公开(公告)号：CN106356289A

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201610526212.2

申请日：2016-07-05

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 高木康祐 ,  笹岛亮太 ,  小仓慎太郎 ,  赤江尚德 ,  山腰莉早 ,  藤野敏树 ,  寺崎昌人 ,  南政克

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明涉及气体供给喷嘴、衬底处理装置及半导体器件的制造方法。本发明提供能够提高衬底间的膜厚均匀性的技术。本发明提供一种技术，其具有：喷嘴基端部，其以沿铅垂方向延伸的方式设置于对衬底进行处理的处理室内，并供对所述衬底进行处理的处理气体导入；喷嘴前端部，其呈U字状构成，并在靠所述衬底侧的侧面设置有将所述处理气体供给至所述处理室内的气体供给孔；和气体滞留抑制孔，其设置于所述喷嘴前端部的下游端，并具有比所述气体供给孔大的直径。

公开(公告)号：CN102024742B

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201010287118.9

申请日：2010-09-16

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 原田彻 ,  南政克

IPC: H01L21/762

CPC classification number: F27B17/0025 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/316 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供衬底处理方法，促进元件分离槽内的聚硅氮烷的氧化膜(SiO2)化，能够提高绝缘膜的膜质(电特性以及介电常数)。通过以下工序进行衬底处理：将涂布有聚硅氮烷的衬底向衬底处理室内搬入的衬底搬入工序；使搬入了衬底的衬底处理室内成为水蒸气气体环境、减压气体环境下以及约400℃的温度的工序；在使衬底处理室内成为水蒸气气体环境、减压气体环境下以及约400℃的温度的状态下，对所述衬底进行热处理的第一热处理工序；其次，使衬底处理室内从第一热处理工序的约400℃上升到900℃以上1000℃以下的温度的升温工序；在使衬底处理室内成为水蒸气气体环境、减压气体环境下以及900℃以上1000℃以下的温度的状态下，对所述衬底进行热处理的第二热处理工序。

公开(公告)号：CN102024742A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010287118.9

申请日：2010-09-16

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 原田彻 ,  南政克

IPC: H01L21/762

CPC classification number: F27B17/0025 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3125 ,  H01L21/316 ,  H01L21/67109

Abstract: 本发明提供衬底处理方法，促进元件分离槽内的聚硅氮烷的氧化膜(SiO2)化，能够提高绝缘膜的膜质(电特性以及介电常数)。通过以下工序进行衬底处理：将涂布有聚硅氮烷的衬底向衬底处理室内搬入的衬底搬入工序；使搬入了衬底的衬底处理室内成为水蒸气气体环境、减压气体环境下以及约400℃的温度的工序；在使衬底处理室内成为水蒸气气体环境、减压气体环境下以及约400℃的温度的状态下，对所述衬底进行热处理的第一热处理工序；其次，使衬底处理室内从第一热处理工序的约400℃上升到900℃以上1000℃以下的温度的升温工序；在使衬底处理室内成为水蒸气气体环境、减压气体环境下以及900℃以上1000℃以下的温度的状态下，对所述衬底进行热处理的第二热处理工序。

公开(公告)号：CN102024695A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010286635.4

申请日：2010-09-17

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 佐佐木隆史 ,  福田正直 ,  南政克 ,  女川靖浩

IPC: H01L21/31

CPC classification number: H01L21/02233 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/67109 ,  H01L29/7881

Abstract: 本发明的课题在于例如在500℃以上700℃以下的低温下，在整个晶片层叠方向控制原子氧O的浓度，且在整个晶片层叠方向使氧化膜的膜厚分布均等化。本发明提供一种半导体装置的制造方法及衬底处理装置，所述半导体装置的制造方法包括如下工序：从处理室内的多片衬底排列的衬底排列区域的一端侧通过混合部供给含氧气体和含氢气体、且使其朝另一端侧流动，同时从与处理室内的衬底排列区域相对应的途中的多处供给含氢气体、且使其朝另一端侧流动，由此对多片衬底进行氧化处理，其中，使含氧气体和含氢气体在混合部内反应，生成含有原子氧的氧化种，在从混合部内向处理室内喷射氧化种的喷出口位置处使氧化种的浓度最大。

公开(公告)号：CN303933656S

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201630281380.0

申请日：2016-06-27

Applicant: 株式会社日立国际电气

Designer： 冈田裕巳 ,  森田慎也 ,  相泽聪 ,  南政克 ,  奥田和幸 ,  山田正行

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：石英样式晶圆。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于在半导体制造装置中，承载在对作为处理对象的半导体基板（晶圆）进行保持的基板保持具（又叫做晶圆保持具或船具）上，在进行成膜处理时使用的适配器。3．本外观设计产品的设计要点：本外观设计产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：A部立体图。5．省略视图：左视图与右视图对称省略左视图，俯视图与仰视图对称省略俯视图。

公开(公告)号：CN303907019S

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201630281544.X

申请日：2016-06-27

Applicant: 株式会社日立国际电气 ,  泰谷诺石英株式会社

Designer： 冈田裕巳 ,  山田正行 ,  相泽聪 ,  森田慎也 ,  南政克 ,  大坂和永

Abstract: 1．本外观设计产品的名称：石英样式晶圆。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于在半导体制造装置中，承载在对作为处理对象的半导体基板（晶圆）进行保持的基板保持具（又叫做晶圆保持具或船具）上，在进行成膜处理时使用的适配器。3．本外观设计产品的设计要点：本外观设计产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：C部立体图。5．省略视图：左视图与右视图对称省略左视图，俯视图与仰视图对称省略俯视图。