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公开(公告)号：CN116356284A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211657325.8
申请日：2022-12-22
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
IPC: C23C16/448 , C23C16/48 , C23C16/455 , C30B25/02 , C30B25/14
Abstract: 一种用于在衬底的表面上形成膜的成膜装置，包括：衬底放置在其上的工作台；雾产生源，其产生至少含有水并且用于形成膜的材料溶解在其中的溶液的雾；供给路径，其通过载气的流动朝向工作台上的衬底输送由雾产生源产生的雾；以及加热器，其加热供给路径的至少一部分。由加热器加热的供给路径的该部分设置为雾加热段，在雾加热段中，红外线从供给路径的内表面朝向雾辐射。雾加热段中的供给路径的内表面涂覆有涂层，该涂层包含存在于所述雾中的元素的氧化物和氢氧化物中的至少一种。
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公开(公告)号：CN115704094A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210973812.9
申请日：2022-08-15
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
IPC: C23C16/448 , C23C16/455 , H01L21/67
Abstract: 一种成膜设备，包括工作台(16)、加热器(14)、雾供给源(20)、过热蒸气供给源(80)、和输送装置。工作台配置成允许将衬底(12)安装在其上。加热器配置成加热衬底。雾供给源配置成供给包含溶剂和溶解在该溶剂中的膜材料的溶液(21)的雾(72)。过热蒸气供给源(80)配置成供给与溶剂相同材料的过热蒸气(43)。输送装置配置成将雾和过热蒸气朝向衬底的表面输送以在衬底的表面上生长含有膜材料的膜。
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公开(公告)号：CN114864408A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210105803.8
申请日：2022-01-28
IPC: H01L21/44
Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法，包括：制备由包含第一元素和与第一元素键合且电负性比第一元素小1.5或更多的第二元素的化合物半导体制成的衬底(12)；使电流在衬底(12)中流动；和在包括使电流流动的电流区域的位置处并沿着衬底(12)的解理面分割衬底(12)。一种用于制造半导体器件的方法，包括：叠置均由化合物半导体制成的第一衬底(52)和第二衬底(54)；和通过使电流在第一衬底(52)与第二衬底(54)之间流动来键合第一衬底(52)和第二衬底(54)。
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公开(公告)号：CN118610080A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410240748.2
申请日：2024-03-04
IPC: H01L21/263 , H01L21/02
Abstract: 半导体装置的制造方法进行以下工序：准备由β－氧化镓构成的半导体衬底；将半导体衬底(30)配置在配置于腔室(10)内的基座(20)上；将腔室(10)密闭；通过调整基座(20)的温度，进行通过传热而在使半导体衬底升温后使半导体衬底(30)降温的加热处理；将腔室(10)的密闭解除而设为能够从腔室(10)将半导体衬底(30)取出的状态。在准备半导体衬底(30)的工序中，准备一面(30a)或另一面(30b)相对于(100)面或(001)面处于45～90°的范围内的衬底，在加热处理中，通过以基座(20)的升温速率为100℃/min以下的条件使基座(20)升温，使半导体衬底(30)升温到300℃以上。能够使得使用β－氧化镓作为半导体衬底、即使进行了加热处理也难以断裂。
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公开(公告)号：CN117410311A
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202310856180.2
申请日：2023-07-13
IPC: H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/872
Abstract: 半导体装置具有包括元件区域与周边区域的半导体基板。半导体基板具有：n型的高浓度层，从元件区域跨越所述周边区域而分布，与下部电极相接，具有薄板部与厚板部；n型的漂移层，与厚板部的上表面相接；以及n型的低浓度层，从元件区域跨越周边区域而分布，与薄板部的上表面相接，且与台阶部的侧面相接。在使下部电极的电位上升时，由台阶部的侧面、使台阶部的侧面向周边区域一侧偏移了台阶部的高度的虚拟线、薄板部的上表面以及使薄板部的上表面向上侧偏移了高度的虚拟线构成的四边形的区域中的一半以上的区域不会被耗尽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116364764A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202211686457.3
申请日：2022-12-26
IPC: H01L29/24 , H01L29/872 , H01L29/06
Abstract: 一种半导体器件包括具有矩形形状的半导体衬底，所述矩形形状包括在第一方向上延伸的边和在第二方向上延伸的另一边。所述半导体衬底在第一方向上的热导率不同于所述半导体衬底在第二方向上的热导率。所述半导体衬底配置为满足L1/L2＝(K1/K2)0.5的数学关系且容差范围为‑5％至+5％，其中L1表示所述半导体衬底在第一方向上的长度，L2表示半导体衬底在第二方向上的长度，K1表示半导体衬底在第一方向上的热导率，并且K2表示半导体衬底在第二方向上的热导率。
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公开(公告)号：CN114695076A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202111576467.7
申请日：2021-12-22
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种用于生产包括掺杂有第一金属的第二金属的氧化物膜(6)的产品(2)的方法包括由其中溶解有第一金属和第二金属的原料溶液(23)产生雾(23m)；和将雾供应到基材(4)的表面，以在基材的表面上形成氧化物膜。原料溶液的pH小于7。
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公开(公告)号：CN114592182A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202111458265.2
申请日：2021-12-02
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 国立大学法人京都工芸纤维大学
IPC: C23C16/448 , C23C16/02 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01L21/67
Abstract: 晶圆处理设备配置为通过将雾供给到晶圆表面来处理晶圆。晶圆处理设备包括其内布置晶圆的炉、配置为向炉中供给气体的气体供给装置、向炉中供给雾的雾供给装置、以及控制器。控制器配置为通过控制气体供给装置和雾供给装置以分别将气体和雾供给到炉中来执行处理步骤。控制器还配置为在处理步骤结束时控制气体供给装置以停止将雾供给到炉中同时控制气体供给装置以保持将气体供给到炉中。
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公开(公告)号：CN107623026B
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN201710551971.9
申请日：2017-07-07
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供一种能够缓和外周耐压区的电场的半导体装置与其制造方法。所述半导体装置的半导体基板具有元件区和外周耐压区。外周耐压区具有对元件区进行多重包围的p型的多个保护环。多个保护环具有内周侧保护环和外周侧保护环，所述外周侧保护环被配置在与内周侧保护环相比靠外周侧并且与内周侧保护环相比宽度较窄。内周侧保护环彼此之间的间隔与外周侧保护环彼此之间的间隔相比较窄。内周侧保护环各自具有第一高浓度区和第一低浓度区。外周侧保护环各自具有第二高浓度区和第二低浓度区。第一低浓度区在表面处的宽度与第二低浓度区在表面处的宽度相比较宽。
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公开(公告)号：CN107623026A
公开(公告)日：2018-01-23
申请号：CN201710551971.9
申请日：2017-07-07
IPC: H01L29/06 , H01L29/872 , H01L21/329
Abstract: 本发明提供一种能够缓和外周耐压区的电场的半导体装置与其制造方法。所述半导体装置的半导体基板具有元件区和外周耐压区。外周耐压区具有对元件区进行多重包围的p型的多个保护环。多个保护环具有内周侧保护环和外周侧保护环，所述外周侧保护环被配置在与内周侧保护环相比靠外周侧并且与内周侧保护环相比宽度较窄。内周侧保护环彼此之间的间隔与外周侧保护环彼此之间的间隔相比较窄。内周侧保护环各自具有第一高浓度区和第一低浓度区。外周侧保护环各自具有第二高浓度区和第二低浓度区。第一低浓度区在表面处的宽度与第二低浓度区在表面处的宽度相比较宽。
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