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公开(公告)号：CN102033144A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010298497.1
申请日：2010-09-29
CPC分类号： H01B5/00 , G01R1/06738 , G01R1/06761 , H01R13/03
摘要： 提供一种电接点构件，可极力降低至少具有角的这种电接点构件在使用时构成问题的这种碳皮膜的剥离，能够长期保持稳定的电接触。一种电接点构件，是在具有角的前端部与被测体反复接触的电接点构件，其特征在于，包括：基材；形成在所述前端部的基材表面上，含有Au、Au合金、Pd或Pd合金的衬底层；形成在该衬底层表面上的中间层；形成在该中间层的表面上，含有金属和该金属的碳化物中的至少一个的碳皮膜，并且，所述中间层为层叠构造，其具有：含有Ni或Ni合金的内侧层；和含有Cr、Cr合金、W、W合金中的至少一种的外侧层。
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公开(公告)号：CN101410999A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200780011552.0
申请日：2007-03-28
申请人： 株式会社神户制钢所
CPC分类号： G01F1/692 , B81B2201/0278 , B81B2203/0127 , B81C1/00666 , B81C2201/0169 , B81C2201/0178 , C23C16/402 , C23C16/56 , Y10T428/24488 , Y10T428/24612
摘要： 本发明提供一种可以容易地制造、具有优异的绝热性能和高质量的膜片结构元件。还提供一种用于制造这种膜片结构元件的方法。所述膜片结构元件配置有由氧化硅膜形成的膜片，以及基板，所述基板通过支持所述膜片的外围的一部分而以中空状态支持所述膜片。用于制造这种膜片的方法具有：膜形成步骤，即通过等离子体CVD法在硅基板(2)的表面侧上形成热收缩性氧化硅膜(13)；热处理步骤，即使用加热进行热处理以使形成在所述基板(1)上的所述氧化硅膜(13)收缩；以及去除步骤，即去除所述基板(2)的一部分，使得所述氧化硅膜(13)与所述膜片对应的部分作为膜片相对于所述基板(2)以中空状态被支持，并且形成凹部(4)。
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公开(公告)号：CN103597361B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201280028857.3
申请日：2012-06-15
申请人： 株式会社神户制钢所
CPC分类号： G01R1/067 , C23C14/025 , C23C14/0605 , G01R1/06738 , G01R1/06755
摘要： 提供一种电接触构件，其能够实现与被测体的低附着性，并且能够长期保持稳定的导电性，特别是在大约85℃左右的高温下的反复接触和大气中长期放置后，也能够实现与被测体的低附着性，并且能够抑制接触电阻的上升，能够长期保持稳定的电接触。本发明涉及与被测体反复接触的电接触构件，其中，与被测体接触的电接触构件的表面，由含有Pd的碳被膜构成。
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公开(公告)号：CN104871010A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201380061292.3
申请日：2013-12-12
申请人： 株式会社神户制钢所
CPC分类号： G01R1/06755 , C23C14/06 , G01R1/0416 , G01R1/06738 , G01R3/00 , G01R31/2886 , H01H1/027 , H01H1/06 , H01H2300/036 , H01R13/03
摘要： 本发明的电接触构件，是与被测体反复接触的电接触构件。与被测体接触的所述电接触构件的表面由含有金属元素的含金属元素碳被膜构成。在相对于所述电接触构件的轴线成45°的倾斜面上所形成的含金属元素碳被膜的表面粗糙度Ra1在一定的值以下。由此，能够实现与被测体的低附着性，长期稳定抑制接触电阻的上升，确保稳定的电接触。
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公开(公告)号：CN102033144B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201010298497.1
申请日：2010-09-29
CPC分类号： H01B5/00 , G01R1/06738 , G01R1/06761 , H01R13/03
摘要： 提供一种电接点构件，可极力降低至少具有角的这种电接点构件在使用时构成问题的这种碳皮膜的剥离，能够长期保持稳定的电接触。一种电接点构件，是在具有角的前端部与被测体反复接触的电接点构件，其特征在于，包括：基材；形成在所述前端部的基材表面上，含有Au、Au合金、Pd或Pd合金的衬底层；形成在该衬底层表面上的中间层；形成在该中间层的表面上，含有金属和该金属的碳化物中的至少一个的碳皮膜，并且，所述中间层为层叠构造，其具有：含有Ni或Ni合金的内侧层；和含有Cr、Cr合金、W、W合金中的至少一种的外侧层。
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公开(公告)号：CN102884437B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201180023166.X
申请日：2011-05-10
IPC分类号： G01R1/067
CPC分类号： G01R1/06761 , G01R3/00 , G01R35/00
摘要： 提供一种能够实现与被测器件(特别是被测器件中含有的Sn)的低附着性，并且能够长期保持稳定接触电阻的接触式探针和具有它的连接装置。本发明涉及一种与电极反复接触的接触式探针，其中，在与电极接触的所述接触式探针的表面，形成有含有金属元件的碳被膜，所述金属元素在碳被膜表面的浓度比碳被膜整体的平均浓度低。
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公开(公告)号：CN101865734B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201010199004.9
申请日：2008-07-03
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： G01K11/06
CPC分类号： G01K3/14 , G01K11/06 , G01K2213/00
摘要： 本发明提供一种温度测定装置和温度测定方法。本发明构成如下：以经由CCD照相机(4)和IO板(5)被输出到运算处理装置(6)的图像数据为基础，以个数计算部(7)计算在形成有金属薄膜的温度测定构件(1)受到的热过程下致使在金属薄膜上生成的突起的形状的面密度，根据该面密度和预先收纳在存储器(8)中的最高到达温度与面密度相关的数据，由温度计算部(9)求得被测温对象的最高到达温度。另外，本发明构成如下：使用在基板上成膜铝薄膜而成的温度测定构件，测定伴随该温度测定无件受到的温度过程而在薄膜表面所形成的突起引起的薄膜的反射率的降低量，基于此反射率的降低量，推定温度过程之中最高到达温度。
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公开(公告)号：CN102473732A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080033080.0
申请日：2010-07-27
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L29/417
CPC分类号： H01L29/7869 , G02F2001/136295 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种密接性优良，且能够实现低电阻、低接触电阻的新的布线结构。本发明的布线结构在基板上从基板侧起依次具备布线膜、和薄膜晶体管的半导体层，上述半导体层由氧化物半导体构成。
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公开(公告)号：CN101865734A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010199004.9
申请日：2008-07-03
申请人： 株式会社神户制钢所
IPC分类号： G01K11/06
CPC分类号： G01K3/14 , G01K11/06 , G01K2213/00
摘要： 本发明提供一种温度测定装置和温度测定方法。本发明构成如下：以经由CCD照相机(4)和IO板(5)被输出到运算处理装置(6)的图像数据为基础，以个数计算部(7)计算在形成有金属薄膜的温度测定构件1受到的热过程下致使在金属薄膜上生成的突起的形状的面密度，根据该面密度和预先收纳在存储器(8)中的最高到达温度与面密度相关的数据，由温度计算部(9)求得被测温对象的最高到达温度。另外，本发明构成如下：使用在基板上成膜铝薄膜而成的温度测定构件，测定伴随该温度测定无件受到的温度过程而在薄膜表面所形成的突起引起的薄膜的反射率的降低量，基于此反射率的降低量，推定温度过程之中最高到达温度。
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