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公开(公告)号：CN102203856A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980143329.0
申请日：2009-10-27
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: G11B5/84 , H01J37/317
CPC classification number: G11B5/85 , H01J37/244 , H01J37/3171 , H01J2237/24585 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明涉及离子注入装置。本发明的离子注入装置（10）具有配置在照射离子的照射范围（5）内的测定对象物（31）。在通过向处理对象物（40）照射处理气体离子和所述处理气体离子中性化的中性化粒子，由此，向所述处理对象物（40）注入原子时，向测定对象物（31）也照射所述处理气体离子和所述中性化粒子，所以，所述测定对象物（31）的温度上升。并且，控制装置（34）根据所计测的所述测定对象物（31）的温度求出所述处理对象物（40）的原子注入量。由此，能够提供正确测定原子注入量的离子注入装置。
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公开(公告)号：CN102160116A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200980136655.9
申请日：2009-09-17
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: G11B5/84
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 制造磁图案的对比度高的磁记录介质。通过改变用于加速处理气体的离子的加速电压，即便作为抗蚀剂(49)的薄膜部分的离子透过部(48)的膜厚减少，也能够将目标元素的注入量为最大的距磁性层(44)的深度(峰值深度D0、D1)设为设定的深度。通过将峰值深度(D0、D1)设为设定的深度，将磁性膜(44)的处理部(43)从表面非磁性化至背面，并分离磁性部，因而得到磁图案的对比度高的磁记录介质。
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公开(公告)号：CN102105933A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200980128574.4
申请日：2009-07-16
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: G11B5/855 , B82Y25/00 , H01F1/009 , H01F10/3295
Abstract: 通过简单的制造方法来实现高记录密度的磁记录介质。所述磁记录介质包括：基板，形成在所述基板上的多个磁性点，以及形成在磁性点之间的点间分隔带。各磁性点具有人工格子结构，在该人工格子结构中在所述基板上交替地层叠多种类型的原子层，并且信息被磁性地记录。各点间分隔带具有与所述磁性点的人工格子结构连续的人工格子结构，所述各点间分隔带通过将离子注入到所述人工格子结构中来形成，并且具有比所述磁性点的饱和磁化强度小的饱和磁化强度。
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公开(公告)号：CN102484066B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201180003426.7
申请日：2011-01-25
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065 , B81C1/00
CPC classification number: H01L21/30655 , B81C1/00087 , B81C2201/0112 , H01L21/3065
Abstract: 公开了一种干式蚀刻方法，包括第一步骤和第二步骤。第一步骤包括从混合气体生成第一种等离子体，并用所述第一种等离子体在硅层(Ls)进行各向异性蚀刻在其上形成凹槽，所述混合气体包括氧化气体和含氟气体；第二步骤包括交替地重复使用第二种等离子体在凹槽内侧表面形成有机膜的有机膜形成过程以及使用第一种等离子体在覆盖了有机膜的凹槽中进行各向异性蚀刻的蚀刻过程。当蚀刻阻挡层(Lo)从第一步骤形成的凹槽底部表面的部分露出来时，将第一步骤切换至第二步骤。
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公开(公告)号：CN102484066A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201180003426.7
申请日：2011-01-25
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065 , B81C1/00
CPC classification number: H01L21/30655 , B81C1/00087 , B81C2201/0112 , H01L21/3065
Abstract: 公开了一种干式蚀刻方法，包括第一步骤和第二步骤。第一步骤包括从混合气体生成第一种等离子体，并用所述第一种等离子体在硅层(Ls)进行各向异性蚀刻在其上形成凹槽，所述混合气体包括氧化气体和含氟气体；第二步骤包括交替地重复使用第二种等离子体在凹槽内侧表面形成有机膜的有机膜形成过程以及使用第一种等离子体在覆盖了有机膜的凹槽中进行各向异性蚀刻的蚀刻过程。当蚀刻阻挡层(Lo)从第一步骤形成的凹槽底部表面的部分露出来时，将第一步骤切换至第二步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101861640B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN200880116198.2
