公开(公告)号：CN116783230A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202280010156.0

申请日：2022-01-25

Applicant: 株式会社艾迪科

Inventor： 远藤刚 ,  森康友纪 ,  玉祖健一 ,  小川亮 ,  上山润二

IPC: C08G59/56

Abstract: 本发明的目的在于提供固化性与贮藏稳定性的平衡优异的固化性树脂组合物。本发明为一种固化性树脂组合物，其含有(A)环氧树脂、(B)固化剂、及(C)选自下述式(1‑1)、(1‑2)及(1‑3)所表示的酰亚胺化合物中的至少一种。式中，R11表示可具有取代基的碳原子数1～10的烷基等，R1～R4分别独立地表示氢原子、碳原子数1～10的烷基等，R12及R13分别独立地表示氢原子、可具有取代基的碳原子数1～10的烷基等。#imgabs0#

公开(公告)号：CN116710436A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202280009944.8

申请日：2022-01-25

Applicant: 株式会社艾迪科

Inventor： 远藤刚 ,  森康友纪 ,  冈野一平 ,  小川亮 ,  上山润二

IPC: C07D233/58

Abstract: 本发明的目的在于提供在作为环氧树脂固化剂使用的情况下可得到固化性与贮藏稳定性的平衡优异的固化性树脂组合物的电荷转移络合物。本发明为具有咪唑部位作为电子给予部位的电荷转移络合物。上述电荷转移络合物可以为具有电子接受部位的化合物(b)接受了具有咪唑部位的化合物(a)中所含的电子而得到的物质，也可以为在分子中具有咪唑部位及电子接受部位的化合物中电子接受部位接受了咪唑部位中所含的电子而得到的物质。

公开(公告)号：CN104603327A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201380043243.7

申请日：2013-10-15

Applicant: 株式会社艾迪科

Inventor： 佐藤宏树 ,  上山润二

IPC: C23C16/40 ,  C07F17/00 ,  C07F11/00

CPC classification number: C07F17/00 ,  C07F11/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/405 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45525

Abstract: 本发明的薄膜的制造方法中将含有钼酰亚胺化合物的蒸汽导入至基体上，使其分解和/或发生化学反应，从而在基体上形成含有钼的薄膜，所述钼酰亚胺化合物是使含有下述通式(I)所示的钼酰亚胺化合物而成的薄膜形成用原料汽化来获得的。本发明的薄膜形成用原料是含有下述通式(I)所示的钼酰亚胺化合物而成的。式中，R1～R10表示氢原子或者碳数为1～5的直链或支链状烷基，R11表示碳数为1～8的直链或支链状烷基。

公开(公告)号：CN102282291B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201080004703.1

申请日：2010-02-15

Applicant: 株式会社艾迪科

Inventor： 佐藤宏树 ,  水尾克英 ,  斋藤昭夫 ,  上山润二

IPC: C23C16/34 ,  C07F7/12 ,  C23C16/42 ,  H01L21/205 ,  H01L21/318

CPC classification number: C07F7/025 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/0228

Abstract: 本发明提供一种化学气相沉积用原料，其特征在于，其含有HSiCl(NR1R2)(NR3R4)(R1、R3表示碳原子数为1～4的烷基或氢，R2、R4表示碳原子数为1～4的烷基)表示的有机含硅化合物，可以特别适合用作通过化学气相沉积法在基体上形成氮化硅薄膜的原料。使用本发明的化学气相沉积用原料时，能够在300～500℃这样的低温下实现成膜。

公开(公告)号：CN115003726B

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202180011418.0

申请日：2021-03-16

Applicant: 株式会社艾迪科

Inventor： 远藤刚 ,  上山润二 ,  小川亮

IPC: C08G59/40

Abstract: 本发明的目的在于提供抑制了固化收缩的固化性树脂组合物。本发明为含有(A)环氧树脂、(B)潜伏性固化剂及(C)下述式(1)所表示的化合物的固化性树脂组合物。(式中，X表示氧原子或硫原子，R1及R2分别独立地表示氢、烷基或芳基，3 4R及R 分别独立地表示氢原子、烷基或芳基、或表示它们连结而能够形成环结构的二价的基团。)

公开(公告)号：CN115003726A

公开(公告)日：2022-09-02

申请号：CN202180011418.0

申请日：2021-03-16

Applicant: 株式会社艾迪科

Inventor： 远藤刚 ,  上山润二 ,  小川亮

IPC: C08G59/40

Abstract: 本发明的目的在于提供抑制了固化收缩的固化性树脂组合物。本发明为含有(A)环氧树脂、(B)潜伏性固化剂及(C)下述式(1)所表示的化合物的固化性树脂组合物。(式中，X表示氧原子或硫原子，R1及R2分别独立地表示氢、烷基或芳基，R3及R4分别独立地表示氢原子、烷基或芳基、或表示它们连结而能够形成环结构的二价的基团)。

公开(公告)号：CN104603327B

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201380043243.7

申请日：2013-10-15

Applicant: 株式会社艾迪科

Inventor： 佐藤宏树 ,  上山润二

IPC: C23C16/40 ,  C07F17/00 ,  C07F11/00

CPC classification number: C07F17/00 ,  C07F11/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/405 ,  C23C16/44 ,  C23C16/45525

Abstract: 本发明的薄膜的制造方法中将含有钼酰亚胺化合物的蒸汽导入至基体上，使其分解和/或发生化学反应，从而在基体上形成含有钼的薄膜，所述钼酰亚胺化合物是使含有下述通式(I)所示的钼酰亚胺化合物而成的薄膜形成用原料汽化来获得的。本发明的薄膜形成用原料是含有下述通式(I)所示的钼酰亚胺化合物而成的。式中，R1～R10表示氢原子或者碳数为1～5的直链或支链状烷基，R11表示碳数为1～8的直链或支链状烷基。

公开(公告)号：CN103562434A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：CN201280020076.X

申请日：2012-05-11

Applicant: 株式会社艾迪科

Inventor： 佐藤宏树 ,  上山润二

IPC: C23C16/40 ,  C07C211/03 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C07F11/00

CPC classification number: H01L21/28194 ,  C07F11/005 ,  C23C16/40 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76841 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  Y02E10/541 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种含有氧化钼的薄膜的制造方法，其中，使含有下述通式（I）表示的化合物的薄膜形成用原料气化，将得到的含有钼酰胺化合物的蒸汽导入至基体上，进而导入氧化性气体，从而使其发生分解和/或化学反应而在基体上形成薄膜。式中，R1、R2表示碳原子数为1～4的直链或支链状烷基，R3表示叔丁基或叔戊基，y表示0或2，当y为0时，x为4，当y为2时，x为2，多个存在的R1、R2分别可以相同，也可以不同，

公开(公告)号：CN102282291A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201080004703.1

申请日：2010-02-15

Applicant: 株式会社艾迪科

Inventor： 佐藤宏树 ,  水尾克英 ,  斋藤昭夫 ,  上山润二

IPC: C23C16/34 ,  C07F7/12 ,  C23C16/42 ,  H01L21/205 ,  H01L21/318

CPC classification number: C07F7/025 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/0228

Abstract: 本发明提供一种化学气相沉积用原料，其特征在于，其含有HSiCl(NR1R2)(NR3R4)(R1、R3表示碳原子数为1～4的烷基或氢，R2、R4表示碳原子数为1～4的烷基)表示的有机含硅化合物，可以特别适合用作通过化学气相沉积法在基体上形成氮化硅薄膜的原料。使用本发明的化学气相沉积用原料时，能够在300～500℃这样的低温下实现成膜。