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公开(公告)号：CN102203856B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN200980143329.0
申请日：2009-10-27
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: G11B5/84 , H01J37/317
CPC classification number: G11B5/85 , H01J37/244 , H01J37/3171 , H01J2237/24585 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明涉及离子注入装置。本发明的离子注入装置（10）具有配置在照射离子的照射范围（5）内的测定对象物（31）。在通过向处理对象物（40）照射处理气体离子和所述处理气体离子中性化的中性化粒子，由此，向所述处理对象物（40）注入原子时，向测定对象物（31）也照射所述处理气体离子和所述中性化粒子，所以，所述测定对象物（31）的温度上升。并且，控制装置（34）根据所计测的所述测定对象物（31）的温度求出所述处理对象物（40）的原子注入量。由此，能够提供正确测定原子注入量的离子注入装置。
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公开(公告)号：CN102197425A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200980142558.0
申请日：2009-11-18
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 本发明的目的是提供能够制造磁存储介质的简单制造方法、可以通过该简单制造方法制造的具有高记录密度的磁存储介质以及信息存储装置。通过具有以下步骤的制造方法制造磁盘(10)：成膜步骤(A)，在基板(61)上形成由Co-Cr-Pt合金制成的且具有小于10nm的厚度的磁性膜(62)；以及离子注入步骤(C)，将离子局部地注入除了形成磁性点的多个区域以外的其他区域降低其饱和磁化强度，从而在所述磁性点之间形成饱和磁化强度比所述磁性点的饱和磁化强度小的所述点间分隔体，在磁性点中以磁的方式记录信息。
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公开(公告)号：CN110462769A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201980001803.X
申请日：2019-02-14
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01F41/18 , H01F41/22 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/10
Abstract: 本发明提供磁性膜的形成方法，其包括：将靶材进行溅射而在成膜对象上形成非晶态的磁性膜(S12)，该靶材以选自由Mn3Sn、Mn3Ge和(Mn1-xFex)Ge组成的组中的任意一种作为主成分；以及对非晶态的磁性膜进行加热，使非晶态的磁性膜结晶化(S13)。结晶化包括将非晶态的磁性膜在225℃以上400℃以下的温度进行加热。
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公开(公告)号：CN103250263B
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201180058075.X
申请日：2011-12-20
Applicant: 株式会社爱发科 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 本发明提供了一种无需MgO成膜工序的垂直磁化型磁性元件的制造方法。本发明的磁阻元件(1)的制造方法包括在基体(10)上层压第一层(30)，该第一层(30)由包含Co、Ni和Fe中的至少一种的材料构成。接着，在第一层(30)上层压由Mg构成的第二层(40)。接着，对包括所述第一层(30)和所述第二层(40)的层压体实施氧化处理，使第二层(40)的Mg氧化为MgO。接着，对所述层压体实施加热处理，使第二层(40)结晶，并使第一层(30)垂直磁化。根据该制造方法，可在不产生由MgO成膜所引起的问题的情况下，制造出CoFeB-MgO系材料的垂直磁化型磁性元件。
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公开(公告)号：CN102160116B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200980136655.9
申请日：2009-09-17
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: G11B5/84
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 制造磁图案的对比度高的磁记录介质。通过改变用于加速处理气体的离子的加速电压，即便作为抗蚀剂(49)的薄膜部分的离子透过部(48)的膜厚减少，也能够将目标元素的注入量为最大的距磁性层(44)的深度(峰值深度D0、D1)设为设定的深度。通过将峰值深度(D0、D1)设为设定的深度，将磁性膜(44)的处理部(43)从表面非磁性化至背面，并分离磁性部，因而得到磁图案的对比度高的磁记录介质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102171757A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200980138594.X
申请日：2009-09-30
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 通过不会削弱量产能力的方法来制造具有高记录密度的磁存储介质。通过包括以下步骤的制造方法来制造磁存储介质(10)：磁性膜形成步骤，在基板(61)上形成磁性膜(62)；以及点间分隔步骤，通过将N2+离子与N+离子的混合离子局部地注入到磁性膜(62)的除了分别是以磁的方式记录信息的磁性点(62c)的多个区域之外的区域来降低饱和磁化，从而在所述磁性点(62c)之间形成饱和磁化比所述磁性点(62c)的饱和磁化小的分隔区域(62d)。
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公开(公告)号：CN101095246A
公开(公告)日：2007-12-26
申请号：CN200580045808.0
申请日：2005-12-29
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L43/12 , H01L27/105 , G11B5/39 , H01L43/08 , H01L21/8246 , H01F41/18
CPC classification number: G11B5/3909 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11B5/3163 , G11B5/3903 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F41/307 , H01L43/12
Abstract: 一种磁性多层膜的制造方法，包括：在衬底上形成第1磁性层的第1磁性层形成工序；在所述第1磁性层上形成非磁性层的非磁性层形成工序；在所述非磁性层上形成第2磁性层的第2磁性层形成工序；其特征在于，该方法还包括等离子体处理工序，在所述非磁性层形成工序之前，将所述衬底放到等离子体处理装置中，使所述衬底与所述等离子体处理装置处于电绝缘状态，用感应耦合等离子体进行处理。
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公开(公告)号：CN101815806B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN200880110410.4
申请日：2008-09-29
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: C23C14/3407 , C23C14/352 , H01J37/34 , H01J37/347 , H01L43/12
Abstract: 一种改善膜厚均匀性的成膜装置和成膜方法。旋转机构(24，26，27，29，31，MT)将带溅射面的靶(32)保持在与基板(S)表面倾斜的状态。所述旋转机构可绕轴线旋转地支撑靶(32)，该轴线沿溅射面法线延伸。对由旋转机构支撑的所述靶(32)溅射以在基板(S)表面形成薄膜。在成膜时，旋转机构保持靶(32)的旋转角度。
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公开(公告)号：CN102105933B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200980128574.4
申请日：2009-07-16
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: G11B5/855 , B82Y25/00 , H01F1/009 , H01F10/3295
Abstract: 通过简单的制造方法来实现高记录密度的磁记录介质。所述磁记录介质包括：基板，形成在所述基板上的多个磁性点，以及形成在磁性点之间的点间分隔带。各磁性点具有人工格子结构，在该人工格子结构中在所述基板上交替地层叠多种类型的原子层，并且信息被磁性地记录。各点间分隔带具有与所述磁性点的人工格子结构连续的人工格子结构，所述各点间分隔带通过将离子注入到所述人工格子结构中来形成，并且具有比所述磁性点的饱和磁化强度小的饱和磁化强度。
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公开(公告)号：CN102224544A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200980147350.8
申请日：2009-12-22
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 本发明的目的是提供能够制造位元规则型等的类型的磁存储介质的简单实用的方法、可以由这种简单实用的方法制造的上述类型的磁存储介质和信息存储装置，在磁盘制造方法中，执行以下步骤：成膜工序(A)，在玻璃基板(61)上形成磁性膜(62)，使得居里温度为600K以下；以及离子注入工序(C)，将离子局部地注入到所述磁性膜(62)上的除了预定的保护区域以外的区域。
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