公开(公告)号：CN117476740A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310922674.6

申请日：2023-07-26

申请人： 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社 ,  三星钻石工业股份有限公司

发明人： 植茶雅史 ,  南云裕司 ,  奥田胜 ,  长屋正武 ,  北市充 ,  森亮 ,  木山直哉 ,  武田真和

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/304

摘要： 提供半导体装置及其制造方法。半导体装置具备半导体衬底，该半导体衬底在从上方观察时是四边形，具有表面、位于表面的相反侧的背面、和将表面及背面连接的4个侧面。各侧面具有沿着半导体衬底的表面的周缘所延伸的方向交替地反复出现凸部和凹部的阶差部。

公开(公告)号：CN118053810A

公开(公告)日：2024-05-17

申请号：CN202311493826.1

申请日：2023-11-10

申请人： 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社 ,  三星钻石工业股份有限公司

发明人： 南云裕司 ,  植茶雅史 ,  奥田胜 ,  长屋正武 ,  北市充 ,  森亮 ,  木山直哉 ,  武田真和

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/304

摘要： 半导体装置的制造方法，具备如下工序：在半导体晶圆的第一表面，以将多个元件构造排列成矩阵状的方式形成多个元件构造；沿相邻的元件构造的边界将按压部件向半导体晶圆的位于第一表面的背侧的第二表面进行推抵，从而在半导体晶圆中形成沿着边界并且沿半导体晶圆的厚度方向延伸的裂纹；以及从第一表面侧沿着边界将分割部件向半导体晶圆进行推抵，从而沿边界分割半导体晶圆。

公开(公告)号：CN117476583A

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN202310922683.5

申请日：2023-07-26

申请人： 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社 ,  三星钻石工业股份有限公司

发明人： 熊泽辉显 ,  植茶雅史 ,  南云裕司 ,  奥田胜 ,  长屋正武 ,  北市充 ,  森亮 ,  木山直哉 ,  武田真和

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78

摘要： 本发明提供半导体装置及其制造方法。半导体装置具备半导体基板和在半导体基板的表面设置的金属层。金属层具有第1金属层和将第1金属层的表面覆盖且与第1金属层相比焊料浸润性高的第2金属层。第2金属层在金属层的主表面露出。第1金属层在金属层的侧面露出。在金属层的主表面设有突起部。突起部以沿着主表面的外周缘绕一圈的方式延伸。

公开(公告)号：CN117198871A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202310654810.8

申请日：2023-06-05

申请人： 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社 ,  三星钻石工业股份有限公司

发明人： 植茶雅史 ,  南云裕司 ,  奥田胜 ,  长屋正武 ,  北市充 ,  森亮 ,  木山直哉 ,  武田真和

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/78

摘要： 半导体装置的制造方法，具备以下工序：对于具有多个元件区域的半导体基板的第1表面，沿着上述元件区域的边界推抵推压部件，从而在上述半导体基板的第1表面侧，形成沿着上述边界并且在上述半导体基板的厚度方向上延伸的裂纹的工序；在形成上述裂纹的上述工序之后，在上述第1表面形成跨上述多个元件区域的金属膜的工序；以及在形成上述金属膜的上述工序之后，从位于上述第1表面的背侧的第2表面侧沿着上述边界将分割部件推抵于上述半导体基板，从而沿着上述边界将上述半导体基板和上述金属膜分割的工序。

公开(公告)号：CN109849197B

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN201811358324.7

申请日：2018-11-15

申请人： 三星钻石工业股份有限公司

发明人： 岩坪佑磨 ,  长友正平 ,  富本博之 ,  木山直哉 ,  村上久美子

IPC分类号： B28D1/22

摘要： 本发明提供一种划线轮，能够增加渗透量。划线轮(1)具有形成于外周部的刀刃部(20)。刀刃部(20)包括沿周向隔开间隔形成的多个沟槽(24)和形成于在周向上相邻的沟槽(24)之间的棱线部(23)。沟槽(24)包括刀刃角小于棱线部(23)的部分。

公开(公告)号：CN114656135A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111536558.8