申请日：2008-11-13
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065 , H01L31/04 , H01L33/00
CPC classification number: H05K3/381 , H01L31/02363 , H01L33/24 , H05K2201/0212 , H05K2203/095 , Y02E10/50 , Y10T428/24479
Abstract: 本发明提供一种可减少工序的数量并在基板表面上形成凹凸结构的基板处理方法。在本发明的基板处理方法中，在基板(10)的表面(10s)上分散粒子(11)，以粒子为掩膜对基板的表面进行蚀刻处理并在基板的表面上形成凹凸结构，与此同时，通过上述蚀刻处理除去掩膜(11)。若采用上述基板处理方法，不需要在形成凹凸结构(12)后再从基板表面(10s)上除去掩膜(11)的工序。所以该方法可以大幅减少在基板表面上形成凹凸结构时所需的工序的数量，从而能够大幅提高生产效率。
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公开(公告)号：CN102105933B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN200980128574.4
申请日：2009-07-16
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: G11B5/855 , B82Y25/00 , H01F1/009 , H01F10/3295
Abstract: 通过简单的制造方法来实现高记录密度的磁记录介质。所述磁记录介质包括：基板，形成在所述基板上的多个磁性点，以及形成在磁性点之间的点间分隔带。各磁性点具有人工格子结构，在该人工格子结构中在所述基板上交替地层叠多种类型的原子层，并且信息被磁性地记录。各点间分隔带具有与所述磁性点的人工格子结构连续的人工格子结构，所述各点间分隔带通过将离子注入到所述人工格子结构中来形成，并且具有比所述磁性点的饱和磁化强度小的饱和磁化强度。
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公开(公告)号：CN102224544A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200980147350.8
申请日：2009-12-22
Applicant: 株式会社爱发科
CPC classification number: G11B5/855
Abstract: 本发明的目的是提供能够制造位元规则型等的类型的磁存储介质的简单实用的方法、可以由这种简单实用的方法制造的上述类型的磁存储介质和信息存储装置，在磁盘制造方法中，执行以下步骤：成膜工序(A)，在玻璃基板(61)上形成磁性膜(62)，使得居里温度为600K以下；以及离子注入工序(C)，将离子局部地注入到所述磁性膜(62)上的除了预定的保护区域以外的区域。
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公开(公告)号：CN102203856B
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN200980143329.0
申请日：2009-10-27
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: G11B5/84 , H01J37/317
CPC classification number: G11B5/85 , H01J37/244 , H01J37/3171 , H01J2237/24585 , H01J2237/31703
Abstract: 本发明涉及离子注入装置。本发明的离子注入装置（10）具有配置在照射离子的照射范围（5）内的测定对象物（31）。在通过向处理对象物（40）照射处理气体离子和所述处理气体离子中性化的中性化粒子，由此，向所述处理对象物（40）注入原子时，向测定对象物（31）也照射所述处理气体离子和所述中性化粒子，所以，所述测定对象物（31）的温度上升。并且，控制装置（34）根据所计测的所述测定对象物（31）的温度求出所述处理对象物（40）的原子注入量。由此，能够提供正确测定原子注入量的离子注入装置。
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公开(公告)号：CN102067303B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201080001888.0
申请日：2010-02-09
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/6831 , H01L21/67109
Abstract: 本发明提供一种晶片搬送用托盘，可以在加工时进行晶片的温度管理，不会减少晶片面内的有效区域，并且无需晶片的粘附工作、后处理，而可以容易地固定晶片，该晶片搬送用托盘(302)包括由绝缘体构成的基体、和在基体中埋设的静电吸附电极(306)，针对静电吸附电极的供电部分的端子是弹簧式端子(305a)，弹簧式端子构成为其前端部分可以接触到静电吸附电极，在供电部分的周边设置有密封部件(305b)，使得温度交换介质不蔓延到弹簧式端子的前端部分与静电吸附电极的接触部，而且可以将晶片(S)通过静电吸附固定到托盘上。于是，可以在该晶片搬送用托盘上通过静电吸附固定晶片。
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