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公开(公告)号：CN119517716A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411070191.9
申请日：2024-08-06
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种能够扩大在上部电极侧生成的等离子体的形成区域而提高处理速度的等离子体处理装置及其控制方法。本发明的一个方式的等离子体处理装置具有真空腔室、支承基板用的工作台、对置电极、谐振电路。上述工作台配置在上述真空腔室的内部，与供给第一频率的高频电力的第一高频电源电路连接。上述对置电极与上述工作台相对配置，与供给第二频率的高频电力的第二高频电源电路连接。上述谐振电路使来自上述对置电极的上述第二频率的高频电流通过。
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公开(公告)号：CN117293007A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310741171.9
申请日：2023-06-21
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01J37/32 , H01L21/67 , C23C16/44 , C23C16/52 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开等离子体处理装置及等离子体处理方法。等离子体处理装置具备腔室、内部电极、外部电极、等离子体生成电源和气体导入部。等离子体生成电源对外部电极施加规定频率的交流电。外部电极具有第一电极、第二电极和第三电极。等离子体生成电源具有第一高频电源、第二高频电源和电力分配器。第一高频电源对第一电极及第二电极施加第一频率λ1的交流电。第二高频电源对第三电极施加第二频率λ2的交流电。第一频率λ1与第二频率λ2的关系满足λ1＞λ2的关系。电力分配器被构造为将待施加于第一电极及第二电极的交流电以规定的分配比分配给第一电极及第二电极中的每一个电极，并且将分配后的交流电施加到第一电极及第二电极。
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公开(公告)号：CN101652840B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN200880011080.3
申请日：2008-05-14
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32467 , H01J37/32009 , H01J37/321 , H01J37/32568
Abstract: 一种等离子体处理装置，该装置在被处理基板上进行贵金属材料和强电介质材料的等离子体处理，并且具有被加热且暴露于等离子体的构成部件，所述构成部件由铝纯度99％以上的铝合金形成。
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公开(公告)号：CN116744525A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310219348.9
申请日：2023-03-07
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 提供一种等离子体处理方法及等离子体处理装置，相对于等离子体生成的时机，能在适当的时机朝向偏压电极输出高频电力。通过基于从脉冲生成部(40)反复输出的第1脉冲，天线用电源(23)向ICP天线(21)间歇地输出第1高频电力，从而生成等离子体(P)，由检测部(50)检测出基于本次的第1脉冲的等离子体(P)的生成开始，计算从本次的第1脉冲的上升到检测部(50)检测出等离子体(P)的生成开始为止的延迟期间，以从在计算出延迟期间后输出的第1脉冲的上升算起经过延迟期间的时间点为基准，基于从脉冲生成部(40)反复输出的第2脉冲，偏压用电源(33)向偏压电极(31)输出第2高频电力。
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公开(公告)号：CN114303227B
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202180005049.4
申请日：2021-08-24
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种高频电力电路，包含第一天线电路(Lin,VCin1,VCin2)、第二天线电路(Lo,VCo1,VCo2)及控制部(51)。第一天线电路包含用于生成等离子的第一天线(Lin)、第一分配用电容器(VCin1)及第一可变电容器(VCin2)。第二天线电路包含用于生成等离子的第二天线(Lo)、第二分配用电容器(VCo1)及第二可变电容器(VCo2)。控制部依据生成等离子时的第一天线与第一可变电容器的串联部的电流与电压的相位差的检测结果，以该相位差变小的方式设定第一可变电容器的电容值。此外，控制部依据生成等离子时的第二天线与第二可变电容器的串联部的电流与电压的相位差的检测结果，以该相位差变小的方式设定第二可变电容器的电容值。
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公开(公告)号：CN114303227A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202180005049.4
申请日：2021-08-24
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01J37/32
Abstract: 一种高频电力电路，包含第一天线电路(Lin,VCin1,VCin2)、第二天线电路(Lo,VCo1,VCo2)及控制部(51)。第一天线电路包含用于生成等离子的第一天线(Lin)、第一分配用电容器(VCin1)及第一可变电容器(VCin2)。第二天线电路包含用于生成等离子的第二天线(Lo)、第二分配用电容器(VCo1)及第二可变电容器(VCo2)。控制部依据生成等离子时的第一天线与第一可变电容器的串联部的电流与电压的相位差的检测结果，以该相位差变小的方式设定第一可变电容器的电容值。此外，控制部依据生成等离子时的第二天线与第二可变电容器的串联部的电流与电压的相位差的检测结果，以该相位差变小的方式设定第二可变电容器的电容值。
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公开(公告)号：CN105917457A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201580005167.X
申请日：2015-01-21
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/673 , H01L21/3065 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6833 , H01J37/32724 , H01J37/32733 , H01L21/67069 , H01L21/67098 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67313 , H01L21/67333 , H01L21/6831 , H01L21/68771
Abstract: 本发明的等离子体处理装置具备：晶片搬送用托盘，具有第一面以及与所述第一面相反的第二面，并以所述第一面保持晶片；冷却部，冷却所述晶片搬送用托盘；导电性支撑体，支撑所述晶片搬送用托盘的所述第二面；以及双面静电吸附部，以所述晶片搬送用托盘的所述第一面静电吸附所述晶片，以所述晶片搬送用托盘的所述第二面静电吸附所述支撑体。
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公开(公告)号：CN115249614A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210440462.X
申请日：2022-04-25
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065 , H01L21/308
Abstract: 本发明涉及一种蚀刻方法。本发明的蚀刻方法具有：抗蚀剂图案形成工序，在被处理体上对由树脂构成的抗蚀剂层形成抗蚀剂图案；蚀刻工序，经由具有所述抗蚀剂图案的所述抗蚀剂层对所述被处理体进行蚀刻；以及抗蚀剂保护膜形成工序，在所述抗蚀剂层上形成抗蚀剂保护膜。反复进行多次所述蚀刻工序。在反复进行多次所述蚀刻工序之后，进行所述抗蚀剂保护膜形成工序。
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公开(公告)号：CN101681829B
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN200880012237.4
申请日：2008-06-19
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065 , C23F4/00 , H01L21/683 , H01L21/8246 , H01L27/105
CPC classification number: H01L21/68735 , C23F4/00 , G11C11/22 , H01J37/321 , H01J37/32568 , H01J37/32642 , H01J37/3266 , H01J2237/022 , H01J2237/2001 , H01L21/31122 , H01L21/32136 , H01L21/67069 , H01L27/11507 , H01L27/1159
Abstract: 本发明提供一种蚀刻方法，使用如下装置，该装置具备通过等离子体激发蚀刻气体的腔、配置在上述腔内的用于载置并加热被处理基板的台、和配置在上述台的周围的由耐蚀刻材料形成的框部件，上述框部件的上表面与上述台的上表面相比配置在下方，在上述台的上表面配置上述被处理基板以使上述被处理基板的周缘部在上述框部件的上方露出，在从上述框部件的上表面到上述被处理基板底面的高度为G，从上述台的侧面到上述被处理基板外周的露出长度为H时，配置上述被处理基板以使H/G为1.5以上。
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公开(公告)号：CN101652840A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200880011080.3
申请日：2008-05-14
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065 , H05H1/46
CPC classification number: H01J37/32467 , H01J37/32009 , H01J37/321 , H01J37/32568
Abstract: 一种等离子体处理装置，该装置在被处理基板上进行贵金属材料和强电介质材料的等离子体处理，并且具有被加热且暴露于等离子体的构成部件，所述构成部件由铝纯度99％以上的铝合金形成。
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