半导体传感器
    3.
    发明公开
    半导体传感器 审中-实审

    公开(公告)号:CN116194404A

    公开(公告)日:2023-05-30

    申请号:CN202180058074.9

    申请日:2021-08-17

    IPC分类号: B82Y10/00

    摘要: 半导体传感器(1)具备:绝缘基板(11);半导体片(12),配置在绝缘基板(11)上,包含石墨烯或者碳纳米管;源极电极(13)以及漏极电极(14),配置在绝缘基板(11)上,与半导体片(12)电连接;氧化膜(15),配置为覆盖半导体片(12)的表面,包含二氧化硅、矾土或者它们的复合氧化物;和受体(16),配置在氧化膜(15)的表面。

    共振执行器
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101361204B

    公开(公告)日:2011-04-06

    申请号:CN200680051274.7

    申请日:2006-12-20

    IPC分类号: H01L41/09 H01L41/187 H02N2/00

    CPC分类号: H01L41/187 H01L41/0906

    摘要: 本发明提供一种共振执行器,包括:具备以共振频率或共振频率附近的频率区域进行振动的变位元件的驱动部;和被上述变位元件驱动的被驱动部件。上述变位元件,具有由铋层状化合物组成的压电陶瓷基体。此外,优选变位元件的变位方向与压电陶瓷基体的极化方向为同一方向。此外,优选铋层状化合物的结晶轴的c轴在垂直于压电陶瓷基体的极化方向的方向上取向。优选c轴的取向度是Lotgering法下的75%以上。由此,饱和振动速度加大,即使提升振动速度,也不会导致该振动速度的不稳定,可以最大限度地抑制共振频率fr和机械品质系数Qm的下降,而且,即便施加高电场,也可以得到较大变位量。

    压电陶瓷组合物
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1083812C

    公开(公告)日:2002-05-01

    申请号:CN98115489.1

    申请日:1998-07-09

    IPC分类号: C04B35/475 H01L41/187

    CPC分类号: H01L41/187 C04B35/475

    摘要: 本发明所揭示的是压电陶瓷组合物,它包含(Na0.5Bi0.5)Bi4Ti4O15,或(Na0.5Bi0.5)1-xMxBi4Ti4O15为基本组分,其中M至少是一种二价金属元素或者是(A10.5A20.5),而A1至少是一种一价的金属元素,A2至少是一种三价的金属元素,并且0≤x≤0.5),和按MnCO3计,相对于基本组分其含量约为0.7-3.0%重量的次要组分锰。本发明的压电陶瓷组合物在高于500℃温度的压电常数d33不小于25pC/N。