申请日：2021-12-15

申请人： 三星钻石工业股份有限公司

发明人： 大河内学 ,  德力朱音 ,  木山直哉

IPC分类号： C03B33/10 ,  C03B33/02

摘要： 本发明提供能够提高被截断的基板的端面强度的刻划轮以及刻划方法。刻划轮具备：多个刃部(110)，它们沿着外周缘形成；以及多个槽部(120)，它们设置于在周向上相邻的刃部之间，并向中心轴(L0)侧凹陷。槽部在最深部(120a)的两侧具有从刃部的棱线(111)起连续并延伸到最深部的棱线(121、122)。槽部的各棱线具有变化点(Q)，其中，相对于该变化点成为最深部侧的棱线(121b、122b)与刃部的棱线所成的第二角度(θ2)大于相对于该变化点成为刃部侧的棱线(121a、122a)与刃部的棱线所成的第一角度(θ1)。变化点设置于在通过在基板形成肋状纹且基板不破损的范围的载荷进行了刻划动作时陷入基板的内部的位置。

公开(公告)号：CN104942858B

公开(公告)日：2019-11-29

申请号：CN201410798905.8

申请日：2014-12-19

申请人： 三星钻石工业股份有限公司

发明人： 田村健太 ,  武田真和 ,  村上健二 ,  木山直哉

IPC分类号： B26D3/00

摘要： 本发明涉及树脂片的分断方法及分断装置，课题为准确地分断树脂片。在伸展保持于切割环(31)的胶带(32)上保持树脂片(33)，并将切割环(31)固定于分断装置的平台(16)上。然后使划线头(27)相对于平台(16)而相对移动，使划线轮(28)在树脂片(33)上滚动，对树脂片(33)进行划线，由此分离树脂片(33)。这样，由于使用划线轮而能以高精度将树脂片分断成所需形状。

公开(公告)号：CN109849197A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201811358324.7

申请日：2018-11-15

申请人： 三星钻石工业股份有限公司

发明人： 岩坪佑磨 ,  长友正平 ,  富本博之 ,  木山直哉 ,  村上久美子

IPC分类号： B28D1/22

摘要： 本发明提供一种划线轮，能够增加渗透量。划线轮(1)具有形成于外周部的刀刃部(20)。刀刃部(20)包括沿周向隔开间隔形成的多个沟槽(24)和形成于在周向上相邻的沟槽(24)之间的棱线部(23)。沟槽(24)包括刀刃角小于棱线部(23)的部分。

公开(公告)号：CN106079115A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610149585.2

申请日：2016-03-16

申请人： 三星钻石工业股份有限公司

发明人： 武田真和 ,  木山直哉 ,  田村健太 ,  村上健二 ,  秀岛护

IPC分类号： B28D1/22 ,  B28D5/02 ,  H01L21/78

摘要： 本发明涉及一种贴合基板的分割方法及分割装置。本发明提供能够将利用粘接层贴合硅基板与玻璃基板而成的贴合基板较佳地分割的方法及分割装置。将贴合基板在特定的分割预定位置分割的方法包括：划线形成步骤(单元)，在玻璃基板的一主面的分割预定位置，通过特定的划线工具形成划线；切割槽形成步骤(单元)，在硅基板的一主面的分割预定位置，从硅基板的一主面至粘接层的中途为止利用特定的槽部形成机构形成槽部；及切断步骤(单元)，将形成有划线与槽部的贴合基板在划线与槽部之间切断。

公开(公告)号：CN103785957B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201310337996.0

申请日：2013-08-02

申请人： 三星钻石工业股份有限公司

发明人： 岩坪佑磨 ,  五十川久司 ,  长友正平 ,  中谷郁祥 ,  木山直哉

IPC分类号： B23K26/53 ,  B23K26/03 ,  B23K26/70

摘要： 激光加工装置及具有图案的基板的加工条件设定方法。以藉由单位脉冲光而形成在具有图案的基板的加工痕沿加工预定线位于离散处的方式照射激光，使龟裂从各个加工痕伸展的龟裂伸展加工将具有图案的基板单片化时的加工条件设定方法，具备：对具有图案的基板的一部分位置进行作为暂态加工的龟裂伸展加工的步骤；以及根据从在使焦点对准于具有图案的基板表面的状态下拍摄暂态加工执行位置而取得的第1摄影影像特定的从藉由暂态加工形成的加工痕伸展的龟裂的终端位置坐标与从在使焦点对准于暂态加工时的激光的焦点位置的状态下拍摄暂态加工的执行位置而取得的第2摄影影像特定的暂态加工的加工痕的位置坐标的差分值，特定激光的照射位置的偏置方向。