使用去耦横向激发薄膜体声谐振器的双工器

    公开(公告)号:CN117136500A

    公开(公告)日:2023-11-28

    申请号:CN202280025243.3

    申请日:2022-03-29

    发明人: 肖恩·麦克休

    IPC分类号: H04B1/38

    摘要: 公开了双工器、滤波器设备和方法。该双工器包括:第一芯片,包括高频带滤波器的串联谐振器;第二芯片,包括高频带滤波器的并联谐振器和低频带滤波器的串联谐振器;以及第三芯片,包括低频带滤波器的并联谐振器。高频带滤波器的串联谐振器和并联谐振器是去耦横向激发薄膜体声谐振器(DXBAR)。低频带滤波器的串联谐振器和并联谐振器是横向激发薄膜体声谐振器(XBAR)。

    带螺旋状叉指换能器指状物的横向激励薄膜体声学谐振器

    公开(公告)号:CN116529557A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202180073733.6

    申请日:2021-11-11

    IPC分类号: G01B21/28

    摘要: 声学谐振器设备、滤波器以及方法。一种声学谐振器,包括衬底和压电板,该压电板的一部分是跨越衬底中的空腔的膜片。在压电板的前表面上的导体图案包括交替地连接到第一母线和第二母线的交织的叉指换能器(IDT)指状物。交织的IDT指状物在膜片上,并且该交织的IDT指状物包括至少第一对交织的螺旋状IDT指状物。

    使用后侧涂层来调谐声学谐振器
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118715712A

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202380022091.6

    申请日:2023-02-16

    发明人: 肖恩·麦克休

    摘要: 提供了一种滤波器装置,该滤波器装置包括基板和附接到该基板的压电板。导体图案(638a、638b、738a、738b)形成在压电板的第一表面上,并且包括串联谐振器和并联谐振器的叉指换能器,每个叉指换能器在悬置板的相应振膜处具有交错指状物。第一介电涂层(612、712)形成在IDT的交错指状物上方以及压电板的第一表面上;以及第二介电涂层(614、714)形成在压电板的与第一表面相对的第二表面上。并联谐振器的第二介电涂层(714)的厚度(tbd7)比串联谐振器的至少一个第二介电涂层(614)的厚度(tbd6)大。

    使用解耦横向激发薄膜体声学谐振器的滤波器

    公开(公告)号:CN118285055A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202280077257.X

    申请日:2022-11-21

    发明人: 肖恩·麦克休

    摘要: 公开了滤波器件和制造的方法。一种声学滤波器件包括基板(720)和压电板(710),压电板的第一部分跨越基板中的第一空腔(740B),并且压电板的第二部分跨越基板中的第二空腔(740A)。压电板的第一部分和第二部分的前表面上的解耦介电层(750A、750B)在第一部分上具有第一厚度td1并且在第二部分上具有比第一厚度大的第二厚度td2。第一叉指换能器的交错指在压电板的第一部分之上的解耦介电层上,并且第二IDT的交错指在压电板的第二部分之上的解耦介电层上。

    用于热传输的声学谐振器盖子
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117915250A

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202311353514.0

    申请日:2023-10-18

    IPC分类号: H04R17/00

    摘要: 提供了一种用于对射频信号进行滤波的装置。该装置包括基板和耦接到基板的振膜,振膜包括压电材料。该装置还包括耦接到振膜的叉指换能器(IDT)并且包括多个交错指状物。该装置还包括盖子,其中振膜布置在基板和盖子之间,其中,在振膜的第一主表面和盖子之间具有第一空腔,第一空腔具有第一高度,并且在振膜的与第一主表面相对的第二主表面和基板之间具有第二空腔,第二空腔具有第二高度。此外,振膜的第一主表面和盖子之间的第一高度大于多个交错指状物中的至少一对交错指状物的间距,并且至多是第二高度的四倍。