公开(公告)号：CN109964317A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201780065823.4

申请日：2017-10-19

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 村川浩一 ,  住友正清 ,  高桥茂树

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 在IGBT区域(1a)与二极管区域(1b)之间、即与二极管区域(1b)邻接的位置，设置与IGBT区域(1a)相比高浓度P型层的形成比例较小的边界区域(1c)。由此，在复原时，能够抑制从IGBT区域(1a)向二极管区域(1b)的空穴注入，并且由于形成在边界区域(1c)中的高浓度P型层的形成比例较小，所以还能够使从边界区域(1c)的高浓度P型层的空穴注入量变少。因而，能够抑制复原时的最大逆向电流Irr的增加，并且能够使阴极侧的载流子密度变低而抑制尾电流的增大。由此，能够做成不仅能够降低开关损失、对于复原破坏也耐受性较高的半导体装置。

公开(公告)号：CN111344867B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN201880073391.6

申请日：2018-11-08

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 村川浩一 ,  高桥茂树 ,  住友正清

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，在共通的衬底(10)形成有具有IGBT元件(3a)的IGBT区域(3)和具有FWD元件(4a)的FWD区域(4)，在阴极层(22)，形成有多个与第2电极(23)电连接并且与场截止层(20)构成PN结的载流子注入层(24)。并且，多个载流子注入层(24)中，如果将场截止层(20)的杂质浓度设为Nfs[cm‑3]，将载流子注入层(24)的沿半导体衬底(10)的平面方向的最短部分的长度设为L1[μm]，则L1＞6.8×10‑16×Nfs+20。

公开(公告)号：CN111344867A

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201880073391.6

申请日：2018-11-08

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 村川浩一 ,  高桥茂树 ,  住友正清

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置，在共通的衬底(10)形成有具有IGBT元件(3a)的IGBT区域(3)和具有FWD元件(4a)的FWD区域(4)，在阴极层(22)，形成有多个与第2电极(23)电连接并且与场截止层(20)构成PN结的载流子注入层(24)。并且，多个载流子注入层(24)中，如果将场截止层(20)的杂质浓度设为Nfs[cm-3]，将载流子注入层(24)的沿半导体衬底(10)的平面方向的最短部分的长度设为L1[μm]，则L1＞6.8×10-16×Nfs+20。

公开(公告)号：CN109964317B

公开(公告)日：2021-11-30

申请号：CN201780065823.4

申请日：2017-10-19

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 村川浩一 ,  住友正清 ,  高桥茂树

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

Abstract: 在IGBT区域(1a)与二极管区域(1b)之间、即与二极管区域(1b)邻接的位置，设置与IGBT区域(1a)相比高浓度P型层的形成比例较小的边界区域(1c)。由此，在复原时，能够抑制从IGBT区域(1a)向二极管区域(1b)的空穴注入，并且由于形成在边界区域(1c)中的高浓度P型层的形成比例较小，所以还能够使从边界区域(1c)的高浓度P型层的空穴注入量变少。因而，能够抑制复原时的最大逆向电流Irr的增加，并且能够使阴极侧的载流子密度变低而抑制尾电流的增大。由此，能够做成不仅能够降低开关损失、对于复原破坏也耐受性较高的半导体装置。