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公开(公告)号：CN102655107B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201210055696.9
申请日：2012-02-28
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/673 , H01L21/205
CPC classification number: H01L21/67757 , H01L21/67309
Abstract: 本发明提供具有不对成膜精度带来不良影响且获得耐高温效果的晶片的层叠构造的衬底处理装置。具有将晶片(14)保持在内周侧的支架底座(110)、和具有保持支架底座(110)的外周侧的支架保持部(HS)的各舟皿柱(31a～31c)，支架底座(110)的外径尺寸比晶片(14)的外径尺寸大，并且支架底座(110)能够从支架保持部(HS)拆下。无需通过焊接等固定支架底座(110)和各舟皿柱(31a～31c)，能够由SiC等形成支架底座(110)及各舟皿柱(31a～31c)，能够容易地实现获得耐高温效果的晶片的层叠构造。另外，由于能够通过支架底座(110)使晶片(14)从各舟皿柱(31a～31c)远离，所以能够抑制对成膜精度带来不良影响。
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公开(公告)号：CN105274497A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510350349.2
申请日：2015-06-23
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: C23C16/455 , H01J37/32 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67017 , B08B5/02 , C23C16/4405 , H01L21/67028
Abstract: 即使在经由簇射头进行气体供给的情况下，也能充分且良好地对簇射头内及处理空间内的各空间进行清洁处理。一种衬底处理装置，其具有：处理空间，其对衬底进行处理；簇射头缓冲室，其隔着设置有贯通孔的分散板而与处理空间相邻；非活性气体供给系统，其向簇射头缓冲室内供给非活性气体；处理空间清洁气体供给系统，其向处理空间内供给清洁气体；控制部，其控制非活性气体供给系统及处理空间清洁气体供给系统，使得清洁气体向处理空间的供给和非活性气体向簇射头缓冲室的供给同时进行。
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公开(公告)号：CN104517819A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410468894.7
申请日：2014-09-15
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/22
CPC classification number: C23C16/455 , C23C16/4408 , C23C16/4412 , C23C16/45542 , C23C16/52 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32834 , H01J37/32862 , H01L21/02164 , H01L21/02219 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/0228
Abstract: 在使用了缓冲空间的单片式装置中，也能够抑制缓冲空间的副产物发生。为解决上述课题，提供一种半导体器件的制造方法，具有：将衬底送入处理室的工序；通过喷头的缓冲室将含第一元素气体供给到载置在所述处理室内的衬底的含第一元素气体供给工序；通过所述缓冲室将含第二元素气体供给到所述衬底的含第二元素气体供给工序；和在所述含第一元素气体供给工序和含第二元素气体供给工序之间进行的排气工序，所述排气工序具有：对所述缓冲室内的环境气体进行排气的缓冲室排气工序；和在所述缓冲室排气工序之后对所述处理室内的环境气体进行排气的处理室排气工序。
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公开(公告)号：CN102763193A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201180009955.8
申请日：2011-02-22
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/205 , C23C16/42 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45578 , C23C16/325 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , Y10S438/931
Abstract: 本发明通过提供一种半导体器件的制造方法而解决问题，该半导体器件的制造方法是衬底处理装置的半导体器件的制造方法，该衬底处理装置包括：反应室，以规定的间隔层叠多张衬底；第1气体供给喷嘴，在用于层叠多张衬底的区域上具有1个以上的第1气体供给口；以及第2气体供给喷嘴，在用于层叠多张衬底的区域上具有1个以上的第2气体供给口，第1气体供给口的方向和第2气体供给口的方向被设置成在到达衬底之前交叉，其中，该半导体器件的制造方法具有以下的工序：将衬底搬入至反应室内的工序；从第1气体供给口向反应室内至少供给含硅气体和含氯气体、或含硅及氯的气体，从第2气体供给口向反应室内至少供给含碳气体和还原气体，从第1气体供给口或第2气体供给口向反应室内进一步供给杂质气体，在衬底上形成膜的工序；以及从反应室搬出衬底的工序。
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公开(公告)号：CN105274497B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201510350349.2
申请日：2015-06-23
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: C23C16/455 , H01J37/32 , H01L21/67
CPC classification number: H01L21/67017 , B08B5/02 , C23C16/4405 , H01L21/67028
Abstract: 即使在经由簇射头进行气体供给的情况下，也能充分且良好地对簇射头内及处理空间内的各空间进行清洁处理。一种衬底处理装置，其具有：处理空间，其对衬底进行处理；簇射头缓冲室，其隔着设置有贯通孔的分散板而与处理空间相邻；非活性气体供给系统，其向簇射头缓冲室内供给非活性气体；处理空间清洁气体供给系统，其向处理空间内供给清洁气体；控制部，其控制非活性气体供给系统及处理空间清洁气体供给系统，使得清洁气体向处理空间的供给和非活性气体向簇射头缓冲室的供给同时进行。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107924841A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680050773.8
