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公开(公告)号：CN101930847A
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN201010206251.7
申请日：2010-06-17
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种绝缘电阻的恶化被充分抑制的陶瓷电子部件(1)。陶瓷电子部件(1)具备：长方体状的陶瓷坯料(10)和一对内部电极(11、12)。一对内部电极(11、12)分别配置在陶瓷坯料(10)内部并在第一端面(10e)或第二端面(10f)露出。一对内部电极(11、12)分别与第一和第二主面(10a、10b)平行。一对内部电极(11、12)在高度方向相互对置。电子部品(1)中，内部电极(11、12)的宽度方向的两端部(11b、11c、12b、12c)形成有异相区域。在形成有异相区域的内部电极(11、12)的两端部的沿长度方向及高度方向的截面上，异相区域的占有率为85％以上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1282206C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN00100813.7
申请日：2000-02-14
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H05K1/0306 , B32B18/00 , C04B2237/04 , C04B2237/32 , C04B2237/595 , C04B2237/708 , H01G4/30 , H05K3/4611 , H05K3/4629
Abstract: 一种用于生产诸如叠层电容器的叠层陶瓷电子元件的方法，其中通过使糊溢过内部电路元件的膜，陶瓷糊可防止在糊和内部电路元件膜之间产生间隙，或可防止陶瓷糊的厚度增大，即使当所施加的陶瓷糊位置发生小的移动时，在作为内部电路元件膜的内部电极的周围形成一个斜面，施加陶瓷糊，从而覆盖住内电极的周边，其中所使用的陶瓷糊包含重量百分比为40%到85%的溶剂，以便便于找平所施加的陶瓷糊。
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公开(公告)号：CN101930847B
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201010206251.7
申请日：2010-06-17
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种绝缘电阻的恶化被充分抑制的陶瓷电子部件(1)。陶瓷电子部件(1)具备：长方体状的陶瓷坯料(10)和一对内部电极(11、12)。一对内部电极(11、12)分别配置在陶瓷坯料(10)内部并在第一端面(10e)或第二端面(10f)露出。一对内部电极(11、12)分别与第一和第二主面(10a、10b)平行。一对内部电极(11、12)在高度方向相互对置。电子部品(1)中，内部电极(11、12)的宽度方向的两端部(11b、11c、12b、12c)形成有异相区域。在形成有异相区域的内部电极(11、12)的两端部的沿长度方向及高度方向的截面上，异相区域的占有率为85％以上。
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公开(公告)号：CN1300090A
公开(公告)日：2001-06-20
申请号：CN00136422.7
申请日：2000-12-13
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/30 , H01G4/12 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/6264 , B32B18/00 , B32B37/0046 , B32B38/145 , B32B2038/042 , B32B2311/08 , B32B2311/12 , B32B2311/22 , C04B35/053 , C04B35/111 , C04B35/2658 , C04B35/46 , C04B35/468 , C04B35/486 , C04B35/491 , C04B35/565 , C04B35/584 , C04B35/63 , C04B35/632 , C04B35/634 , C04B35/63416 , C04B35/63424 , C04B35/636 , C04B35/6365 , C04B35/638 , C04B37/005 , C04B2235/3206 , C04B2235/3262 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/36 , C04B2235/5436 , C04B2237/06 , C04B2237/064 , C04B2237/068 , C04B2237/08 , C04B2237/083 , C04B2237/09 , C04B2237/405 , C04B2237/407 , C04B2237/408 , C04B2237/50 , C04B2237/68 , H01C7/003 , H01C7/18 , H01F17/0013 , H01F41/043 , H01F41/046 , H01G4/12 , H01G4/30 , H01L21/4857
Abstract: 制造单块陶瓷电子元件的方法,包括:提供陶瓷淤浆、导电糊和陶瓷糊浆;形成多个复合结构;各个结构包括由陶瓷淤浆成形制成的陶瓷坯料片,由导电糊局部施涂在陶瓷坯料片主表面上从而造成阶梯状区域的形成的内线路元件薄膜,以及用于补偿该阶梯状区域造成的空隙的陶瓷坯料层,所述陶瓷坯料层是将陶瓷糊浆施涂在陶瓷坯料片主表面上未形成元件薄膜的区域,从而基本补偿所述空隙;将复合结构叠合在一起形成叠合物坯料;烧制该叠合物坯料,其中的陶瓷糊浆包括陶瓷粉末、有机溶剂和有机粘合剂。还公开了采用该方法制造的单块陶瓷电子元件;陶瓷糊浆及其制备方法。
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公开(公告)号：CN1264905A
公开(公告)日：2000-08-30
申请号：CN00100813.7
申请日：2000-02-14
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H05K1/0306 , B32B18/00 , C04B2237/04 , C04B2237/32 , C04B2237/595 , C04B2237/708 , H01G4/30 , H05K3/4611 , H05K3/4629
Abstract: 一种用于生产诸如叠层电容器的叠层陶瓷电子元件的方法,其中通过使糊溢过内部电路元件的膜,陶瓷糊可防止在糊和内部电路元件膜之间产生间隙,或可防止陶瓷糊的厚度增大,即使当所施加的陶瓷糊位置发生小的移动时,在作为内部电路元件膜的内部电极的周围形成一个斜面,施加陶瓷糊,从而覆盖住内电极的周边,其中所使用的陶瓷糊包含重量百分比为40%到85%的溶剂,以便便于找平所施加的陶瓷糊。
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公开(公告)号：CN1205627C
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN00136422.7
申请日：2000-12-13
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/30 , H01G4/12 , C04B35/622
CPC classification number: C04B35/6264 , B32B18/00 , B32B37/0046 , B32B38/145 , B32B2038/042 , B32B2311/08 , B32B2311/12 , B32B2311/22 , C04B35/053 , C04B35/111 , C04B35/2658 , C04B35/46 , C04B35/468 , C04B35/486 , C04B35/491 , C04B35/565 , C04B35/584 , C04B35/63 , C04B35/632 , C04B35/634 , C04B35/63416 , C04B35/63424 , C04B35/636 , C04B35/6365 , C04B35/638 , C04B37/005 , C04B2235/3206 , C04B2235/3262 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/36 , C04B2235/5436 , C04B2237/06 , C04B2237/064 , C04B2237/068 , C04B2237/08 , C04B2237/083 , C04B2237/09 , C04B2237/405 , C04B2237/407 , C04B2237/408 , C04B2237/50 , C04B2237/68 , H01C7/003 , H01C7/18 , H01F17/0013 , H01F41/043 , H01F41/046 , H01G4/12 , H01G4/30 , H01L21/4857
Abstract: 制造单块陶瓷电子元件的方法，包括：提供陶瓷淤浆、导电糊和陶瓷糊浆；形成多个复合结构；各个结构包括由陶瓷淤浆成形制成的陶瓷坯料片，由导电糊局部施涂在陶瓷坯料片主表面上从而造成阶梯状区域的形成的内线路元件薄膜，以及用于补偿该阶梯状区域造成的空隙的陶瓷坯料层，所述陶瓷坯料层是将陶瓷糊浆施涂在陶瓷坯料片主表面上未形成元件薄膜的区域，从而基本补偿所述空隙；将复合结构叠合在一起形成叠合物坯料；烧制该叠合物坯料，其中的陶瓷糊浆包括陶瓷粉末、有机溶剂和有机粘合剂。还公开了采用该方法制造的单块陶瓷电子元件；陶瓷糊浆及其制备方法。
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