检查装置调整系统以及检查装置调整方法

    公开(公告)号:CN113767459A

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN201980096016.8

    申请日:2019-05-15

    Abstract: 本发明的课题在于,迅速确定检查对象即晶片的光学条件,特别在于,在获得客户晶片后,将光学条件设定迅速化。本发明所涉及的检查装置自动调整系统具有:输入解析条件的解析条件设定IF(102);进行解析的解析执行部(103);解析中所用的检查装置模型和模型DB(101);蓄积解析结果的解析结果DB(104);输入晶片图案、聚焦点、最优化指标和优先级的观察条件设定IF(105);检索与所输入的晶片图案类似的晶片图案的晶片图案检索部(106);从解析结果DB(104)提取类似晶片图案和在聚焦点中最优的光学条件的光学条件提取部(107);和生成与光学条件对应的控制信号并发送到检查装置的光学条件设定部(108)。

    带电粒子束检查系统、带电粒子束检查方法

    公开(公告)号:CN118476004A

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202280087220.5

    申请日:2022-01-27

    Abstract: 本发明提供一种能够使用通过模拟结果的机器学习求出的图像预测模型来导出最佳观察条件的带电粒子束检查系统。具备:带电粒子束照射装置,其取得试样的图像;以及观察条件搜索装置,其搜索所述带电粒子束照射装置的观察条件,并控制由所述带电粒子束照射装置进行的图像取得,所述观察条件搜索装置取得包含实施了使用训练数据的学习的学习器的模块,所述训练数据包括通过将包含多个第一装置条件和多个第一试样条件的第一图像生成条件输入到模拟器而得到的多个模拟图像和所述第一图像生成条件,通过对图像生成工具设定多个第二装置条件,取得从所述图像生成工具输出的多个输出图像,将通过对所述学习器输入所述第一试样条件和所述第二装置条件而得到的图像与所述多个输出图像进行对照,基于该对照结果来生成第二试样条件。

    检查装置调整系统以及检查装置调整方法

    公开(公告)号:CN113767459B

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN201980096016.8

    申请日:2019-05-15

    Abstract: 本发明的课题在于,迅速确定检查对象即晶片的光学条件,特别在于,在获得客户晶片后,将光学条件设定迅速化。本发明所涉及的检查装置自动调整系统具有:输入解析条件的解析条件设定IF(102);进行解析的解析执行部(103);解析中所用的检查装置模型和模型DB(101);蓄积解析结果的解析结果DB(104);输入晶片图案、聚焦点、最优化指标和优先级的观察条件设定IF(105);检索与所输入的晶片图案类似的晶片图案的晶片图案检索部(106);从解析结果DB(104)提取类似晶片图案和在聚焦点中最优的光学条件的光学条件提取部(107);和生成与光学条件对应的控制信号并发送到检查装置的光学条件设定部(108)。

    带电粒子束装置
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115298794A

    公开(公告)日:2022-11-04

    申请号:CN202080098588.2

    申请日:2020-03-31

    Abstract: 本发明提供一种能够在短时间内高效地求出装置的最佳参数的带电粒子束装置。本发明的带电粒子束装置具备:电子枪(1),其向试样(10)照射电子束(2);图像处理部(901),其根据因电子束(2)从试样(10)产生的信号(12)得到试样(10)的图像;数据库(604),其针对作为光学条件的第一参数、作为与装置性能相关的值的第二参数以及作为关于装置结构的信息的第三参数,保持相互的对应而存储多个解析值和测定值;以及学习器(605),其从数据库(604)中搜索并求出满足第二参数的目标值的第一参数。

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