公开(公告)号：CN110462769A

公开(公告)日：2019-11-15

申请号：CN201980001803.X

申请日：2019-02-14

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 吴承俊 ,  森田正 ,  野末龙弘

IPC: H01F41/18 ,  H01F41/22 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明提供磁性膜的形成方法，其包括：将靶材进行溅射而在成膜对象上形成非晶态的磁性膜(S12)，该靶材以选自由Mn3Sn、Mn3Ge和(Mn1-xFex)Ge组成的组中的任意一种作为主成分；以及对非晶态的磁性膜进行加热，使非晶态的磁性膜结晶化(S13)。结晶化包括将非晶态的磁性膜在225℃以上400℃以下的温度进行加热。

公开(公告)号：CN110462769B

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201980001803.X

申请日：2019-02-14

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 吴承俊 ,  森田正 ,  野末龙弘

IPC: H01F41/18 ,  H01F41/22 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 本发明提供磁性膜的形成方法，其包括：将靶材进行溅射而在成膜对象上形成非晶态的磁性膜(S12)，该靶材以选自由Mn3Sn、Mn3Ge和(Mn1‑xFex)Ge组成的组中的任意一种作为主成分；以及对非晶态的磁性膜进行加热，使非晶态的磁性膜结晶化(S13)。结晶化包括将非晶态的磁性膜在225℃以上400℃以下的温度进行加热。