公开(公告)号：CN104805414B

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201510018491.7

申请日：2015-01-14

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 赤江尚德 ,  四谷达也

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/507 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274

Abstract: 一种半导体器件的制造方法及衬底处理装置，提高在衬底上形成的膜的衬底面内均匀性，包括如下工序：通过将以不同时的方式进行对处理室内的衬底供给原料气体的工序、除去处理室内的原料气体的工序、对处理室内的衬底供给化学结构不同于原料气体的反应气体的工序、以及除去处理室内的反应气体的工序作为一循环，进行规定次数的所述循环，由此在衬底上形成膜，在除去反应气体的工序中，交替重复进行将处理室内减压排气的工序和用惰性气体吹扫处理室内的工序。

公开(公告)号：CN104805414A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510018491.7

申请日：2015-01-14

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 赤江尚德 ,  四谷达也

IPC: C23C16/455 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/0228 ,  C23C16/30 ,  C23C16/308 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45546 ,  C23C16/45557 ,  C23C16/507 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274

Abstract: 一种半导体器件的制造方法及衬底处理装置，提高在衬底上形成的膜的衬底面内均匀性，包括如下工序：通过将以不同时的方式进行对处理室内的衬底供给原料气体的工序、除去处理室内的原料气体的工序、对处理室内的衬底供给化学结构不同于原料气体的反应气体的工序、以及除去处理室内的反应气体的工序作为一循环，进行规定次数的所述循环，由此在衬底上形成膜，在除去反应气体的工序中，交替重复进行将处理室内减压排气的工序和用惰性气体吹扫处理室内的工序。