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公开(公告)号：CN104968826A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201480007860.6
申请日：2014-01-09
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C14/02
CPC classification number: C23C16/0245 , C23C14/022 , C23C16/0227 , C23C16/44 , C23C16/4584 , C23C16/486 , H01J37/32568 , H01J37/3266 , H01J2237/3321 , H01J2237/335
Abstract: 本发明提供一种用于对基材的表面稳定地进行清洁的离子轰击装置（1）。该装置具备：真空腔（2）、被设置在其内壁面并且放出电子的至少一个电极（3）、接受来自所述电极（3）的电子的多个正极（4）即被配置为以隔着所述基材与所述电极相向的方式相向的多个正极、以及与各正极（4）对应的多个放电电源（5）。各放电电源（5）与所述真空腔（2）绝缘，对与该放电电源（5）对应的正极（4）供给能够彼此独立地设定的电流或电压，由此，在该正极（4）与所述电极（3）之间产生辉光放电。
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公开(公告)号：CN112601838A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN201980057931.6
申请日：2019-08-19
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C16/44
Abstract: 本发明提供能够一边稳定地矫正伴随热膨胀的丝的弯曲，一边进行对基材的包覆处理的热丝化学气相沉积装置。热丝化学气相沉积装置（1）具有腔室（2）、支撑多个基材（5）的基材支撑体（4）、多个丝（60）、第一框部（61）及第二框部（62）、电源（81）、驱动部（82）、驱动控制部（802）、运算部（803）以及温度信息获取部（807）。温度信息获取部（807）获取伴随施加电压而变化的多个丝（60）的温度信息。运算部（803）基于所获取的温度信息运算多个丝（60）的热膨胀量。驱动控制部（802）根据运算部（803）运算出的热膨胀量使第二框部（62）从第一框部（61）离开。
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公开(公告)号：CN111212929A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201880067006.7
申请日：2018-10-03
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明提供一种能够在基材的表面形成具有比该基材的硬度高的高度的皮膜并使该皮膜良好地紧贴于基材的表面的成膜方法。该成膜方法包括以下步骤：使通过一边在收容基材的腔室内导入惰性气体一边放电而生成的惰性气体离子冲撞于基材的表面，从而对基材的表面进行蚀刻的蚀刻步骤；一边通过使惰性气体离子冲撞于金属靶材而使金属粒子从金属靶材飞出并使该金属粒子堆积于在蚀刻步骤被蚀刻后的基材的表面，一边使惰性气体离子冲撞于在基材的表面被堆积的金属粒子而将该金属粒子打进基材的表面的打进步骤；以及将皮膜形成于在打进步骤被打进金属粒子后的基材的表面的皮膜形成步骤。
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公开(公告)号：CN106460159B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201580033266.9
申请日：2015-07-03
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C14/32
Abstract: 本发明提供一种电弧蒸发源，能够将电弧点稳定地保持在靶材的前端面，而且，能够实现装置的小型化。电弧蒸发源(1)包括：通过电弧放电而从前端面(3a)开始熔解并蒸发的靶材(3)；以及被配置在从靶材(3)的侧面(3b)朝向该靶材(3)的半径方向隔开距离的位置的至少一个磁铁(4)。磁铁(4)被配置成：形成在如下范围满足以下的条件a)以及b)的磁场(MF1)，其中，所述范围是处于沿着靶材(3)的侧面(3b)并且在靶材(3)的轴向上从靶材(3)的前端面(3a)起10mm为止的范围，条件a)为磁场的磁力线相对于靶材(3)的侧面(3b)所成的角度为45度以下，条件b)为在该磁力线的强度中的靶材(3)的轴向成分成为200G以上。
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公开(公告)号：CN112601838B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201980057931.6
申请日：2019-08-19
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C16/44
Abstract: 本发明提供能够一边稳定地矫正伴随热膨胀的丝的弯曲，一边进行对基材的包覆处理的热丝化学气相沉积装置。热丝化学气相沉积装置（1）具有腔室（2）、支撑多个基材（5）的基材支撑体（4）、多个丝（60）、第一框部（61）及第二框部（62）、电源（81）、驱动部（82）、驱动控制部（802）、运算部（803）以及温度信息获取部（807）。温度信息获取部（807）获取伴随施加电压而变化的多个丝（60）的温度信息。运算部（803）基于所获取的温度信息运算多个丝（60）的热膨胀量。驱动控制部（802）根据运算部（803）运算出的热膨胀量使第二框部（62）从第一框部（61）离开。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112654731A
