公开(公告)号：CN85101390B

公开(公告)日：1988-02-17

申请号：CN85101390

申请日：1985-04-01

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 八尾勉 ,  长野隆洋 ,  及川三郎 ,  佐藤行正 ,  木村新 ,  福井宏

IPC分类号： H01L29/74

摘要： 电流控制半导体器件中，半导体基片一个主表面的基区有许多发射极条状区，第一电流电极与条状区欧姆接触，第二电流电极与基片另一主表面欧姆接触，第一控制电极与条状区一端基区欧姆接触连到控制端，第二控制电极与条状区另一端基区欧姆接触，仅通过基区电阻电连接第一控制电极，基片上有加速偏压装置，切断电流时，把低于条状区电导区加速偏置到另一端。加速偏压可为条状区末端电流旁路区，补偿第一和第二电流电极的结构等等。

公开(公告)号：CN85101390A

公开(公告)日：1987-01-10

申请号：CN85101390

申请日：1985-04-01

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 八尾勉 ,  长野隆洋 ,  及川三郎 ,  佐藤行正 ,  木村新 ,  福井宏

IPC分类号： H01L29/74

摘要： 电流控制半导体器件中，半导体基片一个主表面的基区有许多发射极条状区，第一电流电极与条状区欧姆接触，第二电流电极与基片另一主表面欧姆接触，第一控制电极与条状区一端基区欧姆接触连到控制端，第二控制电极与条状区另一端基区欧姆接触，仅通过基区电阻电连接第一控制电极。基片上有加速偏压装置，切断电流时，把低于条状区电导区加速偏置到另一端，加速偏压可为条状区末端电流旁路区，补偿第一和第二电流电极的结构等等。

公开(公告)号：CN1004736B

公开(公告)日：1989-07-05

申请号：CN85108969

申请日：1985-10-16

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 渡边笃雄 ,  长野隆洋 ,  池田隆英 ,  门马直弘 ,  斋藤隆一

IPC分类号： H01L29/28 ,  H01L29/72 ,  H01L27/06

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/74 ,  H01L21/76205 ,  H01L21/763 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/092

摘要： 一具有n型和P型陷井区的单片互补半导体器件，其n型和P型陷井区是由介电隔离区从表面延伸到衬底分离开的。陷井区包括在其底部的高掺杂的埋层区，并将陷井中的有源区与衬底区分离开。隔离区比埋层区深。陷井到陷井的隔离是由埋层区和深解电隔离区的结合增强的，封装密度和工作速度也可得到改善。

公开(公告)号：CN85108969A

公开(公告)日：1986-05-10

申请号：CN85108969

申请日：1985-10-16

申请人： 株式会社日立制作所

发明人： 渡边笃雄 ,  长野隆洋 ,  池田隆英 ,  门马直弘 ,  斋藤隆一

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/72 ,  H01L27/06

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L21/74 ,  H01L21/76205 ,  H01L21/763 ,  H01L21/823892 ,  H01L27/0623 ,  H01L27/092

摘要： 一具有n型和P型陷井区的单片互补半导体器件，其n型和P型陷井区是由介电隔离区从表面延伸到衬底分离开的。陷井区包括在其底部的高掺杂的埋层区，并将陷井中的有源区与衬底区分离开。隔离区比埋层区深。陷井到陷井的隔离是由埋层区和深解电隔离区的结合增强的，封装密度和工作速度也可得到改善。