公开(公告)号：CN1941280A

公开(公告)日：2007-04-04

申请号：CN200610139342.7

申请日：2006-09-26

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 海东拓生 ,  大植荣司 ,  丝贺敏彦

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/66 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/02675 ,  H01L21/2026 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1296 ,  H01L29/04

Abstract: 本发明提供一种显示装置的制造方法，减低因在硅膜的模拟单晶化中产生的凝聚而引起的显示装置的成品率降低。该显示装置的制造方法的特征在于，包括：半导体膜改性步骤，对第1状态的半导体膜照射激光并改性为具有细长晶粒的第2状态的半导体膜；凝聚检测步骤，检测在上述半导体膜改性步骤中产生的上述半导体膜的凝聚；以及不合格判断步骤，当上述凝聚的位置存在于预定的区域内时判断为不合格、当存在于上述预定的区域外时判断为合格品。

公开(公告)号：CN100462821C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200510058915.9

申请日：2005-03-24

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 海东拓生 ,  大植荣司 ,  贺茂尚广 ,  木村泰一 ,  丝贺敏彦

IPC: G02F1/1343 ,  H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明提供一种显示装置及能减少制造工序的该显示装置的制造方法。该制造方法是在基板的上面形成半导体层，在上述半导体层的上面形成绝缘膜，使用覆盖第1区域并使第2区域露出的掩膜，通过上述绝缘膜对上述第2区域的半导体层进行杂质的注入；在除去了上述掩膜后，将上述第1区域和第2区域的上述绝缘膜的表面刻蚀到残留第2区域的绝缘膜程度，由此，使上述第2区域的绝缘膜膜厚比上述第1区域的绝缘膜的膜厚薄。

公开(公告)号：CN1673815A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200510058915.9

申请日：2005-03-24

Applicant: 株式会社日立显示器

Inventor： 海东拓生 ,  大植荣司 ,  贺茂尚广 ,  木村泰一 ,  丝贺敏彦

IPC: G02F1/133 ,  H01L21/00 ,  G09F9/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136213 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288

Abstract: 本发明提供一种显示装置及能减少制造工序的该显示装置的制造方法。该制造方法是在基板的上面形成半导体层，在上述半导体层的上面形成绝缘膜，使用覆盖第1区域并使第2区域露出的掩膜，通过上述绝缘膜对上述第2区域的半导体层进行杂质的注入；在除去了上述掩膜后，将上述第1区域和第2区域的上述绝缘膜的表面刻蚀到残留第2区域的绝缘膜程度，由此，使上述第2区域的绝缘膜膜厚比上述第1区域的绝缘膜的膜厚薄。