公开(公告)号：CN106463393B

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201680001490.4

申请日：2016-01-08

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 村山贵英 ,  森川泰宏 ,  作石敏幸

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J17/04 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/0206 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/38 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/2468 ,  H05H2001/4652 ,  H05H2001/4667 ,  H05H2001/469

Abstract: 本发明的等离子体处理装置具备：腔室，其内部能够进行减压，在所述内部能够对被处理体进行等离子体处理；平板状的第一电极，配设于所述腔室内，载置所述被处理体；第一高频电源，对所述第一电极施加第一频率的偏置电压；螺旋状的第二电极，配置于所述腔室外，以隔着形成所述腔室的上盖的石英板而与所述第一电极对置的方式配置；以及气体导入单元，将含有氟的工艺气体从在所述上盖或其附近配置的气体导入口导入到所述腔室内，针对所述第二电极，电连接有施加第二频率的交流电压的第二高频电源和施加比所述第二频率高的第三频率的交流电压的第三高频电源，同时施加两种交流电压。

公开(公告)号：CN114068320A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110879598.6

申请日：2021-08-02

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 土居谦太 ,  作石敏幸 ,  中村敏幸 ,  森川泰宏

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308

Abstract: 本发明涉及一种硅的干蚀刻方法。在本发明的硅的干蚀刻方法中，准备硅基板，形成在所述硅基板上具有开口的掩模图案，根据所述掩模图案，导入第一气体以在所述硅基板上形成沉积层，根据所述掩模图案，导入第二气体对所述硅基板进行干蚀刻处理以在所述硅基板的表面形成凹部图案，导入第三气体对所述硅基板进行灰化处理。

公开(公告)号：CN106463393A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201680001490.4

申请日：2016-01-08

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 村山贵英 ,  森川泰宏 ,  作石敏幸

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J17/04 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/0206 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/38 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/2468 ,  H05H2001/4652 ,  H05H2001/4667 ,  H05H2001/469

Abstract: 本发明的等离子体处理装置具备：腔室，其内部能够进行减压，在所述内部能够对被处理体进行等离子体处理；平板状的第一电极，配设于所述腔室内，载置所述被处理体；第一高频电源，对所述第一电极施加第一频率的偏置电压；螺旋状的第二电极，配置于所述腔室外，以隔着形成所述腔室的上盖的石英板而与所述第一电极对置的方式配置；以及气体导入单元，将含有氟的工艺气体从在所述上盖或其附近配置的气体导入口导入到所述腔室内，针对所述第二电极，电连接有施加第二频率的交流电压的第二高频电源和施加比所述第二频率高的第三频率的交流电压的第三高频电源，同时施加两种交流电压。