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公开(公告)号：CN118824963A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410446572.6
申请日：2024-04-15
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/31 , H01L23/373
摘要： 半导体装置具备具有形成有半导体元件的半导体芯片(20，30)的半导体模块(PM)、与半导体模块(PM)电连接的布线基板(60)、以及将半导体模块(PM)及布线基板(60)密封的密封部件(70)。在半导体模块(PM)与布线基板(60)之间，配置有与密封部件(70)相比热传导率高的热扩散板(53，90)，热扩散板(90)为板状，以使面方向沿着与半导体模块(PM)和布线基板(60)的排列方向交叉的方向的状态而被配置于密封部件(70)。
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公开(公告)号：CN118610184A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410073780.6
申请日：2024-01-18
IPC分类号： H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
摘要： 半导体装置及其制造方法。半导体装置具备与第1连接对象(12a、15)连接的第1引出布线(18、25、31、32)以及与第2连接对象(12b、16)连接的第2引出布线(19、26、30)。第1引出布线具备与第1连接对象连接的第1连接部(18a)、从封固树脂(27)露出的第1顶部(18c)以及相对于一面(11a)倾斜并将第1连接部及第1顶部连结的第1立设部(18b)。第2引出布线具备与第2连接对象连接的第2连接部(19a)、从封固树脂露出的第2顶部(19c)以及相对于一面倾斜并将第2连接部及第2顶部连结的第2立设部(19b)。第1顶部和第2顶部相互对置而配置。
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公开(公告)号：CN115881787A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211183593.0
申请日：2022-09-27
IPC分类号： H01L29/41 , H01L23/488 , H01L29/06 , H01L29/40
摘要： 一种半导体器件包括：具有半导体元件和表面电极的有源区，表面电极由布线电极材料提供，并且在与所述半导体芯片的表面相邻的一侧上连接到所述半导体元件；和焊盘设置区，其具有由布线电极材料提供的焊盘。焊盘设置区在垂直于半导体芯片表面的方向上与有源区重叠。在焊盘设置区与有源区重叠的部分，焊盘通过隔离绝缘膜布置在表面电极上，使布线电极材料为两层，以提供双层布线电极结构。在有源区不与焊盘设置区重叠的部分，表面电极具有由单层布线电极材料组成的单层布线电极结构。
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公开(公告)号：CN109661763B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201780051519.4
申请日：2017-08-08
申请人： 株式会社电装
IPC分类号： H02M1/08
摘要： 半导体装置通过向栅极端子施加栅极电压而控制在输出端子间流过输出电流的功率开关元件(410)的通断。该装置具备检测与输出电流相关的电流值的输出电流检测部(130)、检测与功率开关元件的输出端子间电压相关的电压的电压检测部(140)、将栅极电压钳位为规定的值的钳位电路(120)、以及基于由电压检测部检测到的检测电压来控制钳位电路而调整栅极电压的控制部。控制部对应于检测电压控制钳位电路，以使得在功率开关元件短路时流过的输出电流超过用于检测功率开关元件的短路的阈值电流、并且成为被设定为最低电压的栅极电压。
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公开(公告)号：CN109661763A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201780051519.4
申请日：2017-08-08
申请人： 株式会社电装
IPC分类号： H02M1/08
摘要： 半导体装置通过向栅极端子施加栅极电压而控制在输出端子间流过输出电流的功率开关元件(410)的通断。该装置具备检测与输出电流相关的电流值的输出电流检测部(130)、检测与功率开关元件的输出端子间电压相关的电压的电压检测部(140)、将栅极电压钳位为规定的值的钳位电路(120)、以及基于由电压检测部检测到的检测电压来控制钳位电路而调整栅极电压的控制部。控制部对应于检测电压控制钳位电路，以使得在功率开关元件短路时流过的输出电流超过用于检测功率开关元件的短路的阈值电流、并且成为被设定为最低电压的栅极电压。
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