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公开(公告)号：CN113454799A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202080015673.8
申请日：2020-02-04
申请人： 株式会社村田制作所 , 国立大学法人大阪大学
IPC分类号： H01L51/30 , G01N27/414 , H01L29/16 , H01L29/66 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40
摘要： 一种石墨烯晶体管，其包含：由至少一层石墨烯组成的石墨烯层、与前述石墨烯层电连接的漏电极和源电极、以及存在于前述石墨烯层的至少一个主表面上且包含杂质电荷的电荷供体，所述石墨烯晶体管还包含抗衡离子，所述抗衡离子是具有与前述杂质电荷的符号不同的电荷的离子。
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公开(公告)号：CN113454799B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202080015673.8
申请日：2020-02-04
申请人： 株式会社村田制作所 , 国立大学法人大阪大学
IPC分类号： H10K85/20 , G01N27/414 , H01L29/16 , H01L29/66 , H01L29/786 , H10K10/46 , H10K71/00
摘要： 一种石墨烯晶体管，其包含：由至少一层石墨烯组成的石墨烯层、与前述石墨烯层电连接的漏电极和源电极、以及存在于前述石墨烯层的至少一个主表面上且包含杂质电荷的电荷供体，所述石墨烯晶体管还包含抗衡离子，所述抗衡离子是具有与前述杂质电荷的符号不同的电荷的离子。
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公开(公告)号：CN103648978B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280032880.X
申请日：2012-06-26
申请人： 学校法人中部大学 , 国立大学法人北海道大学 , 国立大学法人大阪大学 , 日新电机株式会社
IPC分类号： C01B31/02
CPC分类号： C01B31/0293 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/18 , Y10T428/24612
摘要： 碳纳米墙排列体(10)具备基板(1)及碳纳米墙(2～9)。基板(1)包含硅。并且，基板(1)包含凸部(11)及凹部(12)。凸部(11)以及凹部(12)沿着方向DR1而形成在基板1的一个表面。凸部(11)以及凹部(12)是在垂直于方向DR1的方向DR2上交替地形成。凸部(11)在方向DR2上具有0.1μm～0.5μm的长度，凹部(12)在方向DR2上具有0.6μm～1.5μm的长度。而且，凸部(11)的高度为0.3μm～0.6μm。碳纳米墙(2～9)各自沿着基板(1)的凸部(11)的长度方向(＝方向DR1)而形成在凸部(11)上。
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公开(公告)号：CN104584228A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201280075389.5
申请日：2012-08-23
申请人： 学校法人中部大学 , 国立大学法人北海道大学 , 国立大学法人大阪大学 , 日新电机株式会社
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78687 , H01L29/1033 , H01L29/1606 , H01L29/42384 , H01L29/66045 , H01L29/66742 , H01L29/778 , H01L29/7788 , H01L29/7789 , H01L29/78603 , H01L29/78684 , H01L29/78696
摘要： 薄膜晶体管10具备硅基板1、沟道层2、源极电极3及漏极电极4。沟道层2、源极电极3及漏极电极4配置在硅基板1的一主面上。沟道层2包含多个碳纳米墙薄膜21～25，多个碳纳米墙薄膜21～25并列配置在源极电极3与漏极电极4之间，多个碳纳米墙薄膜21～25的其中一端接触源极电极3，多个碳纳米墙薄膜21～25的另一端接触漏极电极4。绝缘膜及栅极电极配置在硅基板1的背面侧。
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公开(公告)号：CN103648978A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280032880.X
申请日：2012-06-26
申请人： 学校法人中部大学 , 国立大学法人北海道大学 , 国立大学法人大阪大学 , 日新电机株式会社
IPC分类号： C01B31/02
CPC分类号： C01B31/0293 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/18 , Y10T428/24612
摘要： 碳纳米墙排列体(10)具备基板(1)及碳纳米墙(2～9)。基板(1)包含硅。并且，基板(1)包含凸部(11)及凹部(12)。凸部(11)以及凹部(12)沿着方向DR1而形成在基板1的一个表面。凸部(11)以及凹部(12)是在垂直于方向DR1的方向DR2上交替地形成。凸部(11)在方向DR2上具有0.1μm～0.5μm的长度，凹部(12)在方向DR2上具有0.6μm～1.5μm的长度。而且，凸部(11)的高度为0.3μm～0.6μm。碳纳米墙(2～9)各自沿着基板(1)的凸部(11)的长度方向(＝方向DR1)而形成在凸部(11)上。
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