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发明公开
等离子体处理装置及其控制方法审中-实审

公开(公告)号：CN119517716A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411070191.9

申请日：2024-08-06

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 土居谦太 , 中村敏幸 , 森川泰宏 , 赤泽健介 , 广庭大辅

IPC: H01J37/32 , H05H1/24

Abstract: 本发明提供一种能够扩大在上部电极侧生成的等离子体的形成区域而提高处理速度的等离子体处理装置及其控制方法。本发明的一个方式的等离子体处理装置具有真空腔室、支承基板用的工作台、对置电极、谐振电路。上述工作台配置在上述真空腔室的内部，与供给第一频率的高频电力的第一高频电源电路连接。上述对置电极与上述工作台相对配置，与供给第二频率的高频电力的第二高频电源电路连接。上述谐振电路使来自上述对置电极的上述第二频率的高频电流通过。

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