公开(公告)号：CN1205627C

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN00136422.7

申请日：2000-12-13

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 宫崎信 ,  田中觉 ,  木村幸司 ,  加藤浩二 ,  铃木宏始

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/6264 ,  B32B18/00 ,  B32B37/0046 ,  B32B38/145 ,  B32B2038/042 ,  B32B2311/08 ,  B32B2311/12 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/053 ,  C04B35/111 ,  C04B35/2658 ,  C04B35/46 ,  C04B35/468 ,  C04B35/486 ,  C04B35/491 ,  C04B35/565 ,  C04B35/584 ,  C04B35/63 ,  C04B35/632 ,  C04B35/634 ,  C04B35/63416 ,  C04B35/63424 ,  C04B35/636 ,  C04B35/6365 ,  C04B35/638 ,  C04B37/005 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/064 ,  C04B2237/068 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/083 ,  C04B2237/09 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/408 ,  C04B2237/50 ,  C04B2237/68 ,  H01C7/003 ,  H01C7/18 ,  H01F17/0013 ,  H01F41/043 ,  H01F41/046 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01L21/4857

Abstract: 制造单块陶瓷电子元件的方法，包括：提供陶瓷淤浆、导电糊和陶瓷糊浆；形成多个复合结构；各个结构包括由陶瓷淤浆成形制成的陶瓷坯料片，由导电糊局部施涂在陶瓷坯料片主表面上从而造成阶梯状区域的形成的内线路元件薄膜，以及用于补偿该阶梯状区域造成的空隙的陶瓷坯料层，所述陶瓷坯料层是将陶瓷糊浆施涂在陶瓷坯料片主表面上未形成元件薄膜的区域，从而基本补偿所述空隙；将复合结构叠合在一起形成叠合物坯料；烧制该叠合物坯料，其中的陶瓷糊浆包括陶瓷粉末、有机溶剂和有机粘合剂。还公开了采用该方法制造的单块陶瓷电子元件；陶瓷糊浆及其制备方法。

公开(公告)号：CN1048636A

公开(公告)日：1991-01-16

申请号：CN90103485.1

申请日：1990-07-06

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 家木英治 ,  樱井敦 ,  木村幸司

IPC: H03H9/25

CPC classification number: H03H3/08 ,  H03H9/02582 ,  H03H9/14538

Abstract: 一种使用基板4的弹性表面波装置，该基板备有单晶介质2及外延生长在其表面上的压电薄膜3，沿介质2和压电薄膜3的界面形成构成叉指式电极的铝电极5。此铝电极5由在结晶方位方面是在一定方向上取向的铝膜组成，因此可抑制铝电极5的应力迁移，且压电薄膜3在其整个面上都能外延生长。

公开(公告)号：CN1300090A

公开(公告)日：2001-06-20

申请号：CN00136422.7

申请日：2000-12-13

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 宫崎信 ,  田中觉 ,  木村幸司 ,  加藤浩二 ,  铃木宏始

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/6264 ,  B32B18/00 ,  B32B37/0046 ,  B32B38/145 ,  B32B2038/042 ,  B32B2311/08 ,  B32B2311/12 ,  B32B2311/22 ,  C04B35/053 ,  C04B35/111 ,  C04B35/2658 ,  C04B35/46 ,  C04B35/468 ,  C04B35/486 ,  C04B35/491 ,  C04B35/565 ,  C04B35/584 ,  C04B35/63 ,  C04B35/632 ,  C04B35/634 ,  C04B35/63416 ,  C04B35/63424 ,  C04B35/636 ,  C04B35/6365 ,  C04B35/638 ,  C04B37/005 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/36 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/064 ,  C04B2237/068 ,  C04B2237/08 ,  C04B2237/083 ,  C04B2237/09 ,  C04B2237/405 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/408 ,  C04B2237/50 ,  C04B2237/68 ,  H01C7/003 ,  H01C7/18 ,  H01F17/0013 ,  H01F41/043 ,  H01F41/046 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01L21/4857

Abstract: 制造单块陶瓷电子元件的方法,包括:提供陶瓷淤浆、导电糊和陶瓷糊浆;形成多个复合结构;各个结构包括由陶瓷淤浆成形制成的陶瓷坯料片,由导电糊局部施涂在陶瓷坯料片主表面上从而造成阶梯状区域的形成的内线路元件薄膜,以及用于补偿该阶梯状区域造成的空隙的陶瓷坯料层,所述陶瓷坯料层是将陶瓷糊浆施涂在陶瓷坯料片主表面上未形成元件薄膜的区域,从而基本补偿所述空隙;将复合结构叠合在一起形成叠合物坯料;烧制该叠合物坯料,其中的陶瓷糊浆包括陶瓷粉末、有机溶剂和有机粘合剂。还公开了采用该方法制造的单块陶瓷电子元件;陶瓷糊浆及其制备方法。

公开(公告)号：CN1015041B

公开(公告)日：1991-12-04

申请号：CN90103485.1

申请日：1990-07-06

Applicant: 株式会社村田制作所

Inventor： 家木英治 ,  樱井敦 ,  木村幸司

IPC: H03H9/25

CPC classification number: H03H3/08 ,  H03H9/02582 ,  H03H9/14538

Abstract: 一种使用基板4的弹性表面波装置，该基板备有单晶介质2及外延生长在其表面上的压电薄膜3，沿介质2和压电薄膜3的界面形成构成叉指式电极的铝电极5。此铝电极5由在结晶方位方面是在一定方向上取向的铝膜组成，因此可抑制铝电极5的应力迁移，且压电薄膜3在其整个面上都能外延生长。