公开(公告)号：CN105206570B

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201510708800.3

申请日：2015-10-27

申请人： 深圳市华星光电技术有限公司

发明人： 龙芬

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/1248 ,  G02F1/136213 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/1288

摘要： 本发明公开了一种显示面板及其制造方法，显示面板的制造方法包括步骤：提供一基板，在该基板上形成源极、漏极和沟道；在基板上沉积第一绝缘层；在第一绝缘层上形成间隔设置的多个彩色光阻，使得源极、漏极和沟道位于两个相邻的彩色光阻之间；由同一道制程形成栅极和公共电极，且使得栅极形成于两个相邻的彩色光阻之间的第一绝缘层上，公共电极形成于彩色光阻上；在栅极和公共电极上形成第二绝缘层，第二绝缘层具有一连通源极的通孔；在第二绝缘层上形成像素电极，像素电极通过通孔与源极接触，像素电极进一步与公共电极形成存储电容。通过本发明制造方法可增大存储电容，改善像素电极的漏电情况。

公开(公告)号：CN108780738A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780013040.1

申请日：2017-01-25

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 文·梁 ,  阿基特若·高

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01J37/32082 ,  B81C1/00531 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31116

摘要： 提供了一种使用集成方案来使基板上的层图案化的方法，该方法包括：布置具有结构图案层、中性层以及底层的基板，结构图案层包括第一材料和第二材料；使用第一工艺气体混合物来执行第一处理工艺以形成第一图案，第一工艺气体包括CxHyFz和氩气的混合物；使用第二工艺气体混合物来执行第二处理工艺以形成第二图案，第二工艺气体包括低含氧气体和氩气的混合物；并行控制集成方案的选择的两个或更多个操作变量以便实现目标集成目的。

公开(公告)号：CN107946177A

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201711168487.4

申请日：2017-11-21

申请人： 上海华力微电子有限公司

发明人： 孟祥国 ,  李全波 ,  陆连

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311

CPC分类号： H01L21/31111 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/31058

摘要： 本发明提出一种减少光刻胶剥离工艺对器件性能影响的方法，包括下列步骤：提供半导体衬底，侧墙刻蚀形成浅沟槽隔离结构；在上述结构上生长致密氧化物薄膜层；进行光刻胶旋涂与曝光工艺处理；进行离子注入工艺处理；进行光刻胶玻璃工艺处理后进行湿法清洗处理；去除所述致密氧化物薄膜层。本发明提出的减少光刻胶剥离工艺对器件性能影响的方法，通过在侧墙刻蚀之后增加致密氧化膜的生长，在离子注入光刻胶剥离时可以有效阻止有源区的注入离子的损失和晶圆表面的膜质损失，从而避免了因光刻胶剥离工艺的变更导致的器件漂移问题。

公开(公告)号：CN107533964A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201680024338.8

申请日：2016-11-07

申请人： 古河电气工业株式会社

发明人： 横井启时 ,  内山具朗 ,  冈祥文

IPC分类号： H01L21/301 ,  B23K26/351 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/31058 ,  B23K26/351 ,  B23K26/38 ,  H01L21/02076 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381

摘要： 一种掩模一体型表面保护膜，其为具有基材膜和设置于该基材膜上的掩模材料层的掩模一体型表面保护膜，其特征在于，上述掩模材料层为乙烯‑乙酸乙烯酯共聚物树脂、乙烯‑丙烯酸甲酯共聚物树脂或乙烯‑丙烯酸丁酯共聚物树脂，上述掩模材料层的厚度为50μm以下。

公开(公告)号：CN104955914B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201480006864.2

申请日：2014-01-23

申请人： 嘉柏微电子材料股份公司

发明人： L.付 ,  S.格伦宾 ,  M.斯滕德

IPC分类号： C09K3/14 ,  H01L21/304

CPC分类号： C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  H01L21/31058

摘要： 本发明提供一种化学机械抛光组合物及一种利用该化学机械抛光组合物以化学‑机械方式抛光基板的方法。该抛光组合物包括：(a)研磨剂颗粒，其中该研磨剂颗粒包括氧化锆，(b)至少一种金属离子氧化剂，其中该至少一种金属离子氧化剂包括Co3+、Au+、Ag+、Pt2+、Hg2+、Cr3+、Fe3+、Ce4+或Cu2+金属离子，及(c)水性载体，其中该化学机械抛光组合物的pH在1至7的范围内，且其中该化学机械抛光组合物不包含过氧型氧化剂。

公开(公告)号：CN103915331B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201310757504.3

申请日：2013-12-31

申请人： 罗门哈斯电子材料有限公司

发明人： 徐承柏 ,  吴承翰 ,  郑东垣 ,  山本芳裕 ,  G·G·巴克莱 ,  G·珀勒斯

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/266 ,  G03F7/091 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31058

