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公开(公告)号：CN101644865B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200910165701.X
申请日：2009-08-06
申请人： 株式会社日立显示器 , 松下液晶显示器株式会社
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L27/12
CPC分类号： G02F1/13624 , G02F2202/104
摘要： 本发明提供一种可以减小降低了截止电流的薄膜晶体管的尺寸的显示装置。本发明提供一种在基板中形成有薄膜晶体管的显示装置，其中，薄膜晶体管被形成为相对于其半导体层隔着栅绝缘膜配置有栅电极、并由以其半导体层的被划分开的各区域作为各自的半导体层的至少第一和第二薄膜晶体管构成，在半导体层中，具备兼作第一薄膜晶体管的漏区和源区的一方以及第二薄膜晶体管的漏区和源区的另一方的公共区，在第一和第二薄膜晶体管各自的半导体层中，在沟道区与漏区之间、及沟道区与源区之间，分别具备掺杂浓度比漏区和源区低的LDD区，栅电极被形成为跨越半导体层的公共区、并至少与第一薄膜晶体管的沟道区和各LDD区、及第二薄膜晶体管的沟道区和各LDD区对置。
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公开(公告)号：CN101644862A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200910164457.5
申请日：2009-08-05
申请人： 株式会社日立显示器
IPC分类号： G02F1/136 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L21/82
CPC分类号： G02F1/1368 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/78618
摘要： 一种显示装置，其特征在于，包括：栅电极GT；包含沟道区和在夹着沟道区的区域形成的2个杂质区并控制源电极ST与漏电极DT间的电流的半导体膜S；介于源电极ST等和2个杂质区之间的2个欧姆接触层DS；以及在以成为半导体膜S的大致中心的位置为中心的部分区域上层叠的绝缘膜ES，半导体膜S包含微晶硅或多晶硅而形成，在未形成绝缘膜ES的区域形成2个杂质区，形成2个欧姆接触层DS，将2个杂质区覆盖，形成源电极ST等，将欧姆接触层DS覆盖。
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公开(公告)号：CN101387805A
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200810215183.3
申请日：2008-09-10
申请人： 株式会社日立显示器
IPC分类号： G02F1/1362 , H01L27/12 , H01L21/84
CPC分类号： H01L27/1229 , H01L27/1214 , H01L27/1274 , H01L29/66765 , H01L29/78678
摘要： 本发明提供一种显示装置和显示装置的制造方法，该显示装置在基板上形成有薄膜晶体管，作为上述薄膜晶体管，具有覆盖栅电极而形成于上述基板上的氮化硅膜上选择性地形成的氧化硅膜，还具有至少包含形成于上述氧化硅膜的上表面的伪单晶层或者多晶层的半导体层，在该半导体层的上表面隔着接触层而形成漏电极和源电极，上述伪单晶层或者多晶层是通过非晶硅层的结晶化而形成的，并且包含由其周侧壁面与其下层的上述氧化硅膜的周侧壁面间不具有台阶而连续的结构构成的部分。
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公开(公告)号：CN101320181A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200810098644.3
申请日：2008-06-03
申请人： 株式会社日立显示器
IPC分类号： G02F1/1362 , H01L27/12 , H01L21/84
CPC分类号： H01L27/1214 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/66765 , H01L29/78618 , H01L29/78678
摘要： 本发明提供一种显示装置，能够减小使用多晶半导体的底栅型TFT元件的电阻性漏电流。本发明的半导体器件，在绝缘基板的表面依次层叠栅电极、栅绝缘膜、半导体层、源电极和漏电极，且具有TFT元件，该TFT元件由上述半导体层用多晶半导体构成的有源层、和分别介于上述有源层与上述源电极之间以及上述有源层与上述漏电极之间的接触层构成，上述源电极和上述漏电极分别具有与上述有源层的同上述栅绝缘膜的交界面相对的第一面、和与上述有源层的蚀刻端面相对的第二面，上述接触层介于上述源电极和上述漏电极的上述第一面与上述有源层之间、以及上述源电极和上述漏电极的上述第二面与上述有源层之间的全部区域。
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公开(公告)号：CN100422798C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200410004414.8
申请日：2004-02-19
申请人： 株式会社日立显示器
IPC分类号： G02F1/133 , G02F1/136 , H01L29/786 , H01L21/02
CPC分类号： H01L29/4908 , H01L27/12 , H01L27/1214
摘要： 本发明提供一种显示装置，能避免在薄膜晶体管中其绝缘膜对于多晶硅层的界面的能级变高，并且，可以避免该绝缘膜中的固定电荷增多。该显示装置是一种在绝缘基板上具备薄膜晶体管的显示装置。上述薄膜晶体管具有半导体层、栅极电极、在上述半导体层和栅极电极之间设置的栅极绝缘膜。上述栅极绝缘膜，至少具有1层由沉积法沉积的沉积膜。与上述半导体层之间不存在由沉积法沉积的其他的沉积膜地形成的一个沉积膜中的碳浓度，具有靠近上述半导体层的一侧比远离上述半导体层的一侧更小的分布。
