公开(公告)号：CN102312213B

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201110196970.X

申请日：2011-07-08

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 石桥清久 ,  森谷敦 ,  野田孝晓 ,  前田喜世彦

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  C23C16/22 ,  H01L21/205 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02532 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/67781

Abstract: 本发明涉及制造半导体器件的方法和衬底处理装置，该方法包括：将第一衬底和第二衬底以第二衬底被布置成面对第一衬底的相对表面的状态运输输送到处理腔中，该第一衬底提供有拥有具有绝缘体区域和暴露在绝缘体区域之间的半导体区域的相对表面，该第二衬底提供有拥有朝向第一衬底的相对表面而暴露的绝缘体表面；以及通过对处理腔的内部进行加热和向处理腔中供应至少含硅气体和含氯气体，至少在第一衬底的相对表面的半导体区域上选择性地形成具有平整表面的含硅膜。

公开(公告)号：CN1868042A

公开(公告)日：2006-11-22

申请号：CN200480030072.5

申请日：2004-11-19

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 笠原修 ,  前田喜世彦 ,  米田秋彦

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01J37/32834 ,  C23C16/4401 ,  H01J2237/022 ,  H01L21/3185 ,  Y10S438/935

Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法，在衬底装入步骤时或/和衬底取出步骤时，能从反应室内有效地排除粉粒。在将晶片(200)装入反应室(201)的步骤或/和取出晶片(200)的步骤中，以比处理晶片(200)的步骤中的排气流量大的排气流量使反应室(201)排气。在装入上述晶片(200)的步骤或/和取出晶片(200)的步骤中，最好边向上述反应室(201)内导入惰性气体边进行排气。

公开(公告)号：CN1701417B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200480000982.9

申请日：2004-02-20

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 尾崎贵志 ,  谷山智志 ,  宇波博志 ,  前田喜世彦 ,  森田慎也 ,  高岛义和 ,  久门佐多雄

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/4409 ,  C23C16/4401 ,  C30B25/08

Abstract: 化学汽相淀积装置具有用于处理晶片(1)的反应炉(39)；用于气密地密封反应炉的密封罩(20)；密封罩(20)对面的隔离凸缘(42)；由密封罩(20)、隔离凸缘(42)和反应炉(39)壁表面形成的小室(43)；用于给小室(43)供给第一气体的供给管(19b)；小室(43)提供的流出通道(42a)，用于使第一气体流入反应炉(39)；和从流出通道(42a)下游向反应炉(39)供给第二气体的供给管(19a)。阻止诸如NH4C1的副产品附着于诸如炉口的低温部分，并因此提高了半导体器件制造的合格率。

公开(公告)号：CN101807525B

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201010145606.6

申请日：2004-08-25

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 尾崎贵志 ,  汤浅和宏 ,  前田喜世彦

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法及衬底处理装置。本发明的半导体制造方法包括以下步骤：将多张衬底搬入反应管内的步骤；在所述反应管内的压力低于大气压的状态下向所述反应管内供给含氧气体与含氢气体对所述多张衬底进行氧化处理的步骤；以及将所述氧化处理后的所述多张衬底从所述反应管搬出的步骤。本发明的衬底处理装置包括：氧化处理多张衬底的反应管；对所述反应管内壁以及所述反应管内进行加热的加热源；在所述反应管内保持所述多张衬底的保持器具；含氧气体供给管路；含氢气体供给管路；排气管路；真空泵；以及将所述反应管内的压力控制为低于大气压的控制单元。

公开(公告)号：CN102312213A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110196970.X

申请日：2011-07-08

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 石桥清久 ,  森谷敦 ,  野田孝晓 ,  前田喜世彦

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/24 ,  C23C16/22 ,  H01L21/205 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02532 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4583 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/67781

Abstract: 本发明涉及制造半导体器件的方法和衬底处理装置，该方法包括：将第一衬底和第二衬底以第二衬底被布置成面对第一衬底的相对表面的状态运输输送到处理腔中，该第一衬底提供有拥有具有绝缘体区域和暴露在绝缘体区域之间的半导体区域的相对表面，该第二衬底提供有拥有朝向第一衬底的相对表面而暴露的绝缘体表面；以及通过对处理腔的内部进行加热和向处理腔中供应至少含硅气体和含氯气体，至少在第一衬底的相对表面的半导体区域上选择性地形成具有平整表面的含硅膜。

