电压驱动开关元件的栅极驱动电路

    公开(公告)号:CN1136647C

    公开(公告)日:2004-01-28

    申请号:CN99122878.2

    申请日:1999-12-03

    IPC分类号: H02M1/08 H03K17/16

    CPC分类号: H03K17/168 H03K17/163

    摘要: 一种电压驱动开关切换元件的栅极驱动电路,当IGBT通过控制切换时间的增加和IGBT的损耗而切换时为了控制di/dt和dv/dt,设置了对控制含IGBT的电压驱动开关切换装置的开关切换操作的信号进行放大的驱动装置、检测IGBT栅极电压的装置以及随着时间推移当驱动装置导通(截止)时缓慢减小(增大)输出电压的电压减小(增大)装置,根据IGBT的栅极电压的检测值,通过从电压减小(增大)装置切换到电压增大(减小)装置,能够控制IGBT导通(截止)时的di/dt和dv/dt。

    具有控制电极的半导体器件

    公开(公告)号:CN85101390B

    公开(公告)日:1988-02-17

    申请号:CN85101390

    申请日:1985-04-01

    IPC分类号: H01L29/74

    摘要: 电流控制半导体器件中,半导体基片一个主表面的基区有许多发射极条状区,第一电流电极与条状区欧姆接触,第二电流电极与基片另一主表面欧姆接触,第一控制电极与条状区一端基区欧姆接触连到控制端,第二控制电极与条状区另一端基区欧姆接触,仅通过基区电阻电连接第一控制电极,基片上有加速偏压装置,切断电流时,把低于条状区电导区加速偏置到另一端。加速偏压可为条状区末端电流旁路区,补偿第一和第二电流电极的结构等等。

    具有控制电极的半导体器件

    公开(公告)号:CN85101390A

    公开(公告)日:1987-01-10

    申请号:CN85101390

    申请日:1985-04-01

    IPC分类号: H01L29/74

    摘要: 电流控制半导体器件中,半导体基片一个主表面的基区有许多发射极条状区,第一电流电极与条状区欧姆接触,第二电流电极与基片另一主表面欧姆接触,第一控制电极与条状区一端基区欧姆接触连到控制端,第二控制电极与条状区另一端基区欧姆接触,仅通过基区电阻电连接第一控制电极。基片上有加速偏压装置,切断电流时,把低于条状区电导区加速偏置到另一端,加速偏压可为条状区末端电流旁路区,补偿第一和第二电流电极的结构等等。

    电压驱动开关元件的栅极驱动电路

    公开(公告)号:CN1256556A

    公开(公告)日:2000-06-14

    申请号:CN99122878.2

    申请日:1999-12-03

    IPC分类号: H03K17/16 H02M1/08

    CPC分类号: H03K17/168 H03K17/163

    摘要: 一种电压驱动开关切换元件的栅极驱动电路,当IGBT通过控制切换时间的增加和IGBT的损耗而切换时为了控制di/dt和dv/dt,设置了对控制含IGBT的电压驱动开关切换装置的开关切换操作的信号进行放大的驱动装置、检测IGBT栅极电压的装置以及随着时间推移当驱动装置导通(截止)时缓慢减小(增大)输出电压的电压减小(增大)装置,根据IGBT的栅极电压的检测值,通过从电压减小(增大)装置切换到电压增大(减小)装置,能够控制IGBT导通(截止)时的di/dt和dv/dt。

    开关元件的冲击电压保护电路及电力变换装置

    公开(公告)号:CN1041673C

    公开(公告)日:1999-01-13

    申请号:CN96109274.2

    申请日:1996-08-01

    IPC分类号: H02M1/00 H03K17/08

    摘要: 第1缓冲二极管Ds1和第1电容器C1的串联电路连接在IGBTQ1的输入输出端之间,在Ds1上并联连接由第2电容器C2、第2二极管Ds2、电阻R1构成的充电放电电路装置。随着IGBTQ1的接通动作,形成从C1经IGBTQ1及充电放电电路装置返回C1的闭合回路,使电压对充电放电电路装置的C2充电,并以该充电电压使Ds1反向偏置,而随着IGBTQ1的断开动作,使C2所充的电压放电,在切断相同电流时能减小施加在IGBTQ1上的电压。