公开(公告)号：CN1701417A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200480000982.9

申请日：2004-02-20

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 尾崎贵志 ,  谷山智志 ,  宇波博志 ,  前田喜世彦 ,  森田慎也 ,  高岛义和 ,  久门佐多雄

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/4409 ,  C23C16/4401 ,  C30B25/08

Abstract: 化学汽相淀积装置具有用于处理晶片(1)的反应炉(39)；用于气密地密封反应炉的密封罩(20)；密封罩(20)对面的隔离凸缘(42)；由密封罩(20)、隔离凸缘(42)和反应炉(39)壁表面形成的小室(43)；用于给小室(43)供给第一气体的供给管(19b)；小室(43)提供的流出通道(42a)，用于使第一气体流入反应炉(39)；和从流出通道(42a)下游向反应炉(39)供给第二气体的供给管(19a)。阻止诸如NH4Cl的副产品附着于诸如炉口的低温部分，并因此提高了半导体器件制造的合格率。

公开(公告)号：CN1701417B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200480000982.9

申请日：2004-02-20

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 尾崎贵志 ,  谷山智志 ,  宇波博志 ,  前田喜世彦 ,  森田慎也 ,  高岛义和 ,  久门佐多雄

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/4409 ,  C23C16/4401 ,  C30B25/08

Abstract: 化学汽相淀积装置具有用于处理晶片(1)的反应炉(39)；用于气密地密封反应炉的密封罩(20)；密封罩(20)对面的隔离凸缘(42)；由密封罩(20)、隔离凸缘(42)和反应炉(39)壁表面形成的小室(43)；用于给小室(43)供给第一气体的供给管(19b)；小室(43)提供的流出通道(42a)，用于使第一气体流入反应炉(39)；和从流出通道(42a)下游向反应炉(39)供给第二气体的供给管(19a)。阻止诸如NH4C1的副产品附着于诸如炉口的低温部分，并因此提高了半导体器件制造的合格率。