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公开(公告)号：CN105130422A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510408035.3
申请日：2008-07-29
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： C04B35/468
CPC分类号： H01G4/1227 , C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B35/6262 , C04B35/62665 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3289 , C04B2235/3291 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/656 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/79 , H01B3/12 , H01G4/30
摘要： 本发明实现一种介电陶瓷及层叠陶瓷电容器，所述介电陶瓷具有良好的交流(AC)电压特性，此外可维持所需的介电特性和良好的温度特性，且耐电压性也良好，从而能确保可靠性。本发明的介电陶瓷以BaTiO3系化合物作为主要成分，并由下述通式表示：100AmBO3+aNiO+bROn+cMOv+dMgO+eXOw(其中，R为Dy等的稀土类元素，M为Mn等的金属元素，X为含有Si的烧结助剂成分)。Ni均匀固溶于晶粒内，且稀土类元素在晶粒中的固溶区域以截面面积比计为平均10％以下，并满足0.96≤m≤1.030、0.05≤a≤3、0.1≤b≤1.5、0.1≤c≤1.0、0.1≤d≤1.5、0.05≤e≤3.5。本发明的层叠陶瓷电容器由上述介电陶瓷形成电介质层(1a～1g)。
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公开(公告)号：CN101792313B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201010002172.4
申请日：2010-01-13
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 石原雅之
CPC分类号： C04B35/4682 , B82Y30/00 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/781 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , H01G4/1227 , H01G4/30
摘要： 本发明提供一种以ABO3(A必须含有Ba，而且还含有Ca以及Sr中的至少一种，B必须含有Ti，而且还含有Zr以及Hf中的至少一种)为主要成分，并且含有Si作为副成分的电介质陶瓷，并提高其介电常数。电介质陶瓷(11)，含有：主相粒子(12)，其由ABO3系的主要成分构成；第二相粒子(13)，其具有与主相粒子(12)不同的组成。将相对于该电介质陶瓷(11)中的Si的全部含有量的第二相粒子(13)中的Si含有量的比率设为40％以上，使Si的分布更多集中于第二相粒子(13)。优选第二相粒子中的Si含有量为30mol％以上。
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公开(公告)号：CN101801882A
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200880108059.5
申请日：2008-07-29
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： H01G4/1227 , C04B35/4682 , C04B35/49 , C04B35/6262 , C04B35/62665 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3289 , C04B2235/3291 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/656 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/79 , H01B3/12 , H01G4/30
摘要： 本发明实现一种介电陶瓷及层叠陶瓷电容器，所述介电陶瓷具有良好的交流(AC)电压特性，此外可维持所需的介电特性和良好的温度特性，且耐电压性也良好，从而能确保可靠性。本发明的介电陶瓷以BaTiO3系化合物作为主要成分，并由下述通式表示：100AmBO3+aNiO+bROn+cMOv+dMgO+eXOw(其中，R为Dy等的稀土类元素，M为Mn等的金属元素，X为含有Si的烧结助剂成分)。Ni均匀固溶于晶粒内，且稀土类元素在晶粒中的固溶区域以截面面积比计为平均10％以下，并满足0.96≤m≤1.030、0.05≤a≤3、0.1≤b≤1.5、0.1≤c≤1.0、0.1≤d≤1.5、0.05≤e≤3.5。本发明的层叠陶瓷电容器由上述介电陶瓷形成电介质层(1a～1g)。
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公开(公告)号：CN101792313A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010002172.4
申请日：2010-01-13
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 石原雅之
CPC分类号： C04B35/4682 , B82Y30/00 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/6025 , C04B2235/652 , C04B2235/656 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/781 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , H01G4/1227 , H01G4/30
摘要： 本发明提供一种以ABO3(A必须含有Ba，而且还含有Ca以及Sr中的至少一种B必须含有Ti，而且还含有Zr以及Hf中的至少一种)为主要成分，并且含有Si作为副成分的电介质陶瓷，并提高其介电常数。电介质陶瓷(11)，含有：主相粒子(12)，其由ABO3系的主要成分构成；第二相粒子(13)，其具有与主相粒子(12)不同的组成。将相对于该电介质陶瓷(11)中的Si的全部含有量的第二相粒子(13)中的Si含有量的比率设为40％以上，使Si的分布更多集中于第二相粒子(13)。优选第二相粒子中的Si含有量为30mol％以上。
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公开(公告)号：CN101628809A
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：CN200910139935.7
申请日：2009-07-15
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： C04B35/465 , C04B35/468 , C04B35/47 , C04B35/48 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC分类号： C04B35/49 , B82Y30/00 , C04B35/4682 , C04B35/62685 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3234 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3267 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3418 , C04B2235/3436 , C04B2235/5445 , C04B2235/5454 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/768 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , H01G4/1227 , H01G4/30