摘要： 本发明提供了在半导体器件中形成离子注入区域的方法。该方法包括：(a)提供具有多个待进行离子注入的区域的半导体基材；(b)在半导体基材上形成一个光刻胶图案，其中所述光刻胶图案由包含具有酸不稳定性基团的基质聚合物、光生酸剂和溶剂的化学放大型光刻胶组合物形成；(c)在光刻胶图案上涂覆清除浮渣组合物，其中所述清除浮渣组合物包含：基质聚合物；生酸剂，其选自热生酸剂、光生酸剂以及它们的组合，以及一种溶剂；(d)使得所述涂覆的半导体基材暴露于一些条件，以在清除浮渣组合物中从所述生酸剂产生酸；(e)使涂覆的半导体基材接触漂洗剂以从基材去除残留的清除浮渣组合物和浮渣；以及(f)使用所述光刻胶图案作为注入掩模，对所述半导体基材的多个区域进行注入。该方法特别适用于半导体器件的制造。

公开(公告)号：CN106876266A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201611142764.X

申请日：2016-12-09

申请人： SUSS麦克瑞泰克光子系统公司

发明人： 哈比卜·希什里

IPC分类号： H01L21/3105

CPC分类号： H01L21/0206 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/08 ,  B23K26/142 ,  B23K26/16 ,  B23K26/18 ,  B23K26/355 ,  B23K26/359 ,  B23K26/36 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K26/402 ,  B23K2101/34 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/02096 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/31 ,  H01L21/31105 ,  H01L21/31127 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31058

摘要： 本申请案涉及用于激光后碎屑移除系统和方法的牺牲层。作为实施例，从晶片移除激光后碎屑的方法包含：在待图案化层上方形成牺牲层；使用激光烧蚀图案化所述牺牲层和所述待图案化层；和用水移除所述牺牲层和沉积在所述牺牲层上的碎屑。所述牺牲层包含水溶性粘合剂和水溶性紫外光UV吸收剂。还描述用于移除所述激光后碎屑的系统。

公开(公告)号：CN106575617A

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201580042676.X

申请日：2015-07-29

申请人： AZ电子材料(卢森堡)有限公司

发明人： 中杉茂正 ,  绢田贵史 ,  能谷刚 ,  柳田浩志 ,  浜祐介

IPC分类号： H01L21/312 ,  H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC分类号： C09D179/02 ,  C08G69/26 ,  C08G73/0206 ,  C08G73/0233 ,  C08G73/026 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76879 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明的课题是提供一种耐热性和保存稳定性优异的牺牲膜用组合物与使用了其的半导体装置的制造方法。本发明的解决手段是如下：一种牺牲膜用组合物，其包含有：包含着含有具有孤对电子的氮原子的重复单元的聚合物、以及溶剂，其中特定的过渡金属离子含有率非常低；一种以牺牲材料的形式利用前述组合物从而制造具备有多孔质材料的半导体装置的方法。

公开(公告)号：CN106409723A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610622675.9

申请日：2016-08-01

申请人： 东京应化工业株式会社

发明人： 稻尾吉浩 ,  小西清孝 ,  佐藤晶彦 ,  细田浩

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/3105 ,  G03F7/20

CPC分类号： H01L21/67115 ,  G03F7/2004 ,  H01L21/31058

摘要： 本发明涉及紫外线照射装置及紫外线照射方法。本发明的课题在于提供一种可抑制在收容部内产生粒子、保持基板清洁的紫外线照射装置。本发明的紫外线照射装置包括：收容部，所述收容部可在密闭空间内收容基板；照射部，所述照射部被设置于上述收容部的外部，可向上述基板照射紫外线；和移动部，所述移动部被设置于上述收容部的外部，使上述照射部在上述收容部的外部移动，以使得从上述收容部的外部向被收容在上述收容部的内部的上述基板照射上述紫外线。

公开(公告)号：CN106206261A

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201510210383.X

申请日：2015-04-29

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 潘槿道 ,  卜喆圭 ,  许仲君 ,  金弘益

IPC分类号： H01L21/027

CPC分类号： C09D153/00 ,  C08F293/00 ,  C08L53/005 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/002 ,  G03F7/091 ,  G03F7/11 ,  G03F7/165 ,  G03F7/322 ,  G03F7/325 ,  G03F7/40 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139

摘要： 一种形成图案的方法包括：在下面层上形成引导图案，在引导图案和下面层上形成自组装嵌段共聚物(BCP)层，将自组装BCP层退火以形成被交替地且重复地排列的第一聚合物嵌段域和第二聚合物嵌段域，以及选择性地去除第一聚合物嵌段域。引导图案由可显影抗反射材料形成。另外，引导图案彼此间隔开，使得引导图案中的每个的宽度小于引导图案之间的距离。