC分类号： H01L27/08 ,  H01L27/092 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L29/7846 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L29/7842

摘要： 本发明的目的在于提供半导体器件及制造方法，半导体器件具有n沟道型场效应晶体管和p沟道型场效应晶体管，漏极电流特性优良、可靠性高。用于实现该目的的本发明的核心在于，在形成了n沟道型场效应晶体管的有源的槽侧壁上设置氮化硅膜，而且在p沟道型场效应晶体管的有源的槽侧壁上仅在与沟道方向垂直的方向上设置氮化硅膜。根据本发明，可以提供电流特性优良的具有n沟道型场效应晶体管和p沟道型场效应晶体管的半导体器件。

公开(公告)号：CN1299344C

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN200410042010.8

申请日：1999-03-18

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 河野竜治 ,  北野诚 ,  三浦英生 ,  太田裕之 ,  远藤喜重 ,  原田武 ,  金丸昌敏 ,  明石照久 ,  细金敦 ,  有贺昭彦 ,  伴直人

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/28

CPC分类号： G01R1/07314 ,  G01R1/06744 ,  G01R3/00 ,  G01R31/2863

摘要： 一种半导体器件的测试设备，包括：设在第一平片部分上且形成在所述第一平片部分一主表面上的凸出部，用于与被测半导体器件的电极相连；在与所述主表面相反的表面上设置的焊接点；和电连接所述凸出部和所述焊接点的导电部件，其中，所述第一平片部分上形成有凸出部的区域比其它区域易于变形，并且，其中，形成有所述凸出部的区域的第一平片部分厚度比其它区域的第一平片部分厚度薄。

公开(公告)号：CN1421932A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN02152632.X

申请日：2002-11-26

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 熊谷幸博 ,  三浦英生 ,  太田裕之 ,  三岛通宏 ,  中西克之

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L27/108 ,  H01L29/772 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L29/7842 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823481 ,  H01L27/10873 ,  H01L27/10897

摘要： 本发明的目的在于在具有使用特性相同的多个场效应晶体管的电路的半导体器件中，提供晶体管特性优良的可靠性高的半导体器件。采用在该晶体管中，把与已形成了理想的是特性相同的晶体管的有源区相邻的浅沟元件隔离的沟宽作成为相同的办法，使得归因于相邻的浅沟元件隔离而在有源区内产生的应力，在该晶体管彼此间变成为相同，因而具有可以得到相同特性晶体管的效果。

公开(公告)号：CN101046368A

公开(公告)日：2007-10-03

申请号：CN200710078957.8

申请日：2007-02-16

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 岛津浩美 ,  太田裕之 ,  丹野洋平

IPC分类号： G01B7/16 ,  G01L1/18 ,  G01L1/22

CPC分类号： G01L1/2293 ,  G01B7/18 ,  G01L1/18

摘要： 本发明提供一种力学量测定装置，可以高精度地测定特定方向的应变分量。该力学量测定装置在半导体单晶基板、半导体芯片内至少形成两组以上的电桥电路，在上述电桥电路中，一个电桥电路形成流有电流并测定电阻值变动的方向(长边方向)与该半导体单晶基板的(100)方向平行的n型扩散电阻，另一个电桥电路组合形成与(110)方向平行的p型扩散电阻。

公开(公告)号：CN1665027A

公开(公告)日：2005-09-07

申请号：CN200410081801.1

申请日：2004-12-30

申请人： 株式会社日立制作所 ,  尔必达存储器株式会社

发明人： 谷江尚史 ,  久野奈柄 ,  太田裕之 ,  池田博明 ,  安生一郎 ,  片桐光昭 ,  渡边祐二

IPC分类号： H01L25/10

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 课题在于提供可以降低动作时的温度上升的半导体器件。把接口芯片2叠层到叠层起来的多个半导体元件1的上面。在多个半导体元件1的下面，配置Si内插板3和树脂基板内插板4。Si内插板3配置在树脂内插板4与多个半导体元件1之间，厚度比半导体元件1的厚度更厚，而且，具有小于树脂内插板4的线膨胀系数，大于等于多个半导体元件1的线膨胀系数的线膨胀系数。

公开(公告)号：CN1207767C

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN99120217.1

申请日：1999-09-17

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 河野龙治 ,  有贺昭彦 ,  三浦英生 ,  太田裕之 ,  远藤喜重 ,  金丸昌敏 ,  细金敦 ,  田中伸司 ,  伴直人 ,  青木英之

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/68 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L21/6836 ,  H01L22/20 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00

摘要： 半导体器件的制造方法、有效检查由切割分离的分立LSI芯片的半导体器件的检查方法以及在所述方法中使用的夹具。从半导体晶片上切割大量的LSI芯片之后，在检查步骤中，使用由热膨胀系数近似等于LSI芯片的材料形成的所述夹具重新排列和集成预定数量的芯片，在随后的检查步骤中，对集成的预定数量的芯片进行预定的检查工艺，由此可以提高检查效率并减少检查成本。

公开(公告)号：CN1538515A

公开(公告)日：2004-10-20

申请号：CN200410042010.8

申请日：1999-03-18

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 河野竜治 ,  北野诚 ,  三浦英生 ,  太田裕之 ,  远藤喜重 ,  原田武 ,  金丸昌敏 ,  明石照久 ,  细金敦 ,  有贺昭彦 ,  伴直人

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/28

CPC分类号： G01R1/07314 ,  G01R1/06744 ,  G01R3/00 ,  G01R31/2863

摘要： 用于制造半导体器件的工艺过程包括为了以大范围一次全部的方式测试被测物中的导电焊接点把具有数量与被测物中的测试目标区域上形成测试目标导电体的数量相等的电学上独立的凸出部的测试装置主体部分压向被测物的电特性测试步骤。

公开(公告)号：CN1293824A

公开(公告)日：2001-05-02

申请号：CN99804201.3

申请日：1999-03-18

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 河野竜治 ,  北野诚 ,  三浦英生 ,  太田裕之 ,  远藤喜重 ,  原田武 ,  金丸昌敏 ,  明石照久 ,  细金敦 ,  有贺昭彦 ,  伴直人

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： G01R1/07314 ,  G01R1/06744 ,  G01R3/00 ,  G01R31/2863

摘要： 用于制造半导体器件的工艺过程包括为了以大范围一次全部的方式测试被测物中的导电焊接点把具有数量与被测物中的测试目标区域上形成测试目标导电体的数量相等的电学上独立的凸出部的测试装置主体部分压向被测物的电特性测试步骤。