摘要： 提供一种介电陶瓷，其对于热冲击的耐受性高，因此，适用于形成为了大容量化而薄层化的层积陶瓷电容器的介电陶瓷层。是以ABO 3 代表的钙钛矿型化合物为主成分介电陶瓷，ABO 3 譬如为BaTiO 3 时，其晶粒含有由主成分构成的BaTiO 3 晶粒(11)，并且作为二次相，使之含有由至少含有Mg、Ni和Ti的结晶性氧化物构成的Mg-Ni-Ti-O结晶性氧化物粒子(12)，和由至少含有Ba和Si的结晶性氧化物构成的Ba-Si-O系结晶性粒子(13)。
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公开(公告)号：CN102034605A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010294384.4
申请日：2010-09-21
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： H01G4/1209
摘要： 本发明涉及一种层叠陶瓷电子部件，用于在层叠陶瓷电容器那样的层叠陶瓷电子部件中，即使内部电极的厚度薄，也难以产生构造缺陷。例如在层叠陶瓷电容器(1)中，内部电极(4、5)含有卑金属作为导电成分，电介质陶瓷层(3)由以ABO3(A必须含有Ba，有时进一步含有Ca及Sr的至少一方；B必须含有Ti，有时进一步含有Zr及Hf的至少一方)为主成分，含有从Li、K及Na中选择的至少一种碱金属元素作为副成分的电介质陶瓷构成。各内部电极(4、5)的厚度为0.5μm以下，在上述电介质陶瓷中，相对于主成分为100摩尔部，碱金属元素的含有量为0.2摩尔部以上。
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公开(公告)号：CN101006028A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200680000624.7
申请日：2006-04-13
申请人： 株式会社村田制作所
IPC分类号： C04B35/468 , H01G4/12 , H01B3/12
CPC分类号： C04B35/62675 , C01G23/006 , C01P2002/34 , C01P2006/40 , C04B35/4682 , C04B35/6261 , C04B35/62815 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3236 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3289 , C04B2235/3291 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/656 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/79 , C04B2235/85 , H01G4/1227 , H01G4/30
摘要： 本发明提供具有不低于5,500的高介电常数并且具有良好的介电常数温度特性的介电陶瓷，并且提供静电电容温度特性满足X5R特性的小的高电容单片陶瓷电容器。所述介电陶瓷具有包含BaTiO3系或(Ba，Ca)TiO3系主要组分和包含稀土元素和Cu的附加组分的组成，并且具有由晶粒(21)和占据在晶粒(21)之间的晶粒间界(22)构成的结构。晶粒间界(22)中的稀土元素平均浓度与晶粒(21)内部稀土元素的平均浓度的摩尔比小于2，并且在介电陶瓷的横截面中，在第一晶粒(21A)的不低于90％的区域中存在稀土元素，其数量为晶粒(21)的55％至85％，并且在第二晶粒(21B)的小于10％的区域中存在稀土元素，其数量为晶粒(21)的15％至45％。
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公开(公告)号：CN101675013B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN200880005940.2
申请日：2008-02-14
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： H01G4/1227 , C04B35/4682 , C04B35/6261 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3232 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3272 , C04B2235/3275 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3289 , C04B2235/3291 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/5481 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , H01B3/12 , H01G4/30 , Y10T29/435
摘要： 本发明提供一种电介质陶瓷以及使用该电介质陶瓷的叠层陶瓷电容器，该电介质陶瓷的AC电压特性良好，能维持所需的较大电介常数及良好的温度特性，电介损失亦较小，且能确保可靠性。本发明的电介质陶瓷由通式：100BamTiO3+aROn+bMOv+cXOw(R为Dy、La等规定的稀土类元素，M为Mn、Mg等规定的金属元素，n、v及w为根据元素R、M以及烧结助剂成分X的价数所唯一决定的正数)表示，主相粒子中所述副成分的固溶区域的剖面积比平均为10％以下(包含0％)，烧结助剂成分X至少含有Si。m、a、b、c为0.995≤m≤1.030、0.1≤a≤2.0、0.1≤b≤3.0、0.1≤c≤5.0。叠层陶瓷电容器的电介质层1a～1g是藉由所述电介质陶瓷所形成。
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公开(公告)号：CN102034605B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201010294384.4
申请日：2010-09-21
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： H01G4/1209
摘要： 本发明涉及一种层叠陶瓷电子部件，用于在层叠陶瓷电容器那样的层叠陶瓷电子部件中，即使内部电极的厚度薄，也难以产生构造缺陷。例如在层叠陶瓷电容器(1)中，内部电极(4、5)含有卑金属作为导电成分，电介质陶瓷层(3)由以ABO3(A必须含有Ba，有时进一步含有Ca及Sr的至少一方；B必须含有Ti，有时进一步含有Zr及Hf的至少一方)为主成分，含有从Li、K及Na中选择的至少一种碱金属元素作为副成分的电介质陶瓷构成。各内部电极(4、5)的厚度为0.5μm以下，在上述电介质陶瓷中，相对于主成分为100摩尔部，碱金属元素的含有量为0.2摩尔部以上。
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公开(公告)号：CN102473523A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080036382.3
申请日：2010-07-21
申请人： 株式会社村田制作所
CPC分类号： H01G4/1227 , H01G13/00
摘要： 一种层叠陶瓷电容器，即使电介质陶瓷层以及内部电极发生薄层化，也不损害可靠性。对用于层叠陶瓷电容器(1)的未处理的状态的层叠体(2)进行煅烧时，以将从室温至最高温度的平均升温速度设定为40℃/秒以上的温度曲线模式进行热处理，其中，所述层叠陶瓷电容器(1)具备含有电介质陶瓷原料粉末的电介质陶瓷层(3)和内部电极(4以及5)，同时作为电介质陶瓷原料粉末，以BaTiO3作为主成分，含有Re(Re为选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb以及Lu中的至少一种)为副成分，相对于主成分100摩尔份，Re的含量为0.3～3摩尔份。
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