公开(公告)号：CN101563478A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200780046756.8

申请日：2007-12-17

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 木村勳 ,  神保武人 ,  菊地真 ,  西冈浩 ,  邹红罡

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/14 ,  C23C14/34 ,  H01L41/187 ,  H01L41/22

CPC分类号： H01L41/083 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/088 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/316

摘要： 一种多层薄膜形成方法和多层薄膜形成装置，其提高了由铅基钙钛矿复合氧化物形成的薄膜的介电特性和压电特性。所述多层薄膜形成方法包括：通过溅射下部电极层靶材(TG2)，在基片(S)上形成包含贵重金属的下部电极层(32b)；以及通过溅射包括铅的氧化物层靶材(TG3)，在所述下部电极层(32b)上叠置铅基复合氧化物层(33)。所述下部电极层(32b)的厚度限制为10到30nm，并且所述铅基复合氧化物层(33)的厚度限制为0.2到5.0μm。