公开(公告)号：CN101807525A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN201010145606.6

申请日：2004-08-25

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 尾崎贵志 ,  汤浅和宏 ,  前田喜世彦

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法及衬底处理装置。本发明的半导体制造方法包括以下步骤：将多张衬底搬入反应管内的步骤；在所述反应管内的压力低于大气压的状态下向所述反应管内供给含氧气体与含氢气体对所述多张衬底进行氧化处理的步骤；以及将所述氧化处理后的所述多张衬底从所述反应管搬出的步骤。本发明的衬底处理装置包括：氧化处理多张衬底的反应管；对所述反应管内壁以及所述反应管内进行加热的加热源；在所述反应管内保持所述多张衬底的保持器具；含氧气体供给管路；含氢气体供给管路；排气管路；真空泵；以及将所述反应管内的压力控制为低于大气压的控制单元。

公开(公告)号：CN104425313B

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201410139097.4

申请日：2014-03-31

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 野田孝晓 ,  岛本聪 ,  野原慎吾 ,  广濑义朗 ,  前田喜世彦

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/36 ,  C23C16/401 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32559 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234

Abstract: 制造半导体设备的方法，包括：通过执行预定次数的循环，在基材上形成含有硅、氧和碳的薄膜或含有硅、氧、碳和氮的薄膜，所述循环包括：将作为硅源和碳源的前体气体或作为硅源而非碳源的前体气体和第一催化气体供应给所述基材；将氧化气体和第二催化气体供应给所述基材；以及将含有选自碳和氮中至少一种的改性气体供应给所述基材。

公开(公告)号：CN106463395A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580033446.7

申请日：2015-06-24

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 中村吉延 ,  前田喜世彦 ,  广濑义朗 ,  笹岛亮太 ,  桥本良知

IPC: H01L21/318 ,  C23C16/02 ,  C23C16/34 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31

Abstract: 具有：准备表面形成有氧化膜的衬底的工序，对所述氧化膜的表面进行前处理的工序，和通过如下处理而在所述前处理后的所述氧化膜的表面上形成含碳的氮化膜的工序，即，将非同时进行下述工序的循环进行规定次数：对所述衬底供给原料气体的工序、对所述衬底供给含碳气体的工序、和对所述衬底供给含氮气体的工序；或者将非同时进行下述工序的循环进行规定次数：对所述衬底供给原料气体的工序、和对所述衬底供给含碳和氮的气体的工序；或者将非同时进行下述工序的循环进行规定次数：对所述衬底供给含碳的原料气体的工序、和对所述衬底供给含氮气体的工序。

公开(公告)号：CN104425313A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410139097.4

申请日：2014-03-31

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 野田孝晓 ,  岛本聪 ,  野原慎吾 ,  广濑义朗 ,  前田喜世彦

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02126 ,  C23C16/36 ,  C23C16/401 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32559 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234

Abstract: 制造半导体设备的方法，包括：通过执行预定次数的循环，在基材上形成含有硅、氧和碳的薄膜或含有硅、氧、碳和氮的薄膜，所述循环包括：将作为硅源和碳源的前体气体或作为硅源而非碳源的前体气体和第一催化气体供应给所述基材；将氧化气体和第二催化气体供应给所述基材；以及将含有选自碳和氮中至少一种的改性气体供应给所述基材。

公开(公告)号：CN1762043B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200480007519.7

申请日：2004-08-25

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 尾崎贵志 ,  汤浅和宏 ,  前田喜世彦

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02238 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/31662 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供一种半导体装置制造方法，其特征为包含以下步骤：将多张衬底1搬入处理室4内的步骤、从搬入处理室4内的多张衬底1的上游侧供给含氧气体的步骤、从对应于搬入处理室4内的多张衬底存在的区域中途的至少1个部位供给含氢气体的步骤、使含氧气体与含氢气体在处理室4内发生反应从而将多张衬底1氧化的步骤、以及将处理后的衬底1从处理室4搬出的步骤。