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公开(公告)号：CN102105933B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200980128574.4
申请日：2009-07-16
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: G11B5/855 , B82Y25/00 , H01F1/009 , H01F10/3295
Abstract: 通过简单的制造方法来实现高记录密度的磁记录介质。所述磁记录介质包括：基板，形成在所述基板上的多个磁性点，以及形成在磁性点之间的点间分隔带。各磁性点具有人工格子结构，在该人工格子结构中在所述基板上交替地层叠多种类型的原子层，并且信息被磁性地记录。各点间分隔带具有与所述磁性点的人工格子结构连续的人工格子结构，所述各点间分隔带通过将离子注入到所述人工格子结构中来形成，并且具有比所述磁性点的饱和磁化强度小的饱和磁化强度。
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公开(公告)号：CN102224544A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200980147350.8
申请日：2009-12-22
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 本发明的目的是提供能够制造位元规则型等的类型的磁存储介质的简单实用的方法、可以由这种简单实用的方法制造的上述类型的磁存储介质和信息存储装置，在磁盘制造方法中，执行以下步骤：成膜工序(A)，在玻璃基板(61)上形成磁性膜(62)，使得居里温度为600K以下；以及离子注入工序(C)，将离子局部地注入到所述磁性膜(62)上的除了预定的保护区域以外的区域。
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公开(公告)号：CN102160116B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200980136655.9
申请日：2009-09-17
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: G11B5/84
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 制造磁图案的对比度高的磁记录介质。通过改变用于加速处理气体的离子的加速电压，即便作为抗蚀剂(49)的薄膜部分的离子透过部(48)的膜厚减少，也能够将目标元素的注入量为最大的距磁性层(44)的深度(峰值深度D0、D1)设为设定的深度。通过将峰值深度(D0、D1)设为设定的深度，将磁性膜(44)的处理部(43)从表面非磁性化至背面，并分离磁性部，因而得到磁图案的对比度高的磁记录介质。
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公开(公告)号：CN102171757A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200980138594.X
申请日：2009-09-30
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 通过不会削弱量产能力的方法来制造具有高记录密度的磁存储介质。通过包括以下步骤的制造方法来制造磁存储介质(10)：磁性膜形成步骤，在基板(61)上形成磁性膜(62)；以及点间分隔步骤，通过将N2+离子与N+离子的混合离子局部地注入到磁性膜(62)的除了分别是以磁的方式记录信息的磁性点(62c)的多个区域之外的区域来降低饱和磁化，从而在所述磁性点(62c)之间形成饱和磁化比所述磁性点(62c)的饱和磁化小的分隔区域(62d)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102203856B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN200980143329.0
申请日：2009-10-27
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: G11B5/84 , H01J37/317
CPC classification number: G11B5/85 , H01J37/244 , H01J37/3171 , H01J2237/24585 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明涉及离子注入装置。本发明的离子注入装置（10）具有配置在照射离子的照射范围（5）内的测定对象物（31）。在通过向处理对象物（40）照射处理气体离子和所述处理气体离子中性化的中性化粒子，由此，向所述处理对象物（40）注入原子时，向测定对象物（31）也照射所述处理气体离子和所述中性化粒子，所以，所述测定对象物（31）的温度上升。并且，控制装置（34）根据所计测的所述测定对象物（31）的温度求出所述处理对象物（40）的原子注入量。由此，能够提供正确测定原子注入量的离子注入装置。
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公开(公告)号：CN102197425A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN200980142558.0
申请日：2009-11-18
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 本发明的目的是提供能够制造磁存储介质的简单制造方法、可以通过该简单制造方法制造的具有高记录密度的磁存储介质以及信息存储装置。通过具有以下步骤的制造方法制造磁盘(10)：成膜步骤(A)，在基板(61)上形成由Co-Cr-Pt合金制成的且具有小于10nm的厚度的磁性膜(62)；以及离子注入步骤(C)，将离子局部地注入除了形成磁性点的多个区域以外的其他区域降低其饱和磁化强度，从而在所述磁性点之间形成饱和磁化强度比所述磁性点的饱和磁化强度小的所述点间分隔体，在磁性点中以磁的方式记录信息。
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公开(公告)号：CN102203856A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980143329.0
申请日：2009-10-27
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: G11B5/84 , H01J37/317
CPC classification number: G11B5/85 , H01J37/244 , H01J37/3171 , H01J2237/24585 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明涉及离子注入装置。本发明的离子注入装置（10）具有配置在照射离子的照射范围（5）内的测定对象物（31）。在通过向处理对象物（40）照射处理气体离子和所述处理气体离子中性化的中性化粒子，由此，向所述处理对象物（40）注入原子时，向测定对象物（31）也照射所述处理气体离子和所述中性化粒子，所以，所述测定对象物（31）的温度上升。并且，控制装置（34）根据所计测的所述测定对象物（31）的温度求出所述处理对象物（40）的原子注入量。由此，能够提供正确测定原子注入量的离子注入装置。
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公开(公告)号：CN102160116A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200980136655.9
申请日：2009-09-17
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: G11B5/84
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 制造磁图案的对比度高的磁记录介质。通过改变用于加速处理气体的离子的加速电压，即便作为抗蚀剂(49)的薄膜部分的离子透过部(48)的膜厚减少，也能够将目标元素的注入量为最大的距磁性层(44)的深度(峰值深度D0、D1)设为设定的深度。通过将峰值深度(D0、D1)设为设定的深度，将磁性膜(44)的处理部(43)从表面非磁性化至背面，并分离磁性部，因而得到磁图案的对比度高的磁记录介质。
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公开(公告)号：CN102105933A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200980128574.4
申请日：2009-07-16
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: G11B5/855 , B82Y25/00 , H01F1/009 , H01F10/3295
Abstract: 通过简单的制造方法来实现高记录密度的磁记录介质。所述磁记录介质包括：基板，形成在所述基板上的多个磁性点，以及形成在磁性点之间的点间分隔带。各磁性点具有人工格子结构，在该人工格子结构中在所述基板上交替地层叠多种类型的原子层，并且信息被磁性地记录。各点间分隔带具有与所述磁性点的人工格子结构连续的人工格子结构，所述各点间分隔带通过将离子注入到所述人工格子结构中来形成，并且具有比所述磁性点的饱和磁化强度小的饱和磁化强度。
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