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公开(公告)号：CN103597361B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201280028857.3
申请日：2012-06-15
申请人： 株式会社神户制钢所
CPC分类号： G01R1/067 , C23C14/025 , C23C14/0605 , G01R1/06738 , G01R1/06755
摘要： 提供一种电接触构件，其能够实现与被测体的低附着性，并且能够长期保持稳定的导电性，特别是在大约85℃左右的高温下的反复接触和大气中长期放置后，也能够实现与被测体的低附着性，并且能够抑制接触电阻的上升，能够长期保持稳定的电接触。本发明涉及与被测体反复接触的电接触构件，其中，与被测体接触的电接触构件的表面，由含有Pd的碳被膜构成。
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公开(公告)号：CN105814681B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201480065043.6
申请日：2014-11-26
申请人： 株式会社神户制钢所 , 神钢力得米克株式会社
摘要： 本发明提供一种底板，该底板在一方的安装面上借助接合材料接合被接合构件，在供被接合构件接合的安装面的接合位置，具备用于借助接合材料接合被接合构件的凹处。凹处构成为，凹处开口面积比所述被接合构件大，在被接合构件的外周缘所面对的凹处外周部，凹陷的深度比凹处中央部深。
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公开(公告)号：CN105246855A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201480030142.0
申请日：2014-11-28
CPC分类号： H01J37/3429 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/645 , C04B37/026 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2237/12 , C04B2237/34 , C04B2237/407 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01J37/3491
摘要： 本发明提供能够抑制结合工序中发生破损的氧化物烧结体、和使用该氧化物烧结体的溅射靶、以及其制造方法。本发明的氧化物烧结体是将氧化铟、氧化镓和氧化锡烧结而得到的氧化物烧结体，氧化物烧结体的相对密度为90％以上、氧化物烧结体的平均晶粒直径为10μm以下，将铟、镓、锡的含量相对于氧化物烧结体中所含全部金属元素的比例(原子％)分别设为[In]、[Ga]、[Sn]时，满足30原子％≤[In]≤50原子％、20原子％≤[Ga]≤30原子％、25原子％≤[Sn]≤45原子％，并且InGaO3相满足[InGaO3]≥0.05。
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公开(公告)号：CN102084421B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN200980125743.9
申请日：2009-09-03
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： G11B7/258
CPC分类号： C23C14/205 , G11B7/2585
摘要： 本发明提供反射膜表面高精度再现形成于基板上的凹槽或凹点等，实现光信息记录介质的噪声的减小，并且具有高的反射率的Al基合金反射膜，以及对形成这样的反射膜有用的溅射靶材。本发明的光信息记录介质用反射膜用于光信息记录介质，实质上由含有2.0～15.0原子％的稀土类元素的Al基合金形成，反射膜的厚度方向的微晶尺寸为30nm以下。
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公开(公告)号：CN109778149B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201811317375.5
申请日：2018-11-07
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： C23C16/515 , C23C16/503 , C23C16/30 , C23C16/54 , H01L51/50 , H01L51/56
摘要： 提供一种对于水蒸汽的阻隔性能提高的阻气膜、气体阻隔性薄膜和该气体阻隔性薄膜的制造方法。本发明的一个方式的阻气膜，至少含有氧、硅和碳，在由衰减全反射法得到的光谱中，处于3400cm－1附近由O－H键引起的峰值的强度相对于处于1000cm－1附近由Si－O键引起的峰值强度的比为0.019以下。本发明的另一方式的气体阻隔性薄膜，具备基材、和层叠在该基材的一侧的面上的上述阻气膜。本发明再一方式的气体阻隔性薄膜的制造方法，具备如下工序：使用配置在真空室内、且具备一对成膜辊和气体供给部的成膜装置，将基材卷绕到上述一对成膜辊上的工序；通过等离子体化学气相沉积法使上述阻气膜层叠在上述基材上的工序。
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公开(公告)号：CN105814681A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201480065043.6
申请日：2014-11-26
申请人： 株式会社神户制钢所 , 神钢力得米克株式会社
摘要： 本发明提供一种底板，该底板在一方的安装面上借助接合材料接合被接合构件，在供被接合构件接合的安装面的接合位置，具备用于借助接合材料接合被接合构件的凹处。凹处构成为，凹处开口面积比所述被接合构件大，在被接合构件的外周缘所面对的凹处外周部，凹陷的深度比凹处中央部深。
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公开(公告)号：CN110284124A
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201910193527.3
申请日：2019-03-14
申请人： 株式会社神户制钢所 , 国立大学法人名古屋大学
IPC分类号： C23C16/517
摘要： 提供一种等离子体CVD装置，其能够有效地在基材上形成高密度的皮膜，在具有导电性的基材上也能够形成皮膜。本发明的一个方式，是通过等离子体CVD在基材上形成皮膜的等离子体CVD装置，其具备：在内部使上述等离子体CVD反应发生的腔室；配设于上述腔室内并保持上述基材的保持机构；配设于上述腔室内并生成等离子体的天线；和对上述天线施加正偏压的电源，上述腔室和保持机构为接地电位。
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公开(公告)号：CN109778149A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811317375.5
申请日：2018-11-07
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： C23C16/515 , C23C16/503 , C23C16/30 , C23C16/54 , H01L51/50 , H01L51/56
摘要： 提供一种对于水蒸汽的阻隔性能提高的阻气膜、气体阻隔性薄膜和该气体阻隔性薄膜的制造方法。本发明的一个方式的阻气膜，至少含有氧、硅和碳，在由衰减全反射法得到的光谱中，处于3400cm－1附近由O－H键引起的峰值的强度相对于处于1000cm－1附近由Si－O键引起的峰值强度的比为0.019以下。本发明的另一方式的气体阻隔性薄膜，具备基材、和层叠在该基材的一侧的面上的上述阻气膜。本发明再一方式的气体阻隔性薄膜的制造方法，具备如下工序：使用配置在真空室内、且具备一对成膜辊和气体供给部的成膜装置，将基材卷绕到上述一对成膜辊上的工序；通过等离子体化学气相沉积法使上述阻气膜层叠在上述基材上的工序。
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公开(公告)号：CN108146047A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711002028.9
申请日：2017-10-24
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： B32B27/36 , B32B27/06 , B32B33/00 , B32B37/00 , B32B38/00 , B32B38/18 , C23C16/34 , C23C16/513 , H01L51/50
摘要： 本发明其课题在于，提供一种既具有充分的阻气性，翘曲又小的氮化硅层叠膜。本发明的氮化硅层叠膜，其特征在于，是具备柔性基材、和形成于所述柔性基材的至少一侧的表面的单层或多层的薄膜层的氮化硅层叠膜，所述单层或多层的薄膜层之中至少1层的特定薄膜层含有硅、氮和氢，表示所述特定薄膜层内的膜厚方向位置与氢原子的含量的关系的氢分布曲线具有至少1个极大点和至少1个极小点。
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