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公开(公告)号：CN101227863B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200680026787.2
申请日：2006-01-30
申请人： 株式会社日立医药
IPC分类号： A61B8/00
CPC分类号： A61B8/4483 , A61B8/08 , A61B8/4281 , B06B1/0292 , G01N29/2431 , G01S15/00
摘要： 以隔膜型的电声转换元件(101)为基本单位构成的超声波阵列换能器的接收灵敏度因漏泄等导致的电荷蓄积量的经时变化，主射束灵敏度偏移，导致声音噪声等级的上升引起声音SN比恶化或超声波射束的定向性恶化。故设置电荷蓄积控制部(电荷蓄积监视器(211))，进行电声转换元件(101)中电荷蓄积量的控制。以蓄积电荷监测部(102)监视电荷蓄积量的变化，在电荷蓄积量的变化小时，例如在控制部(104)中通过乘以与变化量对应的修正系数，从而进行送波或受波灵敏度的修正，再有在电荷蓄积量的变化大时，例如也可由蓄积电荷注入部(103)进行电荷的再注入。通过由控制部(104)来控制以上一系列动作，尤其修正多个元件间的经时变化的不同引起的灵敏度偏差。
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公开(公告)号：CN101227863A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200680026787.2
申请日：2006-01-30
申请人： 株式会社日立医药
IPC分类号： A61B8/00
CPC分类号： A61B8/4483 , A61B8/08 , A61B8/4281 , B06B1/0292 , G01N29/2431 , G01S15/00
摘要： 以隔膜型的电声转换元件(101)为基本单位构成的超声波阵列换能器的接收灵敏度因漏泄等导致的电荷蓄积量的经时变化，主射束灵敏度偏移，导致声音噪声等级的上升引起声音SN比恶化或超声波射束的定向性恶化。故设置电荷蓄积控制部(电荷蓄积监视器(211))，进行电声转换元件(101)中电荷蓄积量的控制。以蓄积电荷监测部(102)监视电荷蓄积量的变化，在电荷蓄积量的变化小时，例如在控制部(104)中通过乘以与变化量对应的修正系数，从而进行送波或受波灵敏度的修正，再有在电荷蓄积量的变化大时，例如也可由蓄积电荷注入部(103)进行电荷的再注入。通过由控制部(104)来控制以上一系列动作，尤其修正多个元件间的经时变化的不同引起的灵敏度偏差。
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公开(公告)号：CN103350064A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201310065801.1
申请日：2008-01-23
CPC分类号： B06B1/0292 , A61B8/00 , A61B8/4483 , A61B2562/028
摘要： 本发明公开了一种静电容量式传感器以及超声波摄像装置。对cMUT元件阵列赋予均一并且稳定的特性，实现声学特性的提高。在元件（102）中追加设置用于切断元件的移位、振动以及信号收发的信号切断部，该元件（102）位于作为能够进行通常的收发的传感器而被设计并制造的、cMUT元件的二维阵列（101）的最外周部或端部的位置。
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公开(公告)号：CN101669375A
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200880013778.9
申请日：2008-01-23
CPC分类号： B06B1/0292 , A61B8/00 , A61B8/4483 , A61B2562/028
摘要： 对cMUT元件阵列赋予均一并且稳定的特性，实现声学特性的提高。在元件(102)中追加设置用于切断元件的移位、振动以及信号收发的信号切断部，该元件(102)位于作为能够进行通常的收发的传感器而被设计并制造的、cMUT元件的二维阵列(101)的最外周部或端部的位置。
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公开(公告)号：CN101669375B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN200880013778.9
申请日：2008-01-23
CPC分类号： B06B1/0292 , A61B8/00 , A61B8/4483 , A61B2562/028
摘要： 对cMUT元件阵列赋予均一并且稳定的特性，实现声学特性的提高。在元件(102)中追加设置用于切断元件的移位、振动以及信号收发的信号切断部，该元件(102)位于作为能够进行通常的收发的传感器而被设计并制造的、cMUT元件的二维阵列(101)的最外周部或端部的位置。
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