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公开(公告)号：CN102809812A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210178442.6
申请日：2012-06-01
申请人： 株式会社日立显示器
CPC分类号： G02B26/085 , B81B3/0072 , B81B2201/045 , B81C2201/0167
摘要： 本发明提供一种显示装置和显示装置的制造方法。在可动快门方式的显示器中，使用低残留应力的稳定的非晶硅膜形成可动快门。显示装置中，具有包括第一基板和第二基板的显示面板，上述显示面板具有多个像素，上述各像素具有包含非晶硅的可动快门，和驱动上述可动快门的驱动电路，上述可动快门的上述非晶硅由至少2个非晶硅膜构成，当令上述至少2个非晶硅膜中彼此邻接的2个非晶硅膜为第一非晶硅膜和层叠在上述第一非晶硅膜上的第二非晶硅膜时，上述第一非晶硅膜与上述第二非晶硅膜的特性值不同。
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公开(公告)号：CN101320181B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200810098644.3
申请日：2008-06-03
申请人： 株式会社日立显示器 , 松下液晶显示器株式会社
IPC分类号： G02F1/1362 , H01L27/12 , H01L21/84
CPC分类号： H01L27/1214 , H01L29/41733 , H01L29/458 , H01L29/66765 , H01L29/78618 , H01L29/78678
摘要： 本发明提供一种显示装置，能够减小使用多晶半导体的底栅型TFT元件的电阻性漏电流。本发明的半导体器件，在绝缘基板的表面依次层叠栅电极、栅绝缘膜、半导体层、源电极和漏电极，且具有TFT元件，该TFT元件由上述半导体层用多晶半导体构成的有源层、和分别介于上述有源层与上述源电极之间以及上述有源层与上述漏电极之间的接触层构成，上述源电极和上述漏电极分别具有与上述有源层的同上述栅绝缘膜的交界面相对的第一面、和与上述有源层的蚀刻端面相对的第二面，上述接触层介于上述源电极和上述漏电极的上述第一面与上述有源层之间、以及上述源电极和上述漏电极的上述第二面与上述有源层之间的全部区域。
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公开(公告)号：CN101726899B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910208124.8
申请日：2009-10-28
申请人： 株式会社日立显示器 , 松下液晶显示器株式会社
IPC分类号： G02F1/133 , H01L27/02 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78645 , H01L27/1214 , H01L29/42384 , H01L29/78621 , H01L29/78627
摘要： 提供一种显示装置，在串联设置了多个在光源侧具有栅电极膜的TFT时，能够抑制光泄漏电流的产生，且还能抑制电容增加。为此，通过针对有多个的TFT的至少一部分，使半导体膜与栅电极膜相对置的面积相对于沟道区的相对面积不同，提供抑制光泄漏电流的产生，且抑制电容增加的结构的平面显示器。
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公开(公告)号：CN101644862B
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN200910164457.5
申请日：2009-08-05
申请人： 株式会社日立显示器 , 松下液晶显示器株式会社
IPC分类号： G02F1/136 , G02F1/1362 , G02F1/1368 , H01L21/82
CPC分类号： G02F1/1368 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/78618
摘要： 一种显示装置，其特征在于，包括：栅电极GT；包含沟道区和在夹着沟道区的区域形成的2个杂质区并控制源电极ST与漏电极DT间的电流的半导体膜S；介于源电极ST等和2个杂质区之间的2个欧姆接触层DS；以及在以成为半导体膜S的大致中心的位置为中心的部分区域上层叠的绝缘膜ES，半导体膜S包含微晶硅或多晶硅而形成，在未形成绝缘膜ES的区域形成2个杂质区，形成2个欧姆接触层DS，将2个杂质区覆盖，形成源电极ST等，将欧姆接触层DS覆盖。
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公开(公告)号：CN101526709B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910126641.0
申请日：2009-03-05
申请人： 株式会社日立显示器
IPC分类号： G02F1/1362 , G09G3/36 , H01L27/12 , H01L21/84
CPC分类号： H01L27/1288 , G02F1/1303 , G02F1/1368 , G02F2202/103 , G02F2202/104 , H01L27/1214 , H01L29/66765 , H01L29/78609
摘要： 本发明提供一种液晶显示装置。通过湿法蚀刻来加工沟道截断环层，通过干法蚀刻来加工poly-Si层。在沟道截断环层形成侧面蚀刻，由此使poly-Si层的周边部从沟道截断环层露出，将该区域用于与n+Si层接触。通过该结构能够减少TFT的导通电阻，增加导通电流。由此，能够在用于液晶显示装置的底栅型TFT中，在poly-Si层之上形成沟道截断环层，使TFT的特性稳定。
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