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201980057869.0
申请日：2019-08-19
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C16/44 , C23C16/458
Abstract: 本发明提供一种能够将多个基材容易地配置在腔室内的热丝化学气相沉积装置。热丝化学气相沉积装置(1)具有腔室(2)、多个丝、分别支撑多个基材(5)的多个基材支撑体(4)以及载物台(31)。多个基材支撑体(4)能够通过开口部(2H)沿指定的插入方向插入于腔室(2)的内部，并以使多个基材(5)沿所述插入方向隔开间隔被配置的方式分别支撑多个基材(5)。载物台(31)具有以使多个基材(5)与多个丝相向被配置的方式容许多个基材支撑体(4)被载置的载置面，在腔室(2)的内部以使多个基材支撑体(4)在腔室宽度方向上邻接被配置的方式支撑多个基材支撑体(4)。
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公开(公告)号：CN106457414B
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201580029642.7
申请日：2015-04-30
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 广田悟史
Abstract: 本发明提供一种机械加工用工具，防止含钛的层与氧化铝的层的界面的皮膜的紧贴不良。通过物理蒸镀法(PVD)在基材(21)的表面形成多层皮膜的机械加工用工具的制造方法，包括：在基材(21)的表面形成含钛的氮化物或碳化物的第一层(22)的第一层形成工序；形成覆盖第一层(22)的阻挡层(23)的第一阻挡层形成工序；以及在阻挡层(23)的表面形成含氧化铝的第二层(24)的第二层形成工序。
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公开(公告)号：CN106457414A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580029642.7
申请日：2015-04-30
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 广田悟史
CPC classification number: C23C14/081 , B23B51/00 , B23B2224/08 , B23B2224/24 , B23B2228/08 , B23C5/16 , B23C2224/24 , B23C2228/08 , C23C14/024 , C23C14/0641 , C23C14/325 , C23C14/345 , C23C14/352 , C23C14/505
Abstract: 本发明提供一种机械加工用工具，防止含钛的层与氧化铝的层的界面的皮膜的紧贴不良。通过物理蒸镀法(PVD)在基材(21)的表面形成多层皮膜的机械加工用工具的制造方法，包括：在基材(21)的表面形成含钛的氮化物或碳化物的第一层(22)的第一层形成工序；形成覆盖第一层在阻挡层(23)的表面形成含氧化铝的第二层(24)的第二层形成工序。(22)的阻挡层(23)的第一阻挡层形成工序；以及
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公开(公告)号：CN112534081A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201980054363.4
申请日：2019-08-19
Applicant: 株式会社神户制钢所
Abstract: 本发明提供一种能够容易进行丝的装拆、更换作业的热丝化学气相沉积装置。热丝化学气相沉积装置（1）包括腔室（2）、支撑多个基材（5）的基材支撑体（4）、丝部件（6A、6B、6C）以及一对保持部（71、72）。丝部件具有多个丝（60）、第一框部（61）、第二框部（62）以及一对连结构件（63）。此外，一对保持部（71、72）在将丝部件插入于腔室（2）时引导该丝部件，并且，在腔室（2）内以与多个基材（5）相向的方式保持该丝部件。
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公开(公告)号：CN105452521B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201480044648.7
申请日：2014-06-25
Applicant: 株式会社神户制钢所
Inventor： 广田悟史
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/35 , C23C14/352 , H01J37/3405 , H01J37/3447 , H01J37/345
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其具备DMS用靶材以及成膜用电源，且能够使用所述成膜用电源进行所述靶材的预溅射。成膜装置具备：成膜腔室(10)；第一阴极和第二阴极(20A、20B)，分别具有靶材(24)，且被配置成以靶材表面(24a)均朝向成膜腔室(10)内的基材侧的姿势互相相邻；磁场形成部(30)，在两个靶材(24)的表面(24a)附近形成磁场；成膜用电源(40)，连接于两个阴极(20A、20B)；以及遮门(50)。遮门(50)介于两个阴极的靶材表面(24a)与基材之间，在关闭位置与打开位置之间进行开闭动作，其中，关闭位置是将该靶材表面(24a)一并与基材隔离的位置，打开位置是开放靶材表面(24a)与基材之间而容许对基材的成膜的位置。
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