申请日：2016-09-15
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/31 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45559 , C23C16/345 , C23C16/455 , C23C16/4583 , H01L21/0217 , H01L21/02271 , H01L21/31
Abstract: 本发明提高对在纵向上排列的衬底供给的处理气体的浓度均匀性。构成具有气体供给部，气体供给部具备从各自的上端供给相同种类且相同质量流量的处理气体的第一气体供给管和第二气体供给管，气体供给部经由第一气体供给管及第二气体供给管，向收容在纵向上排列的多个衬底的处理室中，供给用于处理衬底的处理气体，其中，当将与配置衬底的衬底配置区域相对的第一气体供给管的长度设为L1、将第一气体供给管的流路截面积设为S1、将与衬底配置区域相对的第二气体供给管的长度设为L2、将第二气体供给管的流路截面积设为S2时，构成为L1比L2长、并且S1比S2小。
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公开(公告)号：CN107731656A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201710657423.4
申请日：2017-08-03
Applicant: 株式会社日立国际电气
Abstract: 本发明提供清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置以及记录介质，抑制由清洁气体对排气管造成的损伤。清洁方法具有在处理容器内进行了在衬底上形成膜的处理之后，向处理容器内供给清洁气体而将附着于处理容器内的堆积物去除的工序，将堆积物去除的工序具有：第1工序，在该第1工序中，在将对处理容器内进行排气的排气管和处理容器连接的连接部的温度比第1温度低时，以第1流量向处理容器内供给清洁气体；和第2工序，在该第2工序中，当连接部的温度达到第1温度时，一边使清洁气体的流量从第1流量向比第1流量小的第2流量逐渐减少一边向处理容器内供给清洁气体。
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公开(公告)号：CN106298473A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610390911.9
申请日：2016-06-02
Applicant: 株式会社日立国际电气
CPC classification number: H01L21/02274 , C23C16/345 , C23C16/4405 , C23C16/45542 , C23C16/45544 , C23C16/45546 , H01J37/32357 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32522 , H01J37/32724 , H01J37/32862 , H01L21/20 , H01L21/67207
Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。本发明提供一种提高衬底的处理均匀性的技术。本发明可提供一种技术，其具有下述工序：成膜工序，向处理室内的衬底上供给成膜气体和第一非活性气体，在所述衬底上形成膜；和堆积膜除去工序，于在所述处理室内不存在衬底的状态下，将温度比所述第一非活性气体高的第二非活性气体直接供给至所述处理室内，由此将通过所述成膜工序而堆积在所述处理室内的堆积膜除去。
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公开(公告)号：CN102763193B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201180009955.8
申请日：2011-02-22
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/205 , C23C16/42 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/45578 , C23C16/325 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , Y10S438/931
Abstract: 本发明通过提供一种半导体器件的制造方法而解决问题，该半导体器件的制造方法是衬底处理装置的半导体器件的制造方法，该衬底处理装置包括：反应室，以规定的间隔层叠多张衬底；第1气体供给喷嘴，在用于层叠多张衬底的区域上具有1个以上的第1气体供给口；以及第2气体供给喷嘴，在用于层叠多张衬底的区域上具有1个以上的第2气体供给口，第1气体供给口的方向和第2气体供给口的方向被设置成在到达衬底之前交叉，其中，该半导体器件的制造方法具有以下的工序：将衬底搬入至反应室内的工序；从第1气体供给口向反应室内至少供给含硅气体和含氯气体、或含硅及氯的气体，从第2气体供给口向反应室内至少供给含碳气体和还原气体，从第1气体供给口或第2气体供给口向反应室内进一步供给杂质气体，在衬底上形成膜的工序；以及从反应室搬出衬底的工序。
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公开(公告)号：CN102543689A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110442414.6
申请日：2011-12-21
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/04 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/325 , C23C16/45574 , C23C16/45578 , C23C16/481 , C23C16/52 , C30B25/14 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/0262
Abstract: 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及衬底的制造方法。能够提高衬底(尤其是形成有SiC外延膜的衬底)的生产效率并且抑制膜向气体供给口的形成。通过下述衬底处理装置能够解决上述问题，该衬底处理装置包括：收容多个衬底的反应室；以覆盖所述反应室的方式设置，对所述处理室进行加热的加热部；以在所述反应室内延伸的方式设置的第一气体供给管，所述第一气体供给管具有：向所述多个衬底喷出第一气体的第一气体供给口；第一遮蔽壁，其以所述第一气体供给口露出的方式设在所述第一气体供给口的两侧，且从所述第一气体供给口向所述多个衬底